等离子体系统的制作方法

专利名称：等离子体系统的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种等离子体系统，且特别是有关于一种避免电极耗损的等离子
体系统。
背景技术：
在半导体产业蓬勃发展之下，各式工艺方法及设备亦多元地被开发与使用。等 离子体可在基材的表面上进行表面清洁、表面蚀刻、深蚀刻(trench etching)、薄膜沉积 及表面成分改变，例如是亲水化处理、疏水化处理等。等离子体处理设备例如是等离子体 清洗设备(plasmacleaning)、等离子体辅助化学气相沉积(plasma enhance chemical vapord印osition， PECVD)、等离子体辅助反应式离子蚀亥lj (plasma enhancereactive ion etching, PERIE)、微波等呙子体氧化(micro wave plasmaoxidation)、微波等离子体氮化 (micro wave plasma nitridation)、离子金属等离子体沉禾只(ionized metal plasma, IMP) 及溅镀沉积(sputter)等等。 虽然等离子体整体是处于电中性的状态，但在等离子体气氛中，包含了许多不同 电位的粒子，例如是原子、自由基、离子、分子、分子自由基、极化分子、电子及光子等等。此 些粒子是在等离子体设备的反应室内产生，反应室内同时设置正、负电极。正、负电极间的 气体在两电极间的电压驱动下，发生解离而产生等离子体。 然而，电极设置在反应室内一定会受到等离子体粒子的污染及侵蚀，因此导致电 极耗损。当电极受到耗损，等离子体稳定性会受到影响，进而影响等离子体加工产品的品 质。此外，若等离子体设备属于常压型系统，为了扩大等离子体处理范围，需要架构昂贵的 移载平台。并且，常压型系统所需要的等离子体驱动电能较大，不是需要大电流，就是需要 大电压来驱动。结果反而造成热问题，例如是电极变形。

发明内容
本发明是有关于一种等离子体系统，是将正、负电极与反应室隔离，使得等离子体 不会接触到电极。如此，电极不会受到污染及损耗。 根据本发明的一方面，提出一种等离子体系统。等离子体系统用以产生一等离子 体，等离子体系统包括一第一管体、一第一正电极及一第一负电极。第一管体具有一第一进 气口 、一第一等离子体喷口 、一第一端面及一第二端面。第一进气口用以让一等离子体气体 通过以进入至第一管体内。第一等离子体喷口贯穿第一管体的管壁。第一等离子体喷口用 以让等离子体通过以喷出至第一管体外。第一正电极具有一第一正电极侧面及一第一正电
极表面。第一正电极侧面连接于第一正电极表面，第一正电极侧面面对且邻近于第一管体。 第一负电极具有一第一负电极侧面及一第一负电极表面。第一负电极侧面连接于第一负电 极表面。第一负电极表面与第一正电极表面相距一第一预设距离。第一负电极侧面面对且 邻近于第一管体。其中，第一正电极及第一负电极位于第一端面与第二端面之间，而至少部 份的第一等离子体喷口位于第一正电极与第一负电极之间。


为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细 说明如下，其中 图1绘示依照本发明第一实施例的等离子体系统的示意图。
图2绘示依照图1的第一管体、第一正电极及第一负电极的示意图。
图3绘示图2的第一管体的另一实施例的示意图。
正电极的示意图。 正电极与第一管体的示意图。 正电极的另一实施例的示意图。 负电极的示意图。 负电极与第一管体的示意图。 负电极的另一实施例的示意图。
图10绘示图6的第一正电极、图9的第一负电极与图2的第一管体的再一实施例 的组合图。 图11绘示依照图1的外壳的示意图。 图12绘示依照本发明第二实施例的等离子体系统的示意图。 图13绘示依照图12的第二正电极的示意图。 图14绘示依照图12的第二负电极的示意图。 图15绘示依照图12的具有冷却流道的外壳的示意图。
具体实施例方式
请参照图l，其绘示依照本发明第一实施例的等离子体系统的示意图。等离子体 系统100用以产生一等离子体120。等离子体系统100包括一第一管体102、一第一正电极 104、一第一负电极106及一外壳116。 请参照图2，其绘示依照图1的第一管体、第一正电极及第一负电极的示意图。第 一管体102具有一第一进气口 108、一第一等离子体喷口 110及一第一端面112与一第二端 面114。第一管体102的材质是为一介电材料，例如是石英材料。第一管体102的形式是可 为圆管或方管等各种外型，本实施例的第一管体102是以圆管为例作说明。
