等离子体显示面板及其制造方法

专利名称：等离子体显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种用于显示器件等的等离子体显示面板及其制造方法。
背景技术：
由于等离子体显示面板(以下，称为“PDP”)可实现高精细化、大画面化，因而100 英寸级的电视等已经产品化。近年来，PDP正进入扫描线数比现有的NTSC方式高两倍以上 的高清晰度电视的应用。PDP基本上由前面板和背面板构成。前面板包括利用浮法制作的硼硅酸钠系玻 璃的玻璃基板；由形成于其一主面上的条纹状的透明电极和总线电极构成的显示电极；覆 盖该显示电极并起到电容器的作用的电介质层；由形成于该电介质层上的氧化镁(MgO)构 成的保护层。另一方面，背面板包括玻璃基板；形成于其一主面上的条纹状的地址电极；覆盖 地址电极的基底电介质层；形成于基底电介质层上的隔壁；形成于各隔壁间的分别发出红 色、绿色及蓝色光的荧光体层。前面板和背面板使其电极形成面侧对置并气密密封，在被隔壁隔开的放电空间用 55kPa 80kPa的压力封入氖(Ne)-氙(Xe)的放电气体。PDP通过对显示电极有选择地施 加图像信号电压使其放电，通过该放电而产生的紫外线激发各色荧光体层发出红色、绿色、 蓝色的光而实现彩色图像显示。在这种等离子体显示装置中，公示了下述的实例，S卩将以玻璃为主材料的面板保 持于铝等金属制底板部件的前面侧，将构成用于使面板发光的驱动电路的电路基板配置于 该底板部件的背面侧，由此构成模块(例如，参照专利文献1)。但是，由于在PDP等等离子体显示中既要求大画面又要求薄型 轻量化，因而在现 有技术中存在的课题是，用作基板的玻璃基板的强度不足，在产品化后的强度试验等中产 生面板裂纹等。专利文献1 (日本)特开2003-131580号公报。

发明内容
本发明的PDP为在前面玻璃基板上设置了多对显示电极和电介质层的PDP，其特 征在于，前面玻璃基板的设置了电介质层的面的相反侧的面的应力为0. SMPa 2. 4MPa的 范围的压缩应力。另外，本发明的PDP的制造方法为，在所述PDP中，至少形成有显示电极和电介质 层的前面玻璃基板与背面玻璃基板对置配置，其特征在于，在显示电极的形成工序、电介质 层的形成工序及将前面玻璃基板和背面玻璃基板对置配置的工序中的任一工序中，以比前 面玻璃基板的应变点温度低100°c以上的热处理温度对前面玻璃基板进行处理。根据本发明，可提供一种确保玻璃基板的强度，且面板不易产生裂纹的PDP。


图1是表示本发明实施方式的PDP的构造的立体图；图2是表示该PDP的前面板的结构的剖面图；图3是表示玻璃基板的截面所产生的应力的说明图。符号说明1 PDP
2 前面板
3 前面玻璃基板
4 扫描电极
4a、5a:透明电极
4b,5b 金属总线_
5 维持电极
6 显示电极
7 黑条(遮光层)
8 电介质层
9 保护层
10背面板
11背面玻璃基板
12地址电极
13基底电介质层
14隔壁
15荧光体层
16放电空间
20压缩应力层
21压缩应力
30拉伸应力层
31拉伸引力
具体实施例方式以下，参照

本发明实施方式的PDP。实施方式图1是表示本发明实施方式的PDP的构造的立体图。PDP的基本构造与通常的交 流面放电型PDP—样。如图1所示，PDP1将由前面玻璃基板3等构成的前面板2和由背 面玻璃基板11等构成的背面板10对置配置，用玻璃料等构成的密封材料将其外周部进行 气密密封。在密封的PDP1内部的放电空间16，以55kPa 80kPa的压力封入氖(Ne)及氙 (Xe)等放电气体。在前面板2的前面玻璃基板3上，相互平行地分别配置多列由扫描电极4及维持 电极5构成的一对的带状的显示电极6和黑条(遮光层)7。在前面玻璃基板3上，以覆盖 显示电极6和遮光层7的方式形成作为电容器发挥作用的电介质层8，并在其表面形成由氧化镁(MgO)等构成的保护层9。
