专利名称：等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体显示面板(PDP)。
背景技术：
PDP为在放电单元内利用气体放电产生的真空紫外(VUV)射线激发磷光体层来显 示图像的显示器装置。因为PDP可被制成具有宽屏和高分辨率，所以它们作为下一代平板 显示器已引起人们关注。PDP具有普通的三电极表面放电结构。三电极表面放电结构包括前基板和后基板， 其中前基板包括具有两个电极的显示电极，后基板与该前基板隔开一段距离布置并具有寻 址电极。显示电极覆盖有介电层。前基板和后基板之间的空间被障壁分隔为多个其中注入 了放电气体的放电单元。磷光体层形成在后基板上。此外，保护层位于其上以在放电期间保护介电层免受离子撞击。
发明内容
根据本发明的一个实施方式，等离子体显示面板(PDP)具有改进的放电特性以及
高亮度和高效率。根据本发明的另一个实施方式，PDP包括彼此面对的第一基板和第二基板、在所 述第一基板表面上的多个寻址电极、在所述第一基板上覆盖所述寻址电极的第一介电层、 布置在所述第一基板和所述第二基板之间的空间内并分隔多个放电单元的障壁、在所述放 电单元内的磷光体层、以与所述寻址电极的方向基本垂直的方向布置在面对所述第一基板 的所述第二基板表面上的多个显示电极、在所述第二基板上覆盖所述显示电极的第二介电 层、以及覆盖所述第二介电层的保护层。氧化锶(SrO)颗粒布置在所述保护层上。所述SrO颗粒可包括至少5wt%的氧化锶。所述颗粒可进一步包括选自氧化镁 (MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锌(ZnO)和氧化铝(Al2O3)中的另一种氧化物。所述颗粒也可进一步包括选自氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化 镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锌(ZnO)和氧化硼(B2O4)中的至少一种氧化物；或氟。所述颗粒可以具有约50nm 约IOym的平均粒径。所述保护层可进一步包括在所述颗粒上的涂层。所述涂层可包括氧化物。所述 氧化物可包括选自氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙 (CaO)、氧化锌(ZnO)和氧化硼(B2O4)中的至少一种氧化物。所述涂层可包括氟。所述涂层可具有约5nm 约300nm的厚度。所述保护层可进一步包括布置在多个颗粒下的薄膜，且所述薄膜可包括氧化镁 (MgO)。PDP可进一步包括填充在所述放电单元内的放电气体，且所述放电气体可包括氙 (Xe)。氙可以以至少10%的分压比包含于其中。
图1为根据本发明一个实施方式的PDP分解透视图。图2为图1中所示PDP的第二显示面板的局部放大截面图。图3为根据本发明另一个实施方式的颗粒的示意性透视图。图4为表示颗粒晶体生长方向的X射线衍射(XRD)结果图。图5为根据本发明一个实施方式的PDP的效率与电压关系图。
具体实施例方式现将参照附图描述本发明的示例性实施方式。然而，这些实施方式仅是示例性，且 本发明不限于此。在附图中，为了清楚而将层、膜、面板、区域等厚度放大。相同的附图标记在全文中 表示相同元件。应理解的是，当诸如层、膜、区域或基板等元件称为在另一元件“上”时，此元 件可直接在另一元件上，或者在插入的元件上。相反，当元件称为“直接”在另一元件“上” 时，则不存在插入的元件。图1和图2说明了根据本发明一个实施方式的等离子体显示面板(PDP)。图1为 根据本发明一个实施方式的PDP分解透视图，图2为图1中所示PDP的第二显示面板的局 部放大截面图。参照图1，本发明的等离子体显示面板(PDP)包括第一显示面板(或第一基 板)20和第二显示面板(或第二基板)30，二者彼此平行布置且彼此隔开一段距离。在第一基板1上，多个寻址电极3沿第一方向(图中的Y方向)布置，且第一介电 层5覆盖寻址电极3。第一介电层5在防止放电期间阳离子或电子直接碰撞寻址电极3并 防止损坏寻址电极3时会积聚壁电荷。在第一介电层5上，多个障壁7布置在寻址电极3之间。图示的障壁7具有分隔 放电空间的高度和条状。然而，只要障壁7分隔放电空间，它们就可采用任何形状或尺寸， 且可具有闭合形状(如华夫饼形状、矩阵形状或三角形状)以及开口形状(如条状)。于是，多个放电单元在各障壁7之间形成，其中形成基色磷光体层9 (如红色、绿色 和蓝色)。磷光体层9吸收真空紫外线(VUV)辐射并发出可见光。放电单元充有放电气体， 如氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)、氙气(Xe)和它们的混合物，使得气体放电并发出真空紫 外线(VUV)辐射。下文中，将描述面对第一显示面板(或第一基板)20的第二显示面板(或第二基 板)30。