第一进气口 108用以让一等离子体气体(未绘示)通过以进入至第一管体102内。 虽然，本实施例的第一进气口 108是以位于第一端面112为例作说明，然于其它实施例中， 第一进气口 108是可位于第二端面114。较佳地，若只有一端面开设进气口，另一端面则封 闭，举例来说，本实施例的第二端面114是封闭，以避免杂质从第二端面114进入而影响等 离子体稳定性。或者，在其它实施例中，于第一端面112及第二端面114皆开设进气口。亦 即，除了于第一端面112开设第一进气口 108夕卜，于第二端面114也可开设一第二进气口 (未绘示)。于第二端面114开设第二进气口是可增进等离子体气体流场的均匀度。至于 要开设一个或二个进气口 ，则视实际需求而定，本实施例并非用以限定进气口的开设数目。
如图2所示，第一正电极104及第一负电极106是位于第一端面112与第二端面 114之间。第一负电极106的一第一负电极表面130是与第一正电极104的一第一正电极图4绘示依照图1的第图5绘示依照图2的第图6绘示依照图4的第图7绘示依照图1的第图8绘示依照图2的第图9绘示依照图7的第表面124是相距一第一预设距离Dl，第一预设距离Dl可以等于6mm或大于6mm。不过，只 要第一负电极106与第一正电极104之间不发生电弧(arcing)现象或能够正常地产生等 离子体120即可，第一预设距离D1的值并不受本实施例的限制。而第一等离子体喷口 110 是位于第一正电极104与第一负电极106之间并贯穿第一管体102的管壁118，第一等离子 体喷口 110是用以让等离子体120(等离子体120绘示于图1)通过以喷出至第一管体102 外。本实施例的第一等离子体喷口 110的形状是为一圆形，其数目是为四个。第一等离子 体喷口 110的孔径约0. 5厘米(mm)，其间距是约2mm。此外，第一等离子体喷口 110是不朝 向第一正电极104与第一负电极106。也就是说，本实施例的电极(即第一正电极104与第 一负电极106)除了位于第一管体102的外部而不与第一管体102内的等离子体粒子接触 外，等离子体120从第一等离子体喷口 110喷出的过程中，等离子体120也不会接触到第一 正电极104及第一负电极106。如此，电极便不会发生损耗问题。 虽然，本实施例的第一等离子体喷口 IIO是以四个为例作说明。然于其它实施例 中，可以是少于四个或多于四个。第一等离子体喷口 110可以部份地分布在第一正电极104 与第一负电极106之间，或者，如同本实施例一样，是全数地均匀分布于第一正电极104与 第一负电极106之间。此外，请参照图3，其绘示图2的第一管体的另一实施例的示意图。 另一实施例的第一管体148具有一第一等离子体喷口 150，其外型是为一长条型。较佳地， 长条型的长度是可大于一第一预设距离D1 (第一预设距离D1绘示于图2)，以扩大等离子体 120(等离子体120绘示于图1)的喷射涵盖面积。 此外，只要能均匀地产生等离子体120即可，第一等离子体喷口 110的尺寸、数目 及第一等离子体喷口 110的位置及间距并不受本实施例所限制。 请参照图4，其绘示依照图1的第一正电极的示意图。第一正电极104具有一第一 正电极侧面122及相对于第一正电极表面124的一第二正电极表面126。第一正电极侧面 122是连接于第一正电极表面124与第二正电极表面126，且实质上垂直于第一正电极表面 124。第一正电极侧面122是面对且邻近于第一管体102。只要第一正电极侧面122邻近于 第一管体102即可，第一正电极侧面122是可与第一管体102接触或不接触，而本实施例的 第一正电极侧面122是以不接触第一管体102为例作说明。另外，第一正电极104的厚度 是约5mm。 此外，第一正电极侧面122的剖面形状是相似于对应的第一管体102的剖面形状。 亦即，第一管体102是为一圆管，则第一正电极侧面122的剖面形状亦为圆形。如此，使得 第一正电极侧面122与第一管体102间的距离均等，因此第一正电极104对等离子体气体 的作功也较均匀，更提升了等离子体稳定性。 此外，请参照图5，其绘示依照图2的第一正电极与第一管体的示意图。第一正电 极侧面122是面对第一管体102的一第一部分152。第一部份152的剖面的外周长是为一 第一周长(未绘示)，第一管体102的全剖面的外周长是为一第二周长(未绘示)，第一周 长是至少大于第二周长。也就是说，图5的一第一延伸部份154是为第一部份152的延伸， 而第一部分152的面积是不小于第一延伸部份154的面积，以确保第一正电极104有足够 的面积来对第一管体102内的等离子体气体作功。更进一步地说，虽然本实施例的第一正 电极104的数目是以一个为例作说明，然于其它实施例中，第一正电极104的数目也可以是 一个以上。只要此些第一正电极的第一正电极侧面的面积总合，可以让第一管体102内的等离子体气体正常地产生等离子体即可，第一正电极104的数目并不受本实施例的限制。