另外，在背面板10的背面玻璃基板11上，沿着与前面板2的扫描电极4及维持电 极5正交的方向相互平行地配置多个带状的地址电极12，基底电介质层13对其进行覆盖。 此外，在地址电极12间的基底电介质层13上形成将放电空间16隔开的、规定高度的隔壁 14。在隔壁14间的槽内每个地址电极12上，依次涂敷并形成被紫外线激发分别发出红色、 蓝色及绿色光的荧光体层15。在扫描电极4及维持电极5和地址电极12相交叉的位置形 成放电单元，与显示电极6方向并列的具有红色、蓝色及绿色的荧光体层15的放电单元成 为用于彩色显示的像素。图2是本发明实施方式的PDP前面板2的剖面图。图2所表示的与图1上下颠倒。 如图2所示，在利用浮法制造的前面玻璃基板3上，图案形成由扫描电极4和维持电极5构 成的显示电极6和黑条7。扫描电极4和维持电极5由分别由铟锡氧化物(ITO)及氧化锡 (SnO2)等构成的透明电极4a、5a和形成于透明电极4a、5a上的金属总线电极4b、5b构成。 金属总线电极4b、5b的目的是用于对透明电极4a、5a的长度方向赋予导电性，由以银(Ag) 材料为主成分的导电性材料形成。电介质层8以覆盖形成于前面玻璃基板3上的这些透明电极4a、5a和金属总线电 极4b、5b及黑条7的方式设置。而且，在电介质层8上形成有保护层9。以下，对PDP玻璃基板的基板强度进行说明。如上所述，PDP在进入大画面·高精细化的同时，还要求轻量化·薄型化。因此， 为了将作为产品的PDP的强度维持在现有程度，要求进一步提高前面玻璃基板3、背面玻璃 基板11的强度。另外，在PDP的产品出厂时的包装中，通常，缓冲材料只设置在PDP周边部，在作为 图象显示部的位置不予设置。因此，在输送产品时，当前面玻璃基板3侧朝下坠落而受到冲 击的情况下，包括产品整体自重的力施加到前面玻璃基板3上，前面玻璃基板3凸状弯曲而 产生面板裂纹。另一方面，当显示面的相反侧的背面玻璃基板11侧朝下坠落的情况下，在作为下 面的背面玻璃基板11上粘贴有驱动电路基板等所搭载的兼用作散热的加强板，从而减小 背面玻璃基板11破裂的面板裂纹的概率。另外，在该情况下，前面玻璃基板3成凹状，较之 变形为凸状的情况不易产生面板裂纹。即，对于坠落等冲击，前面玻璃基板3的图像显示面 侧的状态对面板裂纹有很大的影响。但是，PDP的玻璃基板通常利用浮法形成。在浮法中，将调制好的玻璃原材料在溶 解槽中在1600°C左右使其熔化并脱泡，之后，通过使锡在熔化的浮槽上浮动延伸，成型为具 有所要求的宽度、厚度的平坦的板状。其后，对成型为板状的玻璃从约600°C左右快速冷却 至约200°C左右。因此，在玻璃基板的最表面残留有变形及应力。图3是示意地表示利用浮法形成的玻璃基板上产生的应力的图，用玻璃基板的截 面进行表示。如图3所示，对于玻璃基板，在其截面方向上，在表面作为残余应力形成有压 缩应力21生成的压缩应力层20，另外，在内部作为残余应力形成有拉伸应力31生成的拉伸 应力层30。但是，这些压缩应力层20和拉伸应力层30以均衡的状态存在，玻璃基板的形状 维持平板。与此相对，如上所述，在以前面玻璃基板3侧为下面进行输送时的冲击等情况下，作用有使图像显示面弯曲成凸状的外力。从而，由于利用浮法形成的玻璃基板为在基板最 表面残留压缩应力的状态，所以，相对这种冲击的外力，利用浮法形成的玻璃基板比较强。但是，本发明人等发现，这种玻璃基板的强度因经过的PDP的制造工序不同而发 生变化。具体而言，在显示电极形成后、电介质层形成后、保护层形成后、密封排气后的各工 序后，对前面玻璃基板3的残余应力进行了测定，结果，通过经过各个工序，应力明显降低。