专利名称：发光二极管支架结构的制作方法
技术领域：
本实用新型有关一种发光二极管支架结构，特别是有关一种具有良好定位效 果的发光二极管支架结构。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting Diode， LED)是半导体材料制成的发光元件，可将电 能转成光，其具有寿命长、体积小、驱动电压低等良好的电气与机械特性，故已被 广泛应用在日常生活的产品当中。
现有的一种发光二极管支架结构如图1所示，支架结构包括一绝缘塑胶底座 10以及一金属芯片承座20。如图所示，绝缘塑胶底座IO具有一槽型穿孔12，槽 型穿孔12是用以卡置金属芯片承座20。利用槽型穿孔12与金属芯片承座20相互 铆合以使金属芯片承座20定位于绝缘塑胶底座10中。其后，发光二极管芯片再设 置于金属芯片承座20上方的凹槽22内并电性连接以形成发光二极管结构。
当电压流通至发光二极管芯片，其所产生的热能通过金属芯片承座20加以散 热，然而，因金属芯片承座20为金属材质，其较绝缘塑胶底座IO易热涨冷縮，故 当关闭电压后，金属芯片承座20就较易因冷却收縮较快而自槽型穿孔12脱落，严 重的话会影响到发光二极管结构的产品寿命。因此，随着发光二极管的大量使用， 如何通过改善绝缘塑胶底座与金属芯片承座的结合性来增加发光二极管的使用寿 命，亦是业界关心的重要议题之一。
发明内容
为了解决上述问题，本实用新型目的之一是提供一种发光二极管支架结构， 利用凸出部凸出金属承载构件的周缘以防止金属承载构件因较绝缘座容易热涨冷 縮而由绝缘座中脱离。
本实用新型目的之一是提供一种发光二极管支架结构，于金属承载构件上形 成凸出其周缘的凸出部，通过凸出部卡固于绝缘座内以增加绝缘座与金属承载构件 的结合性。
为了达到上述目的，本实用新型的发光二极管支架结构，包括 一绝缘座以 及一金属承载体；其中金属承载体设置于绝缘座内并暴露出金属承载体的一上表面 与一下表面，且金属承载体具有一凸出部凸出金属承载体的周缘并延伸至绝缘座内。
以下通过具体实施例配合附图详加说明，以便容易了解本实用新型的目的、 技术内容、特点及其所达成的功效；其中
图1为现有的发光二极管结构的结合示意图。
图2A、图2B、图2C、图2D及图2E分别为本实用新型不同实施例的发光二 极管支架结构的剖视图。
图3A为本实用新型的又一实施例的发光二极管支架结构的俯视图。 图3B是图3A的A-A线段剖视图。
具体实施方式
其详细说明如下，所述较佳实施例仅做一说明而并非用以限定本实用新型。 首先，请先参考图2A，图2A为本实用新型的一实施例的发光二极管支架的 结构剖视图。如图所示，发光二极管支架结构包括一绝缘座100以及一金属承载体 200。于本实施例中，绝缘座100的材质包括不导电性高分子。金属承载体200设 置于绝缘座100内并暴露出金属承载体200的一上表面202与一下表面204，其中 金属承载体200具有一凸出部210凸出其周缘206并包覆于绝缘座100内。
接续上述说明，于本实施例中，金属承载体200为一上窄下宽设计，而如图 所示，金属承载体200的上表面202与下表面204可分别凸出绝缘座IOO外，但可 以理解的是，金属承载体200的上表面202与下表面204亦可仅局部凸出绝缘座 100外。其凸出或暴露出绝缘座100的上表面202是用以设置发光二极管芯片；而 凸出或暴露出绝缘座100的下表面204可方便其后将整个发光二极管结构配置于一 外界散热装置上以加强散热功能。
于又一实施例中，发光二极管支架还包括一凹槽230设置于金属承载体200 的上表面202用以承载发光二极管芯片(图中未示)，但可以理解的是，凹槽230为 一选择性设计，发光二极管芯片亦可直接设置于金属承载体200的上表面202。
接着，请参考图2B，于又一实施例中，金属承载体200的凸出部210又可形 成为一第一凸出部212与一第二凸出部214。如图所示，第一凸出部212是与第二 凸出部214形成一阶梯状结构。但其并不限于此，第二凸出部214亦可朝与第一凸 出部212垂直、约略垂直或是呈一角度的方向往绝缘座100内延伸(图中未示)。可 以理解的，不论是第一凸出部212或第二凸出部214，其皆是由金属承载座200的 周缘206向外凸出并与绝缘座100相互卡合，以避免金属承载体200因热胀冷縮而 与绝缘座100分离。另外，凸出部210并不限于两阶段凸出，多阶段凸出部亦包括 于本实用新型内。