本实施例的第一正电极104的外型是以C字型为例作说明，然于其它实施例中，第 一正电极也可以是其它形式。举例来说，请参照图6，其绘示依照图4的第一正电极的另一 实施例的示意图。第一正电极160更具有一正电极贯穿部162、一第一正电极侧面168、一 第一正电极表面164及一第二正电极表面166。正电极贯穿部162是贯穿第一正电极表面 164与第二正电极表面166。第一正电极侧面168是为正电极贯穿部162的内侧表面。
请参照图7，其绘示依照图1的第一负电极的示意图。第一负电极106具有一第一 负电极侧面128及相对于第一负电极表面130的一第二负电极表面132。第一负电极侧面 128是连接于第一负电极表面130与第二负电极表面132，且实质上垂直于第一负电极表面 130，第一负电极侧面128是面对且邻近于第一管体102。只要第一负电极侧面128邻近于 第一管体102即可，第一负电极侧面128是可与第一管体102接触或不接触，而本实施例的 第一负电极侧面128是以不接触第一管体102为例作说明。此外，第一负电极的厚度约为 5mm。 此外，虽然第一正电极104的厚度及第一负电极106的厚度是以5mm为例作说明。 然于其它实施例中，只要能均匀地产生等离子体即可，第一正电极104的厚度及第一负电 极106的厚度并不受本实施例所限制。 第一负电极侧面128的剖面形状是相似于对应的第一管体102的剖面形状。亦即， 第一管体102是为圆管，则第一负电极侧面128的剖面形状亦为圆形。如此，使得第一负电 极侧面128与第一管体102间的距离均等，因此第一负电极106对等离子体气体的作功也 较均匀，更提升了等离子体稳定性。 请参照图8，其绘示依照图2的第一负电极与第一管体的示意图。第一负电极侧面 128是面对第一管体102的一第二部分156。第二部份156的剖面的外周长是为一第三周 长(未绘示)，第一管体102的全剖面的外周长是为一第四周长(未绘示)，第三周长是至 少大于第四周长。也就是说，图8的一第二延伸部份158是为第二部份156的延伸，而第二 部分156的面积是不小于第二延伸部份158的面积，以确保有足够的电极面积来对第一管 体102内的等离子体气体作功。更进一步地说，虽然本实施例的第一负电极104的数目是 以一个为例作说明，然于其它实施例中，第一负电极106的数目也可以是一个以上，只要此 些第一负正电极106的第一负电极侧面128的面积总合可以使第一管体102内的等离子体 气体产生等离子体即可，第一负电极106的数目并不受本实施例的限制。
本实施例的第一负电极106的外型是以C字型为例作说明，然于其它实施例中，第 一负电极也可以是其它形式。举例来说，请参照图9，其绘示依照图7的第一负电极的另一 实施例的示意图。第一负电极170具有一负电极贯穿部172、一第一负电极表面174、一第 二负正电极表面176及一第一负电极侧面178。负电极贯穿部172是贯穿第一负电极表面 174与第二负正电极表面176。第一负电极侧面178是为负电极贯穿部172的内侧表面。
较佳地，上述的第一负电极与第一正电极的外型是相似的。如此，第一负电极与第 一正电极间所对应的面积是相似且重叠的面积也是最大的，以提升等离子体的产生效率及 稳定性。 请参照图IO，其绘示图6的第一正电极、图9的第一负电极与图2的第一管体的 再一实施例的组合图。图10的一第一管体256具有数个第一等离子体喷口 258，第一等离子体喷口 258的外形是呈长条型。第一等离子体喷口 258、第一正电极160及第一负电极 170是错开设置。也就是说，第一等离子体喷口 258是不朝向第一正电极160与第一负电极 170。如此，由扩大了第一等离子体喷口的尺寸，使得位于第一管体256内的等离子体喷出 的面积增加，扩大了等离子体的处理范围。 请参照图ll，其绘示依照图1的外壳的示意图。外壳116具有一凹槽134、一外壳 底面136及相对的一第一外壳侧面138与一第二外壳侧面140。外壳底面138是连接于第一 外壳侧面138与第二外壳侧面140，凹槽134是于外壳底面136露出一槽口 142。第一外壳 侧面138是具有一第一容置孔144，第二外壳侧面140是具有一第二容置孔146。第一管体 102(绘示于图1)是设置于第一容置孔144内及第二容置孔146内。槽口 134是露出第一 管体102、第一正电极104及第一负电极106且第一等离子体喷口 110是朝向槽口 142(第 一正电极104、第一负电极106及第一等离子体喷口 110皆绘示于图1)。