这是由于显示电极及电介质层的烧成工序，尤其是密封 排气工序等热工艺过程 影响的缘故。即，在这些热工艺过程中，玻璃基板的温度升温到400°C 550°C，其后，降温 至室温程度。可认为是在其降温时，由于玻璃基板整体慢慢地退火，因而使产生于玻璃基板 的残留压缩应力得以缓和。而且可以认为，玻璃基板的温度通过反复进行升温 降温，而使 残留的压缩应力进一步降低。另外，除该压缩应力的降低之外，在PDP1的生产工序中，由于与烧成工序所使用 的定位器的接触及各工序间的输送辊的接触等而易于使玻璃基板表面产生伤痕(微观裂 纹)。由于该伤痕的产生，将进一步降低玻璃基板的强度。作为这种结果，在利用现有技术制造的PDP1的前面玻璃基板3上，产生残留的压 缩应力的降低，因输送时的冲击等导致的图像显示面成凸状的弯曲更容易产生，从而容易 产生面板裂纹。就这些结果而言，根据产品包装坠落试验进行的强度试验等的结果也可确 认具有同样的倾向。与此相对，在本发明的实施方式中，使残留于前面玻璃基板3的表面的残余应力 在某一定范围存在，实现了受到冲击时不易产生面板裂纹的PDP1。另外，本发明人等发现，对应该冲击的必要的残余应力值因基板的厚度及玻璃组 成不同而大不相同。特别是在使用由不含铅的成分构成的玻璃基板的情况下，即使与现有 技术一样的残余应力，坠落试验强度也明显降低，难以维持像现有技术那样的基板强度，难 以确保工厂生产率。基于这种结果，在本发明的实施方式中，根据PDP1的前面玻璃基板3 的种类，将基板的残余应力设定为下述的范围。将前面玻璃基板3的与设置有电介质层8的面相反侧的面的应力设定为 0. 8MPa 2. 4MPa的范围。特别是在前面玻璃基板的厚度为2. 8mm士0. 5mm的情况下，优选将 其压缩应力设定为1. 3MPa 2. 4MPa的范围。另外，在前面玻璃基板的厚度为1. 8mm士0. 5mm 的情况下，优选将其压缩应力设定为0. 8MPa 1. 7MPa的范围。另一方面，对于利用上述的浮法形成的、不经过PDP制造工序的初始状态的玻璃 基板，当基板的厚度为2. 8mm士0. 5mm时，具有1. 3MPa 2. 4MPa的残余应力，当基板的厚度 为1.8謹士0. 5mm时，具有0. 8MPa 1.7MPa的残余应力。因此，根据本发明人等的研究，通过维持这些在初始状态下的残余应力，即使在产 品包装坠落试验等中，也可得到没有面板裂纹等的良好的结果。因此，可制造对于输送时的 冲击不易产生面板裂纹的PDP，从而可维持基板强度并确保生产率。另外，在本发明的实施方式中，通过测定偏向透射光的相位角来进行玻璃基板的 残余应力的测定。作为测定装置使用了偏振计(日本神港精机株式会社制造，SP-II型)。 在该应力测定装置中，由于原理上具有在压缩应力和拉伸应力下，可看到偏向透射光的颜 色不同的特性，因而可判断是压缩应力还是拉伸应力。另外，残余应力的测定部位是对前面玻璃基板3的图像显示面即没有形成电介质层等的一侧的面进行测定。这是因为考虑到，在上述的产品包装的坠落时的冲击等所引起 的面板裂纹以图像显示面侧为起点。另外，可得到在该部位的测定值与下述的产品包装坠 落试验结果的明确的关系。以下，说明本发明实施方式的PDP的制造方法。 如上所述，在现有技术中，通过形成PDPl的各部位时的烧成工序及干燥工序等热 工艺，在玻璃基板上产生的应力发生变化。因此，在本发明的实施方式中，由于将玻璃基板 上残留的应力设定为一定范围，因此PDP的各构成要素的形成利用比现有技术的制造方法 低温的热工艺进行。本发明人等研究的结果发现，为了将玻璃基板上的残余应力设定为上述范围，必 须在低于玻璃基板的应变点温度100°C以上的温度范围制造PDP1。