等离子体显示面板的制作方法

专利名称：等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及等离子体显示面板。
背景技术：
在薄型显示面板中，等离子体显示面板(以下简称为PDP)因其易于大型化、可高速显示、成本低等特征而正在被实际应用，并快速普及。目前被实际应用的一般的PDP的结构是，将由前面基板和背面基板构成的2片玻 璃基板对置配置，分别设置规则排列的一对电极，并覆盖这些电极设置低熔点玻璃等电介 质层。此外，在背面基板的电介质层上设置有荧光体层，在前面基板的电介质层上设置有由 MgO构成的保护层，用于在保护电介质层免受离子冲击的同时提高二次电子释放率。此外， 在2片基板之间封入了以Ne、Xe等惰性气体为主体的气体。这种PDP在电极之间施加电压从而产生放电，使荧光体发光，由此进行显示。对于PDP，一直以来都强烈要求提高发光效率，已知的方法包括降低电介质层的介 电常数的方法、提高放电气体的Xe分压的方法。但是，使用这种方法会出现放电开始电压 或维持电压上升的问题。针对这种课题，人们发现通过采用二次电子释放系数高的材料作为保护层，可以 降低放电开始电压或维持电压，并能够通过使用高效且耐压低的元件来实现低成本化。例如，在专利文献1、2中研究了不使用MgO，而是使用同是碱土类金属氧化物，但 二次电子释放系数更高的(^0、510、8劝、或者使用这些化合物的固熔体的方法。专利文献1 特开昭52-63663号公报专利文献2 特开2007-95436号公报但是，与MgO相比，Ca0、Sr0、BaO等化学性质不稳定，容易与空气中的水分或二氧 化碳发生反应，形成氢氧化物或碳酸化物。一旦形成了这种化合物，二次电子释放系数就会 下降，无法实现预期的降低放电开始电压和维持电压的效果、或者由于电压降低所必需的 老化时间(aging time)变得非常长而失去实用价值。当在实验室范围内进行少量制造的情况下，可以采用对作业环境气体进行控制的 方法来规避这种CaO、SrO, BaO等的化学反应引起的劣化，但在制造工厂中对所有工序的环 境气体进行管理是很困难的，另外，即使可能，也会导致成本升高。另外，在使用MgO以外的材料作为保护层的情况下，也存在着对离子冲击的耐受 性低，因而导致PDP驱动时的气体产生的溅射量增大、寿命缩短的问题。因此，尽管以往一直在探讨使用二次电子释放系数高的材料，但到现在已经被实 际应用的保护层材料仍然只有MgO。

发明内容
本发明借鉴了上述课题，目的是通过提供适宜于提高PDP的二次电子释放系数的 材料，来实现PDP的高效化。
本发明涉及一种在电极之间施加电压从而在放电空间内引起放电，并利用荧光体 变换为可见光而发光的PDP，在面对放电空间的区域配置由化合物构成的电子释放材料，其 中该化合物以从Ca(钙)、Sr (锶)、Ba(钡)之中选择的一种以上、Sn(锡)、以及0(氧)为 主要成分。这里，“面向放电空间的区域”是伴随着放电空间 的放电而照射带电粒子等的区 域，具体而言，既包括保护层的表面、荧光体层的表面、间隔壁的表面，也包括保护层的内 部、荧光体层的内部、间隔壁的内部。特别地，在MgO保护层上，优选是在粒子状态下以以上20%以下的覆盖率分散 配置上述化合物。这里，“覆盖率”指的是在将上述化合物的粒子投影到保护层的表面时粒子所占面 积的比例。另外，上述“主要成分”指的是构成化合物的元素之中的主要元素，因此，化合物中 也可以包含少量的主要成分以外的元素。特别地，在本发明所涉及的化合物之中，有时候也 包含主要成分以外的元素而取代构成主要成分的元素，只要其含量小于主要成分的元素含
