专利名称：腐蚀液的再生方法及腐蚀装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及腐蚀液的再生方法以及腐蚀装置，尤其涉及在印刷电路板的制造方法中，在将基板上的被加工导电层进行图案腐蚀而形成布线区图案的工序中所使用的腐蚀液的再生方法以及腐蚀装置。
背景技术：
近年来，伴随半导体装置的高集成化以及高功能化的要求，半导体装置的元件结构向微细化发展。与此相适应，对于安装半导体装置的印刷电路板的印刷布线区的微细化要求提高，并进行着研究开发。
作为上述印刷电路板的印刷布线区材料，通常使用铜，作为为了腐蚀加工铜布线的腐蚀液，主要使用氯化铁液和氯化铜液等。
在腐蚀过程中氯化铁(FeCl3)与铜(Cu)的反应用下式(1)表示[化1](1)在上述反应中，生成的氯化亚铁(FeCl2)没有腐蚀铜的能力。又，多量的氯化铜(CuCl2)的存在成为使腐蚀速度减小的主要原因。
以前，对于上述含有氯化铁的腐蚀液，例如在腐蚀处理铜等金属时产生的疲劳液中，将由上述反应所生成的氯化亚铁利用盐酸的添加和空气中的氧氧化、再生成氯化铁，而且，为了将腐蚀液中的铜的浓度大体上保持恒定，补充了必需量的氯化铁新溶液。
将在该再生工序时增加部分的腐蚀液作为废液而作废弃处理。
发明内容
但是，如上所述，以前的腐蚀液常常将氯化亚铁与氯化铁混在一起，因此，与不含有氯化亚铁的氯化铁的新溶液相比，存在腐蚀速度较慢的缺点。
又，利用盐酸和空气中的氧进行氧化的再生方法，效率低并需要大量的盐酸，因此存在废液量多的缺点。
另一方面，伴随当今印刷电路板的布线图案的微细化，为了控制容易发生的图案宽度的不均匀性，要求以更短的时间进行腐蚀处理。
因此，必须提高腐蚀速度，为了实现这一点，需要使用几乎不含有氯化亚铁且铜浓度较低的腐蚀液。
为了稳定地保持较快的腐蚀速度，需要不断将氯化亚铁再生成氯化铁，又，为了保持较低的铜浓度，增加氯化铁的溶液借以平衡伴随腐蚀处理的进行而增加的铜，或者只必须除去所增加的铜成分。
作为这样的腐蚀液的再生方法，例如在特开平9-156930号公报中公开了采用往腐蚀疲劳液中添加废铁屑使铜还原的方法。又，例如在特开平7-300686号公报中公开了利用腐蚀疲劳液的电解使铜还原的方法。又，在特开平7-138773号公报中公开了采用腐蚀疲劳液的减压浓缩和冷却使氯化铜(CuCl2)析出的方法。
但是，按照往腐蚀疲劳液中添加废铁屑使铜还原的方法，由于重新添加铁，因此存在再生后腐蚀液的量增加到再生前的1.3～1.5倍的问题。
又，按照利用腐蚀疲劳液的电解使铜还原的方法，存在电解的效率低以及产生氯气的问题。
又，根据利用腐蚀疲劳液的减压浓缩和冷却使氯化铜析出的方法，需要提高腐蚀疲劳液中的氯化氢的浓度，如果存在大量的氯化氢，则氯化铁(FeCl3)的溶解度提高，即使进行浓缩冷却，也不会析出氯化铁的晶体，由于含有大量的氯化氢，因此存在氯化氢的蒸气所致的强烈刺激气味，而且，容易腐蚀装置周围的问题。
又，上述三种腐蚀液的再生方法，都使用危险性非常高的氯，存在将氯化亚铁氧化成氯化铁进行再生的问题。
本发明是鉴于上述情况完成的，因此本发明的目的是提供能够解决刺激气味和装置周围的腐蚀问题、减少废液量、提高安全性而再生腐蚀液的腐蚀液的再生方法、以及采用该再生方法的腐蚀装置。
为了达到上述目的，本发明的腐蚀液的再生方法，是使用至少含有氯化铁的腐蚀液将对至少含有铜的金属作腐蚀处理时产生的疲劳液进行再生的方法，具有在上述疲劳液中添加析出剂使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出的工序。
上述本发明的腐蚀液的再生方法，优选使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出的工序至少包括浓缩上述疲劳液的工序。
又，优选使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出的工序至少包括冷却上述疲劳液的工序。
