专利名称：一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统。
背景技术：
刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的工艺步骤，是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、 反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。 刻蚀最简单最常用分类是干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式，下游式，桶式)，纯物理过程(如离子铣)，物理化学过程， 常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。与其它刻蚀技术相比，ICP刻蚀技术结构简单、性价比高、装置的环径比更大、 装置更小型化且操作简单。同时ICP源具有至少在直径20cm范围内的均勻性，可独立控制离子密度和离子能量，已成为目前较为理想的等离子体源。ICP反应可以得到大于 IO11cm-5的高密度等离子体，用以实现先进的加工过程。例如，在常温下深刻蚀硅片，可以获得高刻蚀速率，高刻蚀纵宽比和高选择比，同时保持侧壁陡直。这种刻蚀工艺被广泛应用于各种深刻蚀，如MEMS的制作中。通过在钝化和刻蚀之间加入一个去钝化的步骤，或通过控制聚合薄层的厚度，合理调节其它刻蚀参数，不仅可以刻蚀出各向异性的端面，而且可以使得端面倾角在一定范围内有变化。利用ICP刻蚀技术刻蚀硅基材料和m-ν族化合物同样可以获得良好的刻蚀效果。ICP刻蚀技术广泛应用于微电子、LED及光伏领域。ICP刻蚀技术还用于制备 HB-LED的衬底。蓝宝石衬底是LED的底层支撑，在蓝宝石衬底上通过MOCVD依次生长GaN低温成核层、N型掺杂层、多量子阱(MQW)层、P型掺杂层，再制作电极，就可以制成LED。在蓝宝石衬底上通过光刻和刻蚀做图形就可以得到图形化蓝宝石衬底，即Patterned Sapphire Substrate，简称PSS。光刻工艺的目的是用光刻胶将需要刻蚀的蓝宝石显露，将不需要刻蚀的蓝宝石掩护；刻蚀的目的是将未被光刻胶保护的那部分蓝宝石刻蚀，以形成图形。与蓝宝石衬底相比，图形化蓝宝石衬底具有显著优势。首先，将蓝宝石衬底进行图形化处理后，在衬底表面生长GaN时，蓝宝石与GaN的晶格失配会减小，从而减少由晶格失配引起的螺位错，就能有效地减少光生电子-空穴对由于螺位错引起的非辐射复合，提高LED的内量子效率，增强LED的亮度；其次，由于从多量子阱产生的光线仅有单一的传播方向，如果光线经过图形化处理的蓝宝石衬底能够增加光线的散射，这就使得光线有多个传播方向。从多量子阱产生的光线传播到空气-蓝宝石界面时，如果入射角大于 《—^·(空气的折
a — 2 ι
射本》2力蓝宝石的折射率)，光线发生全反射，返回LED;如果入射角小于β，光线就会发
生折射，传播到空气中。而LED的设计是单向出光的，不希望光线从蓝宝石衬底一侧射出。 做PSS后，蓝宝石衬底上的图形增加了光线的散射，使得光线有较多的传播方向，就有更多的光线发生全反射返回LED，这些光线将从出光面出光，这样就提高了 LED的光析出率，增强LED的亮度。制作PSS对提高LED的亮度意义重大，而光刻后的蓝宝石片要经过刻蚀才能形成 PSS,因此，刻蚀是制作PSS工艺中的关键工艺步骤。刻蚀的目的在于根据光刻的情况选择
性地去除部分蓝宝石衬底材料。即利用处于等离子体状态€12和605对蓝宝石衬底进行物
理轰击和化学腐蚀，将未被光刻胶覆盖的蓝宝石衬底刻蚀掉，而被光刻胶覆盖的那部分蓝宝石衬底不被刻蚀。这样，经过刻蚀机处理后，就在蓝宝石衬底上形成图形，制成蓝宝石衬底。蓝宝石刻蚀机的刻蚀速率和刻蚀均勻性对蓝宝石衬底的制作至关重要。首先，刻蚀速率快，对于相同的刻蚀深度所需的刻蚀时间就少，生产效率就能够得到提高。其次，刻蚀均勻性对于提高PSS产品的良率有决定性的作用。如果片内均勻性好，那么在保证发光效率统一性的基础上，在同一片蓝宝石片上就可以分割出较多的LED衬底；如果蓝宝石片片间均勻性较好，那么23片蓝宝石片都可以用作高亮度LED的衬底，不会出现废片。对于批量式ICP刻蚀机，需要将多片无机材料基片放在片盘上，然后用片盘将基片一批一批地送往刻蚀腔，刻蚀完毕后再将片盘从刻蚀腔取出。采用传片系统将运载基片的片盘在刻蚀腔和预真空腔之间进行位置转移。现有的传片系统存在很多缺点，首先只能实现单片转运，其次传片效率较低，可靠性较差。
发明内容本实用新型要解决现有ICP刻蚀机的传片系统存在传片效率低、可靠性差的问题，提供了一种传片效率高、可靠性好的干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统。本实用新型采用的技术方案是一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统，其安装在预真空腔内， 包括运送片盘的机械手，其特征在于所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上，所述丝杆螺母安装在丝杆上，所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接，所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮，所述主齿轮与副齿轮啮合连接。进一步，所述主齿轮和副齿轮均通过齿轮水平方向定位系统水平定位，所述齿轮水平方向定位系统包括前定位片和后定位片，所述前定位片与后定位片之间安装有齿轮， 所述前定位片与转子连接。进一步，所述主齿轮的直径小于副齿轮的直径。进一步，所述伺服电机通过伺服电机定位器固定连接在预真空腔上。进一步，所述丝杆通过丝杆定位器固定连接在预真空腔上。