量即可。上述化合物优选是包含特定比例的Ca、Sr、Ba之中的一种以上及Sn的结晶性氧化 物。更具体地，优选是以下物质CaSnO3> SrSn03、BaSn03、或这些物质的相互固熔体；Sr3Sn207、Ba3Sn207、或这些物质的相互固熔体；Ca2SnO4, Sr2SnO4, Ba2Sn04、或这些物质的相互固熔体。发明效果以从Ca、Sr、Ba之中选择的一种以上、Sn及0(氧)为主要成分的化合物的化学性 质稳定，并且二次电子释放系数高，详细情况将在实施方式中进行说明。因而，在PDP中面 向放电空间的地方配置该化合物，能够降低PDP的驱动电压，也具有实用性。另外，如果采用一直以来的对离子冲击的耐受性高的MgO膜作为保护层，并采用 上述化合物作为电子释放材料，就能够提供驱动电压低且寿命长的PDP。


图1是与本发明的实施方式相关的PDP的透视图。图2是图1所示的PDP的纵剖面图。图3是与本发明的实施方式相关的PDP的透视图。图4是图3所示的PDP的纵剖面图。图5是使用XPS测定价电子带能谱的实例。图6是使用XPS测定Cls能谱的实例。符号说明1......前面板2......前面玻璃基板3......透明导电膜4......汇流电极
5......显示电极6......电介质层7......保护层8......背面板9......背面玻璃基板10......地址电极11......电介质层12......间隔壁13......荧光体层14......放电空间20......电子释放层
具体实施例方式首先说明与本发明相关的PDP中使用的电子释放材料。本发明人使二次电子释放效率高但化学性质不稳定的CaO、SrO, BaO的原料与各 种金属B、Al、Si、P、Ga、Ge、Sn、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W等的氧化物发生反应，合成种类非常 多的化合物，并对它们的化学稳定性和二次电子释放能力进行详细的研究后，结果发现使 SnO2发生反应，生成含有Ca、Sr、Ba的任意一种以上、Sn及0的化合物，就能够提高化学稳 定性而不会显著降低二次电子释放效率。此外也发现与仅使用MgO的PDP相比，在PDP中 使用该电子释放材料能够降低驱动电压。(电子释放材料的组成)在本发明中，PDP中使用的电子释放材料是以Ca、Sr、Ba的任意一种以上、Sn及0 为主要成分的化合物。该化合物可以是处于非晶状态的物质，但为了进一步提高稳定性，优选是结晶性 化合物。优选的结晶性化合物基本上可以举出以下物质(l)CaSn03、SrSnO3> BaSn03、或其中的2种以上相互固熔而成的固熔体(Ca，Sr) SnO3、(Sr, Ba) SnO3 等(2) Sr3Sn207、Ba3Sn207、或其相互固熔而成的固熔体(Sr，Ba)3Sn207(3) Ca2SnO4, Sr2Sn04、Ba2Sn04、或其中的2种以上相互固熔而成的固熔体(Ca， SiO2SnO4 等比较这些结晶性化合物的二次电子释放效率可知，组成中含有SrO的化合物比组 成中含有CaO的化合物的二次电子释放效率高，组成中含有BaO的化合物比组成中含有SrO 的化合物的二次电子释放效率高。另外，如果是组成中同样含有BaO的化合物，则可以认为其含量越多，二次电子释 放效率越高。例如，Ba3Sn2O7比BaSnO3的二次电子释放效率高，进而，Ba2SnO4的二次电子释 放效率更高。另一方面，就化学稳定性而言，其顺序则相反。所必需的化 学稳定性随着实际进行PDP制造的工序条件的不同而各不相同，因此，难以一概而论地决定哪种化合物好。但在这些化合物之中，CaSnO3^ SrSnO3^BaSnO3是具有与MgO同等程度或更高稳定性的化合物，无需进行特别的环境气体控制即可使用，而且 比MgO的电子释放效率高，因此是最优选的。