即，在前面玻璃基板3 承受超过该温度的热工艺的情况下，残留于初始状态的玻璃基板的压缩应力得到缓和，而 脱离上述的残余应力范围。其结果是，因输送时的冲击等而容易产生面板裂纹。在本发明的实施方式中，作为前面玻璃基板3使用了旭硝子株式会社制PD200及 碱石灰玻璃AS。在PD200中，由于应变点为约570°C，因而通过将前面玻璃基板3的表面的 温度设定为470°C以下的温度范围的热工艺来制造PDP1。另一方面，在碱石灰玻璃AS中， 由于应变点为约510°C，因而通过将前面玻璃基板3的表面的温度设为410°C以下的温度范 围的热工艺来制造PDP1。由此，可在前面玻璃基板3的表面保持利用浮法制造玻璃基板的 初始状态的残余应力那样制造PDPl。以下，详细说明本发明实施方式的PDP的制造方法。在此，所记载的方法是，作为 前面玻璃基板3使用上述碱石灰玻璃AS，通过将前面玻璃基板3的温度设定为410°C以下 的温度范围的热工艺来制造PDP1。另外，通过使用PD200作为前面玻璃基板3，将前面玻璃 基板3的温度设定为470°C以下的温度范围的制造方法，也可得到本发明的效果。另外，在本发明的实施方式中，在测定前面玻璃基板3的温度时，考虑到是在高温 下进行测定而使用与玻璃基板表面接触的k型热电偶。该情况的测定误差为士5°C左右。首先，在初始状态的前面玻璃基板3上形成扫描电极4及维持电极5和遮光层7。 透明电极4a、5a用溅射法等薄膜工艺形成，通过光刻法等图案成形为所期望的形状。在此，详细说明金属总线电极4b、5b的形成方法。在现有技术中，通常为如下方 法，即利用网板印刷法等涂敷含有感光性成分、玻璃成分及导电性成分等的膏剂，利用光 刻法等进行图案形成后，为了使以保持形状为目的而含有的玻璃成分玻璃化，在560°C 600°C下进行烧成。但是，这种方法如上所述，由于残留于玻璃基板的压缩应力减小而得不 到本发明的效果。因此，在本发明的实施方式中，为了将上述的烧成中的烧成温度设定为比玻璃基 板的应变点温度低100°c的温度以下，而使用以下的制造方法。S卩，使用微细配线用金属膏剂作为形成金属总线电极4b、5b的材料。该膏剂为在 室温下通过分散剂使数纳米尺寸的银(Ag)粒子(以下，称为“纳米银粒子”)分散而成的膏 剂(以下称为纳米Ag膏剂)。该纳米Ag膏剂可以通过加热去除分散剂，同时利用粒子效应 对金属纳米粒子进行烧成而形成具有导电性的膜。 在本发明的实施方式中，作为纳米Ag膏剂使用了播磨化成(harima)株式会社制 造的膏剂NPS或者NPS-HTB。将这些纳米Ag膏剂使用预先图案形成的格网，通过网板印刷法在基板上进行图案涂敷。而且，在使用膏剂NPS的情况下，作为干燥烧成工序进行60分 钟210°C 230°C的热处理。而在使用膏剂NPS-HTB的情况下，在200°C 240°C下施行10 分钟的干燥工序之后，在300°C 350°C下施行30分钟 60分钟的烧成工序而形成。另外，除使用上述的纳米Ag膏剂之外，也可以通过溅射法等的真空薄膜形成工序 形成金属单层膜或者铬/铜/铬、铬/铝/铬等金属多层膜。但是，在该情况下，必须将玻 璃基板的温度设定为410°C以下。而且，在形成这种薄膜后，形成地址电极层并利用光刻法 形成图案。通过使用以上的使用纳米Ag膏剂的方法或者使用真空薄膜形成的方法中的任一 种，只要形成金属总线电极4b、5b就可将残留于前面玻璃基板3的压缩应力维持在制造玻 璃基板的初始状态的值。另外，遮光层7也同样，通过使用对含有黑色颜料的膏剂进行网板印刷的方法及 在玻璃基板的整个面上形成黑色颜料之后，使用光刻法进行图案形成、并进行烧成而形成。 该情况也需要将前面玻璃基板3的温度设定为410°C以下。以下，对电介质层8进行说明。