第二实施例 请参照图12，其绘示依照本发明第二实施例的等离子体系统的示意图。第二实施
例与第一实施例不同之处在于，第二实施例具有多组管体及多组正、负电极，且外壳更具有 一冷却流道。如图12所示，等离子体系统200包括一第一管体202、一第二管体204及一 外壳206。第一管体202上设置数个第一正电极104、数个第一负电极106，并具有一第一 端面222、一第二端面224、一第一进气口 212、第三进气口 250及一第一等离子体喷口 214。 第一进气口 212是位于第一端面222，第三进气口 250是位于第二端面224。第一等离子体 喷口 214的外型是为一长条型，长条型的长度是大于第一正电极104与第一负电极106的 一第一预设距离D3，较佳地，长条型的长度是约为电极的分布长度。也就是说，第一等离子 体喷口 214经过所有的第一正电极104及第一负电极106。 如图12所示，第二管体204与第一管体202是邻近并排。第二管体204包括数个 第二正电极220、数个第二负电极226，并具有一第二进气口 228、一第四进气口 252、一第二 等离子体喷口 230、一第三端面232及一第四端面234。第二进气口 228用以让等离子体气 体通过以进入至第二管体204内。第二正电极220及第二负电极226是位于第三端面232 与第四端面234之间，而第二等离子体喷口 230是位于第二正电极220与第二负电极226 之间并贯穿第二管体204的管壁236，用以让等离子体通过以喷出至第二管体204外。第二 等离子体喷口 230的外型是为一长条型，长条型的长度是大于第二正电极220与第二负电 极226的一第二预设距离D4，较佳地，长条型的长度是约为电极的分布长度。也就是说，第 二等离子体喷口 230经过所有的第二正电极220及第二负电极226。 此外，如图12所示，第一正电极104、第二正电极220、第一负电极106及第二负电 极226是交错排列。交错排列的正、负电极其分布较平均，因此提升了等离子体喷出的均匀 度。并且，多组管体及多组电极的安排使得在不需要昂贵的精密移载平台的情况下，就能扩 大等离子体的处理范围。因此，可对大面积的工件进行表面处理，例如是亲水性处理、疏水 性处理或表面清洁处理。 请参照图13，其绘示依照图12的第二正电极的示意图。第二正电极220具有一第 二正电极侧面236及相对的一第三正电极表面238与一第四正电极表面240。第二正电极 侧面236是实质上垂直于第三正电极表面238。第二正电极侧面236是连接于第三正电极 表面238与第四正电极表面240。第二正电极侧面236是面对且邻近于第二管体204(第二
8管体204绘示于图12)。 请参照图14，其绘示依照图12的第二负电极的示意图。第二负电极226是具有一 第二负电极侧面242及相对的一第三负电极表面244与一第四负电极表面246。第二负电 极侧面242是实质上垂直于第三负电极表面244。第二负电极侧面242是连接于第三负电 极表面244与第四负电极表面246，第二负电极侧面242是面对且邻近于第二管体204。
较佳地，请参照图15，其绘示依照图12的具有冷却流道的外壳的示意图。外壳206 更具有一冷却流道248，冷却流道248与外壳206的一凹槽254是相连通，用以提供一冷却 气体(未绘示)通过，以冷却凹槽254内的第一正电极104、第一负电极106、第二正电极 220及第二负电极226。较佳地，冷却流道248的一流道开口 (未绘示)是朝向第一正电极 104、第一负电极106、第二正电极220及第二负电极226，以使喷出的冷却气体直接喷向电 极，对电极的冷却效果是较佳。 虽然，第二实施例的管体的数目是以二根为例作说明，然于其它实施例中，管体的 数目可以是二根以上，其数目并不受本实施例的限制。而本实施例的每一根管体的正、负电 极的组数是以二组为例作说明，然于其它实施例中，每一根管体的正、负电极的组数可以是 二组以上，其组数并不受本实施例的限制。