另外，在这3种化合物之中，从低电压化的角度来看，优选是BaSnO3和SrSnO3, CaSnO3 稍差。不过，在PDP制造工序中，如果可以进行某种程度的环境气体控制，则也可以使用 其他组成的化合物，在此情况下，只要根据环境使用适当组成的化合物即可。(关于固熔体)关于CaSn03、SrSn03、BaSnO3,与单独使用相比，优选是使其相互固熔而形成固熔体 加以使用。这是因为，形成固熔体后，化学稳定性基本不变，但二次电子释放效率比两者的 平均值稍高。此外，CaSnO3和 SrSnO3、SrSnO3 和 BaSnO3 都是完全固溶，而 CaSnO3 和 BaSnO3 的晶 格常数相差过大，只能是部分固溶。(结晶性化合物中的部分置换)就CaSn03、SrSn03、BaSn03而言，即使以3价金属La部分置换结晶中的碱土类的位 点(site)、或者以3价金属In或Y、5价金属Nb部分置换Sn的位点、或者以F部分置换0， 仍然可以用作电子释放材料。此时，如果以更高价数的金属进行置换(以La部分置换碱土类、以Nb部分置换Sn 等)，则稳定性会有所下降，但二次电子释放效率将提高。因而，通过这些置换，可以对其特 性进行微调。特别地，在提高二次电子释放效率方面，以In置换Sn效果明显。另外，也可 以使用Ce或ττ部分置换结晶中的Sn位点。不过，在按这种方式进行置换的情况下，组成中的主要成分始终必须是碱土类、Sn 及0。例如，在以In置换Sn位点的情况下，虽然可以进行全部置换，但置换量必须设定为小 于50%，优选是20%以下，甚至10%以下。当在不执行环境气体调整的通常的制造工艺中使用CaSn03、SrSn03、BaSn03或它们 的固熔体的情况下，碱土类的合计摩尔数相对于Sn的摩尔数的比例(Ca+Sr+BaVSn优选是 设定为0. 995以下。不过，在以上述方式部分置换碱土类位点或Sn的位点的情况下，对于这些置换元 素的合计而言，优选是将该比例设定为0. 995以下。这是因为，一旦上述比例超过了 0.995，二次电子释放系数就容易下降。其理由可 以认为是，即使当上述比例是1.000的情况下，由于组成的不均勻性，在碱土类氧化物原料 与SnO2W反应过程中，一旦生成了与Ba3Sn2O7相等的碱土类多的组成，这些相(phase)就会 覆盖粒子表面，在不执行环境气体调整的条件下，进一步发生BaCO3的分离析出等，表面变 得不稳定。此外，如果进一步降低上述比例，则当达到某种程度以下，SnO2就会过剩而析出， 因而形成结晶性化合物和SnO2的混合物。但即使处于这种状态，仍然能够抑制上述碱土类 多的组成的生成。(电子释放材料的合成方法)用于合成以Ca、Sr、Ba的任意一种以上、Sn及0为主要成分的化合物的方法，可以根据其形态而分为固相法、液相法、气相法。固相法是将含有各种金属的原料粉末(金属氧化物、金属碳酸盐等)混合起来，在某种程度以上的温度下进行热处理使其发生反应的方法。液相法是制作含有各种金属的溶液，使其沉淀为固相、或者将该溶液涂敷到基板 上使其干燥，以某种程度以上的温度进行热处理等使其成为固相的方法。气相法是蒸镀、溅镀、CVD等方法，能够得到膜状的固相。利用气相法，除了上述的Ca、Sr、Ba和Sn形成特定比例的结晶性氧化物以外，也 能够得到以从Ca、Sr、Ba之中选择的一种以上、Sn及0(氧)为主要成分的非晶状态的化合 物。该非晶状态的膜与Ca0、Sr0、Ba0相比，其化学性质更稳定，而且具有比MgO高的二 次电子释放效率，因此，能够降低PDP的驱动电压。但是，就化学稳定性而言，结晶性化合物 更高，而作为合成方法，气相法比固相法等的成本高，因此，更优选使用结晶性化合物。