请接续参考图2C及图2D，第一凸出部212与第二凸出部214亦可分别凸出 金属承载体200。另外，凸出部210可对称或不对称凸出金属承载体200的周缘206。 除此之外，发光二极管支架结构还可包括一凹部220陷入金属承载体200的周缘 206，如图2E所示，其中凹部220与凸出部210可配合使用来增加金属承载体200 与绝缘座100的结合性。
接续上述说明，于又一实施例中，各凸出部210可如凸缘那样环设于金属承 载体200的周缘206;另外，其亦可如块状、条状或片状等形状的凸块对称或不对 称凸出金属承载体200的周缘206，如图3A及图3B所示，其为本实用新型又一 实施例的发光二极管支架结构的俯视图及其A-A线段剖视图。于本实施例中，各 凸出部216亦可错位设置于周缘206以有效增加金属承载体200与绝缘座100的卡 合力，进而防止金属承载体200因较绝缘座IOO容易热胀冷縮而掉出绝缘座100。
依据上述，本实用新型特征之一是形成凸出部凸出金属承载体周缘，其中凸 出部可具有多阶段凸出部形成如阶梯状的凸出结构。此外，凸出部的形状不限于如
凸缘那样环设于金属承载体周缘，亦可为块状、条状或片状等形状的凸块凸出金属 承载体的周缘。换言之，凸出部的形状、位置、大小可依据使用者在不影响发光二 极管支架结构的前提下做变化，工艺上相当具有弹性。
综合上述，本实用新型是提供一种发光二极管支架结构，利用凸出部凸出金 属承载体的周缘以防止金属承载体因较绝缘座容易热涨冷縮而由绝缘座中脱离。另 外，于金属承载体上形成凸出其周缘的凸出部，通过凸出部卡固于绝缘座内以增加 绝缘座与金属承载体的结合性。
以上所述的实施例仅为说明本实用新型的技术思想及特点，其目的在使熟悉 本技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，当不能以的限定本实用新型 的专利范围，即凡是根据本实用新型所揭示的精神所作的等同的变化或修饰，仍应 涵盖在本实用新型的专利范围内。
权利要求1.一种发光二极管支架结构，包含一绝缘座；以及一金属承载体；其特征在于该金属承载体设置于该绝缘座内并暴露出该金属承载体的一上表面与一下表面，其中该金属承载体具有一凸出部凸出该金属承载体的周缘并包覆于该绝缘座内。
2. 根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该绝缘座的材料包 含不导电性高分子。
3. 根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该凸出部包含一第一凸出部及一第二凸出部。
4. 根据权利要求3所述的发光二极管支架结构，其特征在于该第一凸出部与该 第二凸出部形成一阶梯状结构。
5. 根据权利要求3所述的发光二极管支架结构，其特征在于该第二凸出部是朝 与该第一凸出部呈一角度的方向往该绝缘座内延伸。
6. 根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该金属承载体还包 含一凹部设置于该金属承载体周缘。
7. 根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该金属承载体的该 上表面是凸出该绝缘座。
8. 根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该金属承载体的该 上表面是部份凸出该绝缘座。
9. 根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于还包含一凹槽设置 于该金属承载体的该上表面。
10. 根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该金属承载体的 该下表面是凸出该绝缘座。
11. 根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该金属承载体的 该下表面是部份凸出该绝缘座。
专利摘要本实用新型有关一种发光二极管支架结构，其包括一绝缘座以及一金属承载体。其中，金属承载体设置于绝缘座内并暴露出金属承载体的一上表面与一下表面，且金属承载体具有一凸出部凸出金属承载体的周缘并包覆于绝缘座内。本实用新型利用至少一个凸出部凸出金属承载体周缘以避免金属承载体受热涨冷缩影响而从绝缘座中脱离。
文档编号F21V21/00GK201062770SQ20072014708
公开日2008年5月21日 申请日期2007年6月5日 优先权日2007年6月5日
发明者朱振丰, 陈原富 申请人:复盛股份有限公司