本发明属于材料表面改性技术领域,具体涉及一种掩模板保护方法。
背景技术:
掩模技术被广泛应用于各种印刷工艺、物理气相沉积或化学气相沉积工艺中,在各种气相沉积应用中,掩模不可避免地会被沉积材料所污染,当污染物积累到一定程度后,将导致掩模无法继续使用。由于掩模的制备成本都非常高昂,如果使用寿命过短的话,这必然大大增加了镀膜的成本。
技术实现要素:
针对上述问题,本发明提出一种掩模板保护方法,通过实现掩模的重复利用来降低掩模成本。
实现上述技术目的,达到上述技术效果,本发明通过以下技术方案实现:
一种掩模板保护方法,包括:
对掩模板做预处理;
在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜;
将厚度为25-250um的铝箔贴敷在掩模板外表面上;
去除覆盖在掩模板掩模孔上的铝箔。
作为本发明的进一步改进,所述在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜,具体为:
采用磁控溅射、蒸发或多弧离子镀方法在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜。
作为本发明的进一步改进,所述纳米薄膜的材料为铬、镍、钛、铝或其合金。
作为本发明的进一步改进,所述纳米薄膜的材料为类金刚石或石墨。
作为本发明的进一步改进,所述将厚度为25-250um的铝箔贴敷在掩模板外表面上,具体包括以下子步骤:
(3.1)将铝箔覆盖在掩模板的外表面上;
(3.2)采用真空吸合后,利用毛刷或橡胶球将铝箔于掩模板贴合。
作为本发明的进一步改进,所述去除覆盖在掩模板掩模孔上的铝箔,具体为:采用激光雕刻工艺去除覆盖在掩模板掩模孔上的铝箔。
与现有技术相比,本发明的有益效果:
与传统掩模板污染后直接废弃不同,采用本发明的掩模板保护方法保护掩模板后,可通过撕除铝箔和重新贴敷铝箔使掩模板可以重复利用,从而大大降低生产成本。
附图说明
图1为本发明一种实施例的掩模板保护方法的流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
下面结合附图对本发明的应用原理作详细的描述。
现有技术中,在各种气相沉积应用,掩模不可避免地会被沉积材料所污染,当污染物积累到一定程度后,将导致掩模无法继续使用。由于掩模的制备成本都非常高昂,如果使用寿命过短的话,这必然大大增加了镀膜的成本,为此,本发明提供了一种掩模板保护方法,可通过撕除铝箔和重新贴敷铝箔使掩模板可以重复利用,从而大大降低生产成本;具体地,如图1所示,本发明的掩模板保护方法包括:
步骤(1):对掩模板做预处理;在本发明的一种具体实施例中,具体包括以下子步骤:
准备全新的掩模板,放入去离子水中常温超声清洗10分钟;然后放入酒精中超声清洗2分钟,清洗完成后放入设定温度为120℃的烘箱中烘干30分钟;
步骤(2):在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜,覆盖纳米薄膜的作用是对掩模板表面的多孔性氧化物进行封堵,在本发明的一种具体实施例中,具体包括以下子步骤:
将烘干的掩模板放入磁控溅射设备的真空腔体,待真空抽至5×10-3pa时,充入氩气使动态维持0.5pa气压,打开磁控溅射电源,采用金属钛靶溅射沉积薄膜,厚度约为50nm后取出掩模板;所述纳米薄膜的材料为铬、镍、钛、铝或其合金,还可以是类金刚石或石墨;
步骤(3)将厚度为25-250um的铝箔贴敷在掩模板外表面上,在本发明的一种具体实施例中,具体包括以下子步骤:
将镀完膜的掩模板放置在真空吸台上,在掩模板的外表面上平铺一层长宽比掩模板大5%的厚度为100um的铝箔,采用辊轴压合铝箔和掩模板,同时打开真空吸台,利用真空将铝箔与掩模板吸合,然后再用橡胶球压在位于掩模板孔位置的铝箔上,使铝箔与掩模板孔边缘形成贴合后的折痕;本发明中之所以采用25-250um的铝箔是因为成本最低,且市面有售;
步骤(4)去除覆盖在掩模板掩模孔上的铝箔;在本发明的一种具体实施例中,具体包括以下子步骤:
使用深圳大族激光ep-12a风冷式端面泵浦激光打标机进行处理,中心频率为15~20khz,使用功率为12~13w,扫射速度为20mm/s。将掩模板放置于激光台上,设置激光参数,电流大小为12a,有效矢量步长为0.001mm,有效矢量延时30us,空矢量步长0.03mm,空矢量延时20us,激光开时间120us,激光关时间500us,跳转延时500us,拐弯延时5us,q频率3khz,q释放时间8us。沿着掩模板各个孔的边缘激光刻蚀铝箔,重新获得掩模孔。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。