(电子释放材料的配置位置和形态)关于应该在PDP面板的哪个部分形成上述电子释放材料这一问题，一般来说，在 覆盖前面板的电极的电介质层上形成即可。但是，即使形成在其他部位，例如荧光体部或肋 条(rib)表面等位置、或者混合在荧光体中，只要是面向放电空间的位置，那么与不形成电 子释放材料的情形相比，都能够获得驱动电压下降的效果。就电子释放材料的配置形态而言，如果考虑在例如覆盖前面板的电极的电介质层 上形成电子释放材料的情形，则可以利用这些化合物形成膜，或者散布这些化合物的粉末， 用以取代在电介质层上通常作为保护膜而形成的MgO膜。或者也可以采用在形成MgO膜之 后进一步在其上形成这些化合物的膜、或者散布这些化合物的粉末的方法。不过，在利用这些化合物形成保护层的情况下，虽然这些化合物也是熔点高而稳 定的化合物，但与MgO相比，其溅射耐受性稍差、透明性也稍差。在散布粉末的情况下，透明 性的进一步下降有时候也会引起亮度变差的问题。因此，优选的方法是，按照现有方式使用 MgO膜作为保护层，并在其上以不会影响透射率的程度分散散布粉末。作为不会影响透射率的程度，覆盖率保持在20%以下，更优选是10%以下即可。 在使用粉末的情况下，粒子直径可以在0. Ιμπι 10 μπι左右的范围内相应于单格(cell) 尺寸等进行选择。而在分散配置的情况下，为了防止MgO膜上的粉末发生移动或落下来，优 选是3 μ m以下，更优选是1 μ m以下。采用这种结构，以现有的高熔点的MgO膜发挥保护膜功能，本发明的化合物则发 挥二次电子释放功能，因为覆盖率低，所以不会发生亮度降低，能够获得电压低而且使用寿 命长的PDP面板。(关于化合物的表征方法)在本说明书中以例如BaSnO3这样的方式记载结晶性化合物，而对于Sn来说，除了 Sn4+以外，其一部分是容易变为Sn2+的元素，这种情况下会发生氧缺陷。因而，更准确的做法 是记载为BaSnO3-δ，但这里的δ会随着制造条件等的不同而变动，不一定是固定值，因此， 为方便起见，记载为BaSn03。因而，这种表征方式并不是否定了氧缺陷的存在。对于BaSnO3 以外的化合物来说也同样如此。另外，Sn的位点可以由同为4价的Ti、&或3价的In、5价的Nb等部分置换，Ca、Sr、Ba也可以由同为2价的Mg、3价的La、l价的K等进行部分置换，只要是主要成分是从 Ca、Sr、Ba之中选择的1种以上、Sn及0，并且没有在本质上破坏本发明的化合物的特性(化 学性质稳定并且二次电子释放效率高)，就可以进行少量的这些置换。(PDP 的结构)
使用

应用了上述电子释放材料的PDP的具体实例。图1和图2是表示与本发明的一个实施方式相关的PDP100的一个实例的图，图1 是PDP 100的分解透视图，图2是该PDP100的纵剖面图(沿图1的1_1线的剖面图)。如图1和2所示，PDP100具有前面板1和背面板8。在前面板1和背面板8之间 形成有放电空间14。该PDP是AC表面放电型，保护层上配置了上述电子释放材料，除此之 外，与现有实例中的PDP结构相同。前面板1包含前面玻璃基板2;由在其内侧面(面向放电空间14的面)上形成 的透明导电膜3和汇流电极4构成的显示电极5 ；覆盖显示电极5而形成的电介质层6 ；以 及在电介质层6上形成的保护层7。上述显示电极5是在由ITO或氧化锡构成的透明导电 膜3上层叠由用于确保良好的导电性的Ag等构成的汇流电极4而形成的。背面板8包含背面玻璃基板9 ；在其一个面上形成的地址电极10 ；覆盖地址电极 10而形成的电介质层11 ；设置在电介质层11的上表面的间隔壁12 ；以及在各间隔壁12之 间形成的各色荧光体层13。