阵列基板行驱动结构及显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种显示技术，具体涉及一种阵列基板行驱动(Gate Driver onArray, GOA)结构及显示面板。
【背景技术】
[0002]随着薄膜晶体管液晶显不器(Thinfilm transistor liquid crystal display,TFT-LCD)的迅速发展，各生产厂家采用新技术提高产品的市场竞争力以及降低产品成本。
[0003]其中，阵列基板行驱动(Gate Driver on Array，GOA)技术作为新技术的代表，是将栅极(Gate)开关电路集成在阵列基板上，以去掉栅极驱动集成电路部分，从而节省材料并且减少工艺步骤，达到降低产品成本的目的。
[0004]请参照图1，其是现有的基于LTPS (Low Temperature Poly-silicon，低温多晶娃)NMOS (N-type metal oxide semiconductor，N型金属氧化物半导体)工艺的阵列基板行驱动(GOA)电路的结构示意图。在图1中，第一电容I是用于保持节点Q电位和输出自举；第二电容2是用于保持节点P电位。所述第一电容I是由节点Q与输出TFT的栅极形成，其面积较大。所述第二电容2由于可以直接做在低恒压源VGL走线上，所以对阵列基板行驱动(GOA)电路所占空间的贡献较小。
[0005]请参照图2A和图2B，图2A是现有的阵列基板行驱动(GOA)结构10的部分剖视结构不意图；图2B是图2A中多晶娃层102、第一金属层104和第二金属层106之间堆桟关系的俯视图。在图2A和图2B中，所述现有的阵列基板行驱动(GOA)结构10由下而上依序包含:一缓冲层101、一多晶娃层102、一栅极绝缘层103、第一金属层104、层间介质层105及第二金属层106。所述第二金属层106与所述多晶娃层102之间具有至少一过孔107。所述多晶娃层102、所述第一金属层104和所述第二金属层106形成一夹心电容。所述多晶娃层102、所述第一金属层104和所述第二金属层106是分别作为所述夹心电容的第一层(最下极)、第二层和第三层。
[0006]再蚀刻(Re-etch)工艺是一种用于减少LTPS NMOS工艺中光照数量的工艺。然而，当所述现有的阵列基板行驱动(GOA)结构10通过所述LTPS NMOS工艺和所述再蚀刻工艺来制作时，由于被所述第一金属层104覆盖的所述多晶娃层102不能被掺杂(Dopping)，故所述多晶硅层102不能被作为所述夹心电容的电极(最下极)。因此，有必要提供一种新的阵列基板行驱动(GOA)结构，来解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
[0007]本发明的主要目的在于提供一种阵列基板行驱动(GOA)结构及显示面板。通过以透明导电层替代现有的阵列基板行驱动(GOA)结构中夹心电容的多晶硅层，来改进现有技术中所述多晶娃层因不能被掺杂(Dopping)而不能被作为所述夹心电容的电极的问题。
[0008]用于实现本发明的前述目的，本发明提供一种阵列基板行驱动结构，其整合在一显示面板中，所述阵列基板行驱动结构包含:
[0009]一缓冲层；
[0010]一栅极绝缘层，设置于所述缓冲层上；
[0011]—第一金属层，设置于所述栅极绝缘层上；
[0012]一层间介质层(interlayer dielectric，ILD)，设置于所述第一金属层上；
[0013]一第二金属层，设置于所述层间介质层上，所述第二金属层区分为第一部份及第二部份，所述第二金属层的第一部份与所述第二金属层的第二部份之间具有一间隙，所述第二金属层的第一部份与所述第一金属层之间具有至少一第一过孔；
[0014]—钝化层(Passivat1n，PV)，设置于所述第二金属层上；以及
[0015]一透明导电层，设置于所述钝化层上，所述透明导电层与所述第二金属层的第一部份之间具有至少一第二过孔。
[0016]在本发明的一实施例中，所述第一过孔贯穿所述层间介质层。
[0017]在本发明的一实施例中，所述第一过孔的两端分别接触所述第二金属层的第一部份和所述第一金属层。
[0018]在本发明的一实施例中，所述第二过孔贯穿所述钝化层。
[0019]在本发明的一实施例中，所述第二过孔的两端分别接触所述透明导电层和所述第二金属层的第一部份。
[0020]在本发明的一实施例中，所述第一金属层、所述第二金属层的第二部份和所述透明导电层形成一夹心电容。
[0021]再者，本发明另提供一种显示面板，其具有多个上述阵列基板行驱动结构。
[0022]本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益的效果。通过上述技术方案，本发明的阵列基板行驱动(GOA)结构及显示面板至少具有下列优点及有益效果:通过以所述透明导电层替代现有的阵列基板行驱动(GOA)结构中夹心电容的多晶硅层，来改进现有技术中所述多晶娃层因不能被掺杂(Dopping)而不能被作为所述夹心电容的电极的问题。
【附图说明】
[0023]图1是现有的基于LTPS NMOS工艺的阵列基板行驱动(GOA)电路的结构示意图。
[0024]图2A是现有的阵列基板行驱动(GOA)结构的部分剖视结构示意图。
[0025]图2B是图2A中多晶娃层、第一金属层和第二金属层之间堆桟关系的俯视图。
[0026]图3A是本发明一实施例中阵列基板行驱动(GOA)结构的部分剖视结构示意图。
[0027]图3B是图3A中第一金属层、第二金属层和透明导电层之间堆栈关系的俯视图。
[0028]附图中的标号说明
[0029]I 第一电容205b 第二部份
[0030]2 第二电容206 钝化层
[0031]10 现有的GOA结构207 透明导电层
[0032]20 本发明的GOA结构208 第一过孔
[0033]101缓冲层209 第二过孔
[0034]102多晶硅层210 平坦层挖槽
[0035]103栅极绝缘层CKl 第一时钟信号
[0036]104第一金属层CK2 第二时钟信号
[0037]105层间介质层D2U反向扫描信号
[0038]106第