首先，多个显示电极13以与寻址电极3的第一方向基本垂直的第二方向(图中的 X轴方向)布置在面对第一基板1的第二基板11的侧面上。每个显示电极13包括透明电 极13a和汇流电极13b。透明电极13a和汇流电极13b重叠。透明电极13a引起放电单元内的表面放电，且可通过使用诸如ITO或IZO等透明 导体来制备，以确保放电单元的孔径比。因为汇流电极13b对透明电极13a提供电压信号， 且由低电阻金属形成，所以可防止电阻降低。第二介电层15覆盖显示电极13。第二介电层15保护显示电极13免受气体放电 损坏，且在放电期间积聚壁电荷。保护层17布置在第二介电层15上。参照图2，保护层17包括保护薄膜18和位于 此保护薄膜18上的多个颗粒19，保护层17覆盖第二介电层15的表面(在一些实施方式中，覆盖第二介电层15的整个表面)。保护薄膜18可包括氧化镁(MgO)，防止第二介电层15在放电期间损坏，并防止杂 质附着第二介电层15。颗粒19包括作为主要组分的氧化锶(SrO)。除氧化锶之外，颗粒19还可进一步包 括其它氧化物。例如，所述氧化物可包括选自氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧 化锌(ZnO)和氧化铝(Al2O3)中的至少一种氧化物。基于组分的总量，氧化锶的含量可为约 5 约 IOOwt %。颗粒19可具有平均粒径为约50nm 约10 μ m的立方体形状，但不限于此，且可采 用多种形状，例如圆柱形形状、棱柱形形状或棱锥形形状。颗粒19可通过多种方法制备，例如通过电熔融的单晶生长，和通过烧结的多晶形 成、气相沉积等等。例如，包括氧化锶的颗粒19可通过在50(TC或更高温度下煅烧氧化锶前 体，并随后冷却来制备。氧化锶前体的非限制性实例包括醇锶、乙酸锶、异丙醇锶和它们的 水合物。此外，颗粒的大小可通过研磨颗粒(如氧化锶等)来控制。图4为说明颗粒晶体生长方向的X射线衍射(XRD)结果图。图4示出了包括主要 组分氧化锶和少量氧化钙的颗粒的晶体生长方向(111)和(200)。氧化锶具有针对诸如氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)和氙气(Xe)等放电气体的 优异的二次电子放电特性，由此可降低维持电压。具体地，因为其针对氙气(Xe)的二次电 子放电特性更好，所以具有高分压比的氙气更适合用作放电气体。因此，当将分压比为约 10 约100%的氙气(Xe)用作放电气体时，可增加放电效率。例如在一个实施方式中，Xe 气可具有约10 约50%的分压比。在另一个实施方式中，Xe气可具有约30%的分压比。 此外，包括氧化锶的保护层可降低维持电压。此外，当氧化锶制备为颗粒时，可增加比表面积，从而改进效率。在PDP中，放电单元在寻址电极3和显示电极13交叉的位置形成。寻址放电通过 对寻址电极3和显示电极13之间的空间施加寻址电压(Va)进行，且向一对显示电极13之 间的空间施加维持电压(Vs)以通过维持放电来驱动PDP。维持放电产生激励源，并激发相 应的磷光体层，使得磷光体层发出透过透明的第二基板11的可见光以显示图像。激励源代 表性地包括真空紫外线(VUV)辐射。放电单元中填充的放电气体可为氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)、氙气(Xe)或它 们的混合物。通过包括具有氧化锶的保护层，当包含合适分压比的放电气体氙气(Xe)时， 可大大降低驱动电压。图5为根据本发明一个实施方式的PDP的效率与电压的关系图。参照图5，包含氙 气(Xe)作为放电气体时，在相同的维持电压下，与包含作为主要组分的氧化镁的保护层相 比，使用包含作为主要组分的氧化锶的颗粒制备的保护层具有更高的发光效率。因此，实现 相同的发光效率需要更低的维持电压。具体地，包含作为主要组分的氧化锶的颗粒比包含作为主要组分的氧化镁的颗粒 具有低约40V的维持电压。此外，在约170V下，与氧化镁-氙气10% (MgO-Xe 10% )相比， 氧化锶-氙气30% (SrO-Xe 30% )增加了约65%的效率。根据本发明的一个实施方式，对于诸如氙气(Xe)等放电气体，使用包括氧化锶的 颗粒制备的保护层可保持低维持电压和高亮度效力。
图3为根据本发明另一个实施方式的颗粒的示意性透视图。参照图3，颗粒19涂 有涂层21。涂层21由选自氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、氧 化钙(CaO)、氧化锌(ZnO)和氧化硼(B2O4)中的至少一种氧化物形成。涂层21可通过热或 等离子体进行表面处理。涂层21也可通过含氟气体进行表面处理。通过表面处理形成的氧化物或氟进入颗粒19，因此颗粒19可包括选自氧化硅 (SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锌(ZnO)和氧化硼 (B2O4)中的至少一种氧化物，或氟。涂层21可具有约5nm 约300nm的厚度。涂层21包围颗粒19，且防止颗粒19暴 露于大气中的氧、碳和湿气。因此，它可防止颗粒19中的氧化锶与大气中的氧或碳反应，或 者吸收大气中的湿气(这会引起透光率变差)，从而防止等离子体显示面板(PDP)的整体亮 度降低。尽管已结合特定的示例性实施方式对本发明进行了说明，但本领域技术人员应理 解的是，可对所述实施方式进行某些修改而不背离所附权利要求书限定的本发明精神和范围。