各色荧光体层13中，按照红色荧光体层13(R)、绿色荧光体层 13(G)和蓝色荧光体层13(B)的顺序排列。构成上述荧光体层13的荧光体可以是例如蓝色荧光体使用BaMgAl1(1017:EU、绿色 荧光体使用Zn2SiO4:Mn、红色荧光体使用Y203:Eu。前面板1和背面板8按照使显示电极5和地址电极10各自的长轴方向彼此正交 并且彼此对置的方式配置，并使用密封构件(未图示)进行接合。放电空间14中封入了 He、Xe、Ne等稀有气体成分构成的放电气体。显示电极5和地址电极10分别与外部的驱动电路(未图示)相连接，利用由驱 动电路施加的电压在放电空间14中产生放电，利用伴随着放电而产生的短波长(波长为 147nm)紫外线激发荧光体层13发出可见光。在这种PDP100中，按照如上所述方式，使用电子释放材料形成保护层7，使电子释 放材料面向放电空间14，收到了降低驱动电压的效果。图3、4所示的PDP200是另一个实施方式。图3是PDP200的分解透视图，图4是该PDP200的纵剖面图(沿图3的1_1线的
剖面图)。该PDP200具有与PDP100相同的结构，但保护层7由MgO形成，由上述电子释放材 料构成的粒子散布在该保护层7上，形成了电子释放层20。在这种PDP200中，电子释放层20也面向放电空间14，收到了降低驱动电压的效^ ο此外，在本发明中，配置有电子释放材料的PDP并不限于表面放电型，也可以是对 置放电型。另外，并不限于具备前面板、背面板和间隔壁的PDP，也可以是在电极之间施加电 压从而在放电空间内产生放电，并利用荧光体变换为可见光而发光的PDP。例如，对于将多 个内部配置了荧光体的放电管排列起来，并在各放电管内放电而发光的PDP而言，通过在放电管内配置电子释放材料，也能够降低驱动电压。(PDP的制造方法)关于PDP的制造方法，这里，首先说明如上述PDP200那样形成MgO膜作为保护层 7，然后在其上散布电子释放材料的粉末的情形。首先制造前面板。 在该工序中，在平坦的前面玻璃基板的一个主表面上形成多个线状透明电极。接 着，在透明电极上涂敷银浆之后，对前面玻璃基板整体进行加热，由此煅烧银浆，形成显示 电极5。利用刮刀涂敷法在前面玻璃基板2的主表面上以覆盖显示电极的方式涂敷含有 电介质层用玻璃的玻璃浆。其后，使前面玻璃基板整体保持90°C达30分钟，从而使玻璃浆 干燥，接着以580°C左右的温度煅烧10分钟。利用电子束蒸镀法在电介质层6上形成氧化镁(MgO)膜，通过煅烧形成保护层7。 此时的煅烧温度在500°C左右。在乙基纤维素等载体(vehicle)中混合粉末状的电子释放材料，制备出浆状体， 利用印刷法等将该浆状体涂敷到保护层7上，使其干燥，以500°C左右的温度进行煅烧，形 成电子释放层20。接着，制造背面板。在该工序中，在平坦的背面玻璃基板的一个主表面上涂敷多条线状银浆之后，对 背面玻璃基板整体进行加热，煅烧银浆，由此形成地址电极。在相邻地址电极之间涂敷玻璃浆，对背面玻璃基板整体进行加热，煅烧玻璃浆，由 此形成间隔壁。在相邻间隔壁之间涂敷R、G、B各色荧光体墨，将背面玻璃基板加热至约500°C，煅 烧上述荧光体墨，由此除去荧光体墨中的树脂成分(粘合剂)等，形成荧光体层。接着，使用密封玻璃将由此得到的前面板和背面板粘贴起来。此时的温度在500°C