对于电介质层8，首先以覆盖扫描电极4、维持电极 5及遮光层7的方式，通过网板印刷法、模涂法等在前面玻璃基板3上涂敷电介质膏剂而形 成电介质膏剂层。其后，通过放置规定的时间，使涂敷的电介质膏剂层表面均化而成为平坦 的表面。在现有技术中，电介质膏剂为含有玻璃粉末等电介质层材料、粘接剂及溶剂的涂 料。而且，在上述工序之后，为了使该玻璃粉末玻璃化而以电介质层材料的应变点温度附近 即550°C 600°C进行烧成。但是，由于利用该技术而使残留于玻璃基板的压缩应力变小， 因而得不到本发明的效果。与此相对，在本实施方式中，使用的是在由具有硅氧烷键的低聚物构成的树脂粘 接剂和甲基乙基酮或者异丙醇等溶剂的混合液中分散50重量％ 60重量％左右的硅石粒 子并进行调节而成的膏剂。在此，作为树脂粘接剂使用了 JSR株式会社的古拉斯卡(” ^力)，作为硅石粒子使用了日产化学工业株式会社的IPA-ST。将该膏剂以覆盖扫描电极1、维持电极5及遮光层7的方式通过模涂法涂覆于前面 玻璃基板3上，在100°C下进行60分钟干燥之后，在250°C 350°C下进行10分钟 30分 钟烧成。在本发明的实施方式中，将烧成后的电介质层8的厚度设定为12 y m 15 y m左
右o另外，在本发明的实施方式中，可利用溶胶-凝胶法进行电介质层8的形成。所谓 “溶胶-凝胶”法，是指将金属醇盐等的粒子分散成胶质状的溶胶，通过加水分解 聚合反应 做成失去流动性的凝胶，对其加热而形成电介质层8的方法。在此，实质上为了做成不含有 铅成分的电介质层8，作为原料由四乙氧基硅烷(TE0S)形成氧化硅(Si02)膜。另外，除上述的溶胶_凝胶法之外，也可以通过等离子体CVD法等以四乙氧基硅烷 (TE0S)为原料形成氧化硅(Si02)膜。该情况也需要将前面玻璃基板3的温度设定为410°C 以下。以下，说明保护层9的形成方法。作为形成保护层9的方法，有网板印刷法、溅射 法、电子束蒸镀法、离子电镀法、使用有机金属原料的热CVD法(化学汽相沉积法)等。现 在最广泛采用的电子束蒸镀法为对以作为蒸镀源的镁(Mg)为主成分的金属氧化物的粒料照射电子束，使其加热蒸发，在氧环境中形成以镁(Mg)为主成分的金属氧化物即氧化镁 (MgO)膜。在本发明的实施方式中，利用电子束蒸镀法形成保护层9，而此时，要将玻璃基板 的基板温度设定为270°C 350°C。另外，基板温度通过氧化镁(MgO)的膜成长、氧环境等 适宜调节，使前面玻璃基板3的温度为410°C以下。利用这种方法，并通过形成保护层9来 维持残留于玻璃基板的应力。另外，保护层9的主成分即氧化镁(MgO)对水分、碳酸氢系、碳酸系等杂质气体的 吸附性较强。因此，在形成保护层9之后，有时施行用于使这些杂质气体脱离保护层9的烧 成工序。但是，该烧成工序也需要在将前面玻璃基板3的温度设定为410°C以下的温度范围 下进行。通过如上所述的工序，在前面玻璃基板3上形成作为规定的构成物的扫描电极4、 维持电极5、遮光层7、电介质层8及保护层9，可完成将前面玻璃基板3的残余应力保持在 初始状态的前面板2。另一方面，以下述的方式形成背面板10。首先，在背面玻璃基板11上，通过对含有 银(Ag)材料的膏剂进行网板印刷的方法、及在整个面形成金属膜之后使用光刻法进行图 案形成的方法，来形成作为地址电极12用的构成物的材料层，通过用所要求的温度对其进 行烧成而形成地址电极12。然后，在形成有地址电极12的背面玻璃基板11上，利用模涂法等以覆盖地址电极 12的方式涂敷电介质膏剂形成电介质膏剂层。其后，通过对电介质膏剂层进行烧成形成基 底电介质层13。另外，电介质膏剂为含有玻璃粉末等电介质材料和粘接剂及溶剂的涂料。