或者，每一根管体的正、电极组数也可以是不相 同。举例来说，第一管体的正、负电极的组数可以是二组，则第二管体的正、负电极的组数可 以是异于二组，例如是一组、三组或四组。 此外，上述实施例的等离子体系统，可应用于常压环境。如此，等离子体系统100 及200除了不需要昂贵的真空设备外，也可应用于绕巻式(Roll-to-Roll)连续工艺中，提 升了产品的生产率。 本发明上述实施例所揭露的等离子体系统，具有多项优点，以下仅列举部分优点 说明如下 (1)第一正电极、第一负电极、第二正电极及第二负电极与反应室(即第一管体内 与第二管体内)隔离，使得等离子体粒子不会接触到电极，并且，在等离子体喷出第一管体 及第二管体之外的过程中，等离子体也不会接触到电极。如此，电极不会受到污染及损耗。
(2)多根管体及多组电极的安排，使得等离子体喷射涵盖面积扩大，因此可对大面 积的工件进行表面处理。如此，除了提升了处理效率外，也扩大了等离子体系统的适用范 围。 (3)第一正电极、第二正电极、第一负电极及第二负电极是交错排列以使电极的分 布平均，因此提升了等离子体喷出的均匀度。 (4)等离子体系统可应用于常压环境。如此，等离子体系统除了不需要昂贵的真空 设备外，也可应用于绕巻式连续工艺中，以提升产品的生产率。 综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发 明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动 与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求范围所界定的为准。
权利要求
一种等离子体系统，用以产生一等离子体，所述离子体系统包括一第一管体，该第一管体具有一第一进气口、一第一等离子体喷口、一第一端面及一第二端面，该第一进气口用以让一等离子体气体通过以进入至该第一管体内，该第一等离子体喷口贯穿该第一管体的管壁，该第一等离子体喷口用以让所述离子体通过以喷出至该第一管体外；一第一正电极，具有一第一正电极侧面及一第一正电极表面，第一正电极侧面连接于该第一正电极表面，该第一正电极侧面面对且邻近于该第一管体；以及一第一负电极，具有一第一负电极侧面及一第一负电极表面，该第一负电极侧面连接于该第一负电极表面，该第一负电极侧面面对且邻近于该第一管体，该第一负电极表面与该第一正电极表面相距一第一预设距离；其中，该第一正电极及该第一负电极位于该第一端面与该第二端面之间，而至少部份的该第一等离子体喷口位于该第一正电极与该第一负电极之间。
2. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一正电极侧面垂直于该第一正电极侧 面，且该第一负电极侧面垂直于该第一负电极侧面。
3. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一正电极侧面及该第一负电极侧面接 触于该第一管体。
4. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一等离子体喷口不朝向该第一正电极 与该第一负电极。
5. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一正电极侧面面对该第一管体的一第 一部分，该第一部份的剖面的外周长为一第一周长，该第一管体的全剖面的外周长为一第 二周长，该第一周长至少大于该第二周长。
6. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一负电极侧面面对该第一管体的一第 二部分，该第二部份的剖面的外周长为一第三周长，该第一管体的全剖面的外周长为一第 四周长，该第三周长至少大于该第四周长。
7. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一等离子体喷口的形状为一圆形。
8. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一等离子体喷口的外型为一长条型。
9. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一正电极侧面的剖面形状相似于对应 的该第一管体的剖面形状。
10. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一负电极侧面的剖面形状相似于对 应的该第一管体的剖面形状。
11. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一正电极更具有一正电极贯穿部及 相对该第一正电极表面的一第二正电极表面，该第一正电极侧面连接该第二正电极表面， 该正电极贯穿部贯穿该第一正电极表面与该第二正电极表面，该第一正电极侧面为该正电 极贯穿部的内侧表面。
12. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一负电极更具有一负电极贯穿部及 相对该第一负电极表面的一第二负电极表面，该第一负电极侧面连接该第二负电极表面， 该负电极贯穿部贯穿该第一负电极表面与该第二负电极表面，该第一负电极侧面为该负电 极贯穿部的内侧表面。
13. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一进气口位于该第一端面与该第二端面之一。
14. 如权利要求13所述的等离子体系统，其中该第一管体更具有一第二进气口，位于 该第一端面与该第二端面的另一面，用以让所述离子体气体通过而进入至该第一管体内。
15. 如权利要求13所述的等离子体系统，其中该第一端面与该第二端面的另一面是封闭。
16. 如权利要求l所述的等离子体系统，还包括一外壳，具有一凹槽、一外壳底面及相对的一第一外壳侧面与一第二外壳侧面，该外壳 底面连接于该第一外壳侧面与该第二外壳侧面，该凹槽于该外壳底面露出一槽口，该第一 外壳侧面具有一第一容置孔，该第二外壳侧面具有一第二容置孔，该第一管体设置于该第 一容置孔内及该第二容置孔内，该槽口露出该第一管体、该第一正电极及该第一负电极且 该第一等离子体喷口朝向该槽口 。
17. 如权利要求16所述的等离子体系统，其中该外壳更具有一冷却流道，该冷却流道 与该凹槽相连通。
18. 如权利要求17所述的等离子体系统，其中该冷却流道的一流道开口朝向该第一正 电极及该第一负电极。
19. 如权利要求1所述的等离子体系统，其中该第一预设距离至少大于6mm。
20. 如权利要求l所述的等离子体系统，还包括一第二管体，是与该第一管体邻近并排，该第二管体具有一第二进气口 、一第二等离子 体喷口 、一第三端面及一第四端面，该第二进气口用以让所述离子体气体通过以进入至该 第二管体内，该第二等离子体喷口贯穿该第二管体的管壁，该第二等离子体喷口用以让所 述离子体通过以喷出至该第二管体外；一第二正电极，具有一第二正电极侧面及一第三正电极表面，第二正电极侧面连接于 该第三正电极表面，该第二正电极侧面面对且邻近于该第二管体；以及一第二负电极，具有一第二负电极侧面及一第三负电极表面，该第二负电极侧面连接 于该第三负电极表面，该第二负电极侧面面对且邻近于该第二管体，该第三负电极表面与 该第三正电极表面相距一第二预设距离；其中，该第二正电极及该第二负电极位于该第三端面与该第四端面之间，而至少部份 的该第二等离子体喷口位于该第二正电极与该第二负电极之间，且该第一正电极、该第二 正电极、该第一负电极及该第二负电极交错排列。
21. 如权利要求20所述的等离子体系统，其中该第二正电极侧面垂直于该第三正电极 侧面，且该第二负电极侧面垂直于该第三负电极侧面。
22. 如权利要求20所述的等离子体系统，其中该第二等离子体喷口的形状为一圆形。
23. 如权利要求20所述的等离子体系统，其中该第二等离子体喷口的外型为一长条型。
24. 如权利要求20所述的等离子体系统，其中该第二预设距离至少大于6mm。
25. 如权利要求20所述的等离子体系统，其中该第一管体及该第二管体的材质为一介 电材料。
全文摘要
一种等离子体系统，用以产生一等离子体。等离子体系统包括一管体、一正电极及一负电极。管体具有一等离子体喷口、一第一端面及一第二端面。等离子体喷口贯穿管体的管壁，用以让等离子体通过以喷出至管体外。正电极具有一正电极侧面，正电极侧面面对且邻近于管体。负电极与正电极相距一第一预设距离。负电极具有一负电极侧面。负电极侧面面对且邻近于管体。其中，第一正电极及第一负电极位于第一端面与第二端面之间，而部份的等离子体喷口位于正电极与负电极之间。
文档编号H01J37/32GK101730374SQ200810173139
公开日2010年6月9日 申请日期2008年10月30日 优先权日2008年10月30日
发明者刘志宏, 苏浚贤, 蔡祯辉, 蔡陈德, 许文通, 黄骏 申请人:财团法人工业技术研究院