左右ο其后，将密封的内部排气成高真空状态后，封入稀有气体。按照如上所述方式制造 出 PDP。另一方面，可以如上述PDP100那样，按照与形成MgO保护层时相同的方式，适当采 用电子束蒸镀等通常的薄膜工艺，在电介质层6上形成由电子释放材料构成的保护层7。或者，将电子释放材料的粉末与载体(vehicle)或溶剂等混合，形成粉末含有率 相对较高的浆状体，利用印刷法等方法将该浆状体在电介质层6上摊薄后进行煅烧，也可 以形成由电子释放材料构成的薄膜状或者厚膜状的膜。用于将电子释放材料的粉末散布到电介质层6上形成保护层7的方法可以是制备 粉末含有率相对较低的浆状体之后采用印刷法、或者将粉末分散到溶剂中进行散布、或者 进行旋涂等。此外，以上说明的PDP的结构和制造方法只是一个实例，本发明并不限于此。实施例以下根据实施例进一步详细说明本发明。[实施例1]
在本实施例中，利用固相粉末法使CaO、SrO, BaO与SnO2发生反应，合成电子释放 材料(结晶性化合物)，并对其化学稳定性的改善效果进行了实验确认。(结晶性化合物的合成)作为原始材料，使用了试剂级别在特级以上的CaC03、SrCO3> BaCO3和Sn02。按照 各金属离子的摩尔比如表1的No. 4 11所示的方式称量出这些原料，使用球磨机(ball mill)进行湿式混合后加以干燥，得到混合粉末。将这些混合粉末放入钼坩埚，置于电炉内，在空气中以1200°C 1500°C温度煅烧 2小时。测定由此得到的粉末的平均粒径，对于粒径大的粉末，在溶剂中使用乙醇进行湿式 球磨粉碎，使所有组成都达到3 μ m左右的平均粒径。使用X射线衍射法对一部分粉碎粉末进行分析，对生成相(formation phase)进 行了鉴别。(重量增加率的测定)接着，对一部分粉碎粉末进行称量后，将其填充到没有吸湿性的多孔质单格中，将 该单格在温度为35°C、湿度为60%的空气中的恒温恒湿槽内放置12小时，然后再次测定重 量，测定出重量增加率。其后，再次放入温度为65°C、湿度为80%的空气中的恒温恒湿槽内 放置12小时，然后再次测定重量，计算出重量增加率(累计值)。该重量增加率越低，意味着化合物的化学稳定性越好。在恒温恒湿槽处理后，针对一部分样品也进行了 X射线衍射测定。另夕卜，为了进行比较，使用MgO粉末作为样品No. 0、SnO2粉末作为样品No. 12号， 测定同样的重量增加率。进而，使用A1203、SiO2, GeO2, TiO2, ZrO2, CeO2, V2O5作为除SnO2以 外的金属氧化物，利用与上述实施例相同的方法，使它们与SrCO3或BaCO3S生反应，合成 No. 13 21的化合物，并对它们也实施了同样的评估。此外，本发明人等研究的比较例的组成比这里所列举的种类多得多，这里以稳定 性相对较高并实施了后文叙述的X-ray PhotoelectronSpectroscopy (XPS =X射线光电子 能谱)测定或面板化的组成为中心，示出了其一部分。[表1]
权利要求
一种等离子体显示面板，在电极之间施加电压从而在放电空间内引起放电，并利用荧光体变换为可见光而发光，其中在面向所述放电空间的区域配置了电子释放材料，该电子释放材料由以从Ca、Sr、Ba之中选择的一种以上元素、Sn及O为主要成分的化合物构成。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述化合物是包含特定比例的如下元素的结晶性氧化物，该元素为从Ca、Sr、Ba之中 选择的一种以上元素和Sn。
3.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中所述结晶性氧化物由从CaSn03、SrSn03> BaSnO3之中选择的一种以上物质构成。
4.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中所述结晶性氧化物由从CaSn03、SrSn03、BaSn03之中选择的两种以上物质相互固熔而成 的固熔体构成。