然后，在基底电介质层13上涂敷含有隔壁材料的隔壁形成用膏剂并按照规定的 形状进行图案形成，由此，形成隔壁材料层，之后，通过进行烧成而形成隔壁14。在此，作为 对涂覆于基底电介质层13上的隔壁形成用膏剂进行图案形成的方法，可使用光刻法及喷 砂法。其后，在相邻的隔壁14间的基底电介质层13上及隔壁14的侧面涂敷含有荧光体材 料的荧光体膏剂，通过烧成形成荧光体层15。通过以上的工序，完成在背面玻璃基板11上 具有规定的构成部件的背面板10。这样，以使扫描电极4和地址电极12正交的方式对置配置具备规定的构成部件的 前面板2和背面板10，将其周围密封，将大气从放电空间16内排出后，封入含有氖(Ne)、氙 (Xe)等放电气体，由此完成PDP1。该密封和排气的工序以下述的方式进行。在密封之前，在前面板2或背面板10的 周围的规定位置涂敷密封材料，使密封材料进行一定时间干燥。其后，以使前面板2的显示 电极6和背面板10的地址电极12相交叉的方式对置配置前面板2和背面板10，并利用固 定卡具等进行固定。在现有技术中，作为密封材料，使用将低熔点的结晶化玻璃料和规定的填料混合 并使用有机溶剂进行了混炼而成的膏状的密封材料等。而且在460°C 550°C左右进行烧 成使密封材料固化。但是，由于利用该技术使残留于玻璃基板的压缩应力减少，因而得不到 本发明的效果。与此相对，在本发明的实施方式中，作为密封材料使用了 UV固化型的材料。由此， 可实现现有技术中未进行的在低温下的密封 排气工序，从而可维持残留于玻璃基板的应 力。具体而言，将JSR株式会社制造的UV固化型密封剂TU7113用作密封材料。将其调制成膏状，使用具备分配器的涂敷装置等涂敷密封材料。其后，以压接密封材料的方式对前面板2和背面板10进行临时固定，对该密封材料部分进行UV照射，通过用150°C进行30分钟升温使密封材料固化。由此完成了密封工序。然后，排出PDPl内的气体。为了促使PDPl内物理性吸附的气体脱离，在200°C左 右升温维持60分钟左右。其后，用规定的压力(例如，在使用Ne-Xe混合气体的情况下，用 约530hPa SOOhPa的压力)将含有氖(Ne)及氙(Xe)等的放电气体封入放电空间16。最 后，对排气管等部分进行气密密封完成排气工序。如上所述，在本发明的实施方式中，在制造PDPl的过程中，表面电极6的形成工 序、电介质层8的形成工序、以及对置配置形成前面板2和背面板10的工序中的任一工序， 至少在构成前面板2的前面玻璃基板3的温度比前面玻璃基板3的应变点温度低100°C以 上的温度下进行。另外，此时，根据玻璃基板的种类，也可以是470°C以下的温度，也可以是 410°C以下。其结果是，可以将在前面板2的前面玻璃基板3的未设有电介质层8的一侧的面 即显示侧的面的残余应力设定为制造玻璃基板的初始状态的残余应力即0. SMPa 2. 4MPa 范围。此外，当前面玻璃基板3的厚度为2. 8mm士0.5mm时，优选其残余应力为1. 3MPa 2. 4MPa范围，当前面玻璃基板3的厚度为1. 8mm士0. 5mm时，优选其残余应力为0. 8MPa 1. 7MPa的范围。由此，可维持残留于玻璃基板的压缩应力，且可以得到在输送时的冲击等外力作 用下也不会产生面板裂纹等的高强度的PDPl。实施例以下，对本发明实施方式的PDP的作用效果进行说明。为了确认本发明实施方式 的效果而进行了坠落强度试验。具体而言，制作画面尺寸为对角长42英寸的PDP样品，进 行与产品出厂时一样的包装，以图像显示面为下面从50cm高度坠落，确认用包装材料包装 的内部的PDP样品有无裂纹。进行了试验的PDP样品数如此，S卩，利用现有技术的制造方法 制造的PDP样品、利用本发明实施方式制造的PDP样品各100台。另外，该实施例的PDP样 品中，作为前面玻璃基板3，全部使用了厚度为1. 