权利要求
1.一种等离子体显示面板，包括第一基板，所述第一基板包括多个寻址电极；第一介电层，所述第一介电层在所述寻址电极上；多个障壁，所述多个障壁在所述第一介电层上，其中所述障壁划分出多个放电空间；第二基板，所述第二基板面对所述第一基板，且包括多个显示电极；第二介电层，所述第二介电层在所述显示电极上；保护层，所述保护层在所述第二介电层上；和包含SrO的至少一种颗粒，所述至少一种颗粒在所述保护层上。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述至少一种颗粒进一步包括选自由 氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锌(ZnO)和氧化铝(Al2O3)构成的组中的 至少一种氧化物。
3.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述至少一种颗粒进一步包括选自由 氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锌(ZnO)、 氧化硼(B2O4)和氟构成的组中的至少一种材料。
4.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述至少一种颗粒包括至少5衬％的SrO。
5.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述至少一种颗粒的平均粒径为 50nm 10 μ m。
6.如权利要求1所述的等离子体显示面板，进一步包括在所述至少一种颗粒的至少一 部分上的涂层。
7.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其中所述涂层包括氧化物。
8.如权利要求7所述的等离子体显示面板，其中所述氧化物包括选自由氧化硅 (SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锌(ZnO)、氧化硼 (B2O4)和它们的组合构成的组中的材料。
9.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其中所述涂层含有氟。
10.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其中所述至少一种颗粒进一步包括选 自由氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锌 (ZnO)、氧化硼(B2O4)和氟构成的组中的至少一种材料。
11.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其中所述涂层的厚度为5nm 300nm。
12.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述保护层包括MgO。
13.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述放电空间包括选自由氦气(He)、 氖气(Ne)、氩气(Ar)和氙气(Xe)构成的组中的至少一种放电气体。
14.如权利要求13所述的等离子体显示面板，其中所述放电气体包括分压比为至少 10%的 Xe。
15.如权利要求13所述的等离子体显示面板，其中所述放电气体包括分压比为10% 50%的 Xe。
16.如权利要求14所述的等离子体显示面板，其中所述Xe具有30%的分压比。
全文摘要
本发明涉及一种等离子体显示面板(PDP)。所述PDP包括彼此面对的第一基板和第二基板、布置在所述第一基板表面上的多个寻址电极、覆盖所述寻址电极的第一介电层、布置在所述第一基板和第二基板之间并分隔多个放电单元的障壁、布置在所述放电单元内的磷光体层、以与所述寻址电极基本垂直的方向布置在面对所述第一基板的所述第二基板表面上的多个显示电极、覆盖所述显示电极的第二介电层、以及覆盖所述第二介电层的保护层。所述保护层包括氧化锶(SrO)颗粒。
文档编号H01J17/16GK101996835SQ20101025891
公开日2011年3月30日 申请日期2010年8月18日 优先权日2009年8月19日
发明者林成炫, 金荣奇 申请人:三星Sdi株式会社