4[0016]进一步，所述丝杆螺母与预真空腔内的导轨槽配合移动。进一步，所述伺服电机与伺服电机定位器、所述伺服电机电位器与预真空腔、所述丝杆定位器与预真空腔、所述前定位片与转子、所述前定位片与后定位片、所述机械手与丝杆螺母均通过螺钉固定连接。本实用新型的使用过程1、将片盘放于机械手上；2、自动控制系统给伺服电机发出信号，伺服电机开始转动；3、伺服电机的转动带动主齿轮转动；4、主齿轮的转动带动副齿轮转动；5、副齿轮的转动带动丝杆转动；6、丝杆的转动带动丝杆上的丝杆螺母向刻蚀腔运动；7、丝杆上的丝杆螺母的运动带动机械手和片盘向刻蚀腔运动；8、改变伺服电机的转动方向便可改变机械手和片盘的移动方向。本实用新型的有益效果传片效率高、可靠性好，且结构简单合理。
图1是本实用新型的立体结构示意图。图2是本实用新型的齿轮水平方向定位系统的结构示意图。图3是本实用新型的齿轮水平方向定位系统定位齿轮的使用状态图。图4是本实用新型安装在预真空腔内的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例来对本实用新型进行进一步说明，但并不将本实用新型局限于这些具体实施方式
。本领域技术人员应该认识到，本实用新型涵盖了权利要求书范围内所可能包括的所有备选方案、改进方案和等效方案。参照图1-4，一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统，其安装在预真空腔12内，包括运送片盘的机械手3，所述机械手3固定连接在带动其运动的丝杆螺母8 上，所述丝杆螺母8安装在丝杆11上，所述丝杆11通过齿轮副与伺服电机1连接，所述齿轮副包括与伺服电机转子5连接的主齿轮6、与丝杆转子4连接的副齿轮7，所述主齿轮6 与副齿轮7啮合连接。所述主齿轮6和副齿轮7均通过齿轮水平方向定位系统水平定位，所述齿轮水平方向定位系统包括前定位片9和后定位片10，所述前定位片9与后定位片10之间安装有齿轮，所述前定位片9与转子连接。所述主齿轮6的直径小于副齿轮7的直径。所述伺服电机1通过伺服电机定位器2固定连接在预真空腔12上。所述丝杆11通过丝杆定位器14固定连接在预真空腔12上。所述丝杆螺母8与预真空腔12内的导轨槽13配合移动。所述伺服电机1与伺服电机定位器2、所述伺服电机电位器2与预真空腔12、所述丝杆定位器14与预真空腔12、所述前定位片9与转子、所述前定位片9与后定位片10、所述机械手3与丝杆螺母8均通过螺钉固定连接。本实用新型的使用过程1、将片盘放于机械手13上；2、自动控制系统给伺服电机1发出信号，伺服电机1开始转动；3、伺服电机1的转动带动主齿轮6转动；4、主齿轮6的转动带动副齿轮7转动；5、副齿轮7的转动带动丝杆11转动；6、丝杆11的转动带动丝杆11上的丝杆螺母8向刻蚀腔运动；7、丝杆11上的丝杆螺母8的运动带动机械手13和片盘向刻蚀腔运动；8、改变伺服电机1的转动方向便可改变机械手13和片盘的移动方向。
权利要求1.一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统，其安装在预真空腔内，包括运送片盘的机械手，其特征在于所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上，所述丝杆螺母安装在丝杆上，所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接，所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮，所述主齿轮与副齿轮啮合连接。
2.根据权利要求1所述的一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统，其特征在于所述主齿轮和副齿轮均通过齿轮水平方向定位系统水平定位，所述齿轮水平方向定位系统包括前定位片和后定位片，所述前定位片与后定位片之间安装有齿轮，所述前定位片与转子连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统，其特征在于所述主齿轮的直径小于副齿轮的直径。
4.根据权利要求3所述的一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统，其特征在于所述伺服电机通过伺服电机定位器固定连接在预真空腔上。
5.根据权利要求4所述的一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统，其特征在于所述丝杆通过丝杆定位器固定连接在预真空腔上。
6.根据权利要求5所述的一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统，其特征在于所述丝杆螺母与预真空腔内的导轨槽配合移动。
7.根据权利要求6所述的一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统，其特征在于所述伺服电机与伺服电机定位器、所述伺服电机电位器与预真空腔、所述丝杆定位器与预真空腔、所述前定位片与转子、所述前定位片与后定位片、所述机械手与丝杆螺母均通过螺钉固定连接。
专利摘要一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统，其安装在预真空腔内，包括运送片盘的机械手，所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上，所述丝杆螺母安装在丝杆上，所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接，所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮，所述主齿轮与副齿轮啮合连接。本实用新型的有益效果传片效率高、可靠性好，且结构简单合理。
文档编号H01J37/32GK202307824SQ20112035273
公开日2012年7月4日 申请日期2011年9月20日 优先权日2011年9月20日
发明者李超波, 陈波, 饶志鹏, 黄成强 申请人:中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心