8mm士0. 5mm的玻璃基板。上述坠落强度试验的结果是，利用现有技术的制造方法制造的PDP样品，100台中 有6台前面玻璃基板3产生裂纹。而利用本发明实施方式制造的PDP样品，在100台中，前 面玻璃基板3都没有产生裂纹。另外，对采用现有技术的PDP样品和采用本发明实施方式的PDP样品各10台，测 定了前面玻璃基板3的残余应力。其结果是，使用现有技术的制造方法的前面玻璃基板3 的残余应力超出0. SMPa 1. 7MPa的合适范围且几乎不产生应力。与此相对，使用本发明 实施方式的制造方法的前面玻璃基板3的残余应力为上述的范围。这可以看作是，在本发明实施方式的PDP制造方法中，由于是在比前面玻璃基板3 的玻璃基板的应变点温度低100°c的温度以下制造PDP1，因而，维持初期产生于前面玻璃 基板3的残余应力几乎不减少，由此，PDPl具有强度。另外，根据本发明，与现有技术相比较，由于是在低温下的热工艺，具有抑制在烧 成炉等中以玻璃基板面内的温度梯度为起因而产生的基板的热裂纹等的产生的效果。
另外，在上述的本发明实施方式中，记载了各个热工艺的设定温度及其处理时间 例，但是并不限于该设定，通过在比前面玻璃基板3的应变点温度低100°C的温度以下制造 PDP，可将玻璃基板的残余应力维持在初始状态的残余应力，可以达到本发明的效果。产业上应用的可行性如上所述，本发明可提供一种具有充分的玻璃基板强度，且很少产生面板裂纹的 PDP，在大画面的显示器件等方面有用。
权利要求
一种等离子体显示面板，在前面玻璃基板上设有多对显示电极和电介质层，其特征在于，所述前面玻璃基板的与设有所述电介质层的面相反侧的面的应力为0.8MPa～2.4MPa范围的压缩应力。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述前面玻璃基板的厚度为2. 8mm士0. 5mm，所述压缩应力为1. 3MPa 2. 4MPa的范围。
3.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述前面玻璃基板的厚度为1. 8mm士0. 5mm，所述压缩应力为0. 8MPa 1. 7MPa的范围。
4. 一种等离子体显示面板的制造方法，在该等离子体显示面板中，至少形成有显示电 极和电介质层的前面玻璃基板与背面玻璃基板对置配置，其特征在于，在所述显示电极的形成工序、所述电介质层的形成工序及将所述前面玻璃基板和所 述背面玻璃基板对置配置的工序中的任一工序中，以比所述前面玻璃基板的应变点温度低 IOO0C以上的热处理温度对所述前面玻璃基板进行处理。
5.根据权利要求4所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于， 所述热处理温度为470°C以下。
6.根据权利要求4所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于， 所述热处理温度为410°C以下。
全文摘要
本发明提供一种用于显示器件等的等离子体显示面板及其制造方法，该等离子体显示面板(1)在前面玻璃基板(3)上设有多对显示电极(6)和电介质层(8)，将前面玻璃基板(3)的没有设置电介质层(8)一侧的面的应力设为0.8MPa～2.4MPa范围的压缩应力，使玻璃基板具有充分的强度，从而实现很少产生面板裂纹的等离子体显示面板(1)。
文档编号H01J11/22GK101802960SQ200980100470
公开日2010年8月11日 申请日期2009年3月17日 优先权日2008年3月18日
发明者秋山浩二, 西中胜喜, 青砥宏治 申请人:松下电器产业株式会社