5.如权利要求3或4所述的等离子体显示面板，其中所述结晶性氧化物中Ca、Sr、Ba的合计原子数与Sn原子数之比小于等于0. 995。
6.如权利要求3或4所述的等离子体显示面板，其中 所述电子释放材料中混合了所述结晶性氧化物和Sn02。
7.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中在所述结晶性氧化物中，从Ca、Sr、Ba之中选择的一种以上元素被3价金属元素部分置换。
8.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中在所述结晶性氧化物中，Sn被3价金属元素或5价金属元素部分置换。
9.如权利要求8所述的等离子体显示面板，其中 在所述结晶性氧化物中，Sn被In部分置换。
10.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中所述结晶性氧化物由Sr3Sn207、Ba3Sn2O7、或这些物质相互的固熔体构成。
11.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中所述结晶性氧化物由Ca2SnCV Sr2SnO4, Ba2SnO4、或者从其中选择的两种以上物质相互 固熔而成的固熔体构成。
12.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中 在所述等离子体显示面板中，第一面板和第二面板对置配置，该第一面板在第一基板上形成有第一电极和覆盖该第 一电极的第一电介质层而成，该第二面板在第二基板上形成有第二电极和覆盖着该第二电 极的第二电介质层及荧光体层而成，在所述第一面板和所述第二面板之间形成有所述放电空间。
13.如权利要求12所述的等离子体显示面板，其中 所述化合物以从粒子和膜之中选择的至少1种形态配置。
14.如权利要求12所述的等离子体显示面板，其中所述化合物配置在从所述第一面板和所述第二面板之中选择的至少1个面板上。
15.如权利要求12所述的等离子体显示面板，其中在所述第一电介体上形成有保护层。
16.如权利要求15所述的等离子体显示面板，其中 所述保护层的主要成分由MgO构成。
17.如权利要求15所述的等离子体显示面板，其中 所述化合物配置在所述保护层上。
18.如权利要求17所述的等离子体显示面板，其中 所述化合物以粒子状态分散配置在所述保护层上。
19.如权利要求18所述的等离子体显示面板，其中所述保护层上以粒子状态分散配置的所述化合物覆盖所述保护层的覆盖率为以上 20%以下。
20.如权利要求15所述的等离子体显示面板，其中 所述化合物被包含在所述保护层内。
21.如权利要求12所述的等离子体显示面板，其中 所述化合物以粒子状态混合在所述荧光体层中。
22.如权利要求21所述的等离子体显示面板，所述化合物相对于所述荧光体的混合比例为1重量％以上10重量％以下。
全文摘要
本发明的目的是通过提供适宜于提高PDP的二次电子释放系数的材料，来实现PDP的高效化。为此，在PDP200中，利用MgO形成保护层(7)，在保护层(7)上散布由结晶性化合物构成的电子释放粒子，形成电子释放层(20)。结晶性化合物是由CaSnO3、SrSnO3、BaSnO3、或其中的2种以上物质相互固熔而成的固熔体(Ca，Sr)SnO3、(Sr，Ba)SnO3等。
文档编号H01J17/16GK101960551SQ20088012749
公开日2011年1月26日 申请日期2008年12月25日 优先权日2007年12月26日
发明者三浦正范, 井上修, 吉野恭平, 奥井弥生, 奥山浩二郎, 森田幸弘, 浅野洋, 白石诚吾 申请人:松下电器产业株式会社