上述本发明的腐蚀液的再生方法，优选在使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出的工序中，作为上述析出剂向上述疲劳液中添加氯化铵。
上述本发明的腐蚀液的再生方法，优选上述腐蚀液还含有规定浓度的盐酸。
又，优选上述腐蚀液还含有规定浓度的氯化铵。
上述本发明的腐蚀液的再生方法，优选还具有通过氧化使上述疲劳液再生的工序，更优选在通过氧化使上述疲劳液再生的工序中向上述疲劳液中添加氧化剂。
上述本发明的腐蚀液的再生方法，优选还具有向上述疲劳液中添加盐酸的工序。
上述本发明的腐蚀液的再生方法，使用至少含有氯化铁、进一步含有规定浓度的盐酸和氯化铵等的腐蚀液，向腐蚀处理至少含有铜的金属时所产生的疲劳液中添加氯化铵等析出剂，再进行浓缩和冷却等使溶解于疲劳液中的铜成分析出。进一步地，例如在铜成分析出前或者析出后，向疲劳液中例如添加氧化剂以及盐酸等进行再生。
根据上述本发明的腐蚀液的再生方法，能够管理腐蚀液中的铜浓度进行再生处理，并能减少废液量。
又，可以使用氯以外的氧化剂对氯化亚铁进行再生，并能够提高安全性而再生和再利用腐蚀液。
又，能降低腐蚀液中所含有的盐酸浓度，能够解决刺激气味和装置周围的腐蚀问题。
为了达到上述的目的，本发明的腐蚀装置是使用至少含有氯化铁的腐蚀液对至少含有铜的金属进行腐蚀处理的腐蚀装置，该腐蚀装置具有腐蚀液贮存槽、从上述腐蚀液贮存槽提供上述腐蚀液的腐蚀处理室、向在上述腐蚀处理室中腐蚀处理时产生的疲劳液中添加析出剂使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出的铜成分析出处理槽、以及氧化上述疲劳液而进行再生的再生处理槽，将经过上述铜成分析出处理槽以及再生处理槽而被再生的液体返回到上述腐蚀液贮存槽，作为上述腐蚀液再利用。
上述本发明的腐蚀装置，优选在上述再生处理槽中至少一边浓缩上述疲劳液一边使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出。
又，优选在上述再生处理槽中至少一边冷却上述疲劳液一边使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出。
上述本发明的腐蚀装置，优选在上述再生处理槽中，作为上述析出剂向上述疲劳液中添加氯化铵。
上述本发明的腐蚀装置，优选在上述腐蚀液贮存槽中贮藏的上述腐蚀液还含有规定浓度的盐酸。
又，优选在上述腐蚀液贮存槽中贮藏的上述腐蚀液还含有规定浓度的氯化铵。
上述本发明的腐蚀装置，优选在上述再生处理槽中，向上述疲劳液中添加氧化剂进行氧化。
又，优选在上述再生处理槽中，向上述疲劳液中添加盐酸。
上述本发明的腐蚀装置，将至少含有氯化铁、进一步还含有规定浓度的盐酸和氯化铵等的腐蚀液从腐蚀液贮存槽供给到腐蚀处理室进行腐蚀处理，在铜成分析出处理槽内，向在腐蚀处理中产生的疲劳液中添加氯化铵等析出剂，再进行浓缩和冷却等使铜成分析出，在再生处理槽中通过添加氧化剂和盐酸等将疲劳液氧化、进行再生，将再生的液体返回到腐蚀液贮存槽作为腐蚀液再利用。
根据上述本发明的腐蚀装置，可以管理腐蚀液中的铜浓度而进行再生处理，并能减少废液量。
又，对于氯化亚铁的再生可以使用氯以外的氧化剂进行，提高安全性而能够再生、再利用腐蚀液。
又，可以降低腐蚀液中所含有的盐酸的浓度，能够解决刺激气味和装置周围的腐蚀问题。
附图的简单说明
图1是表示印刷电路板的制造方法的制造工序的断面图，(a)表示形成导电层的工序的断面图；(b)表示对抗蚀剂膜进行图案形成的工序的断面图；(c)表示对导电层进行图案加工的腐蚀工序的断面图。
图2是表示与本发明的实施形态有关的腐蚀方法的工序的流程图。
图3是与本发明的实施形态有关的腐蚀装置的模式构成图。
图4是表示测定实施例1和实施例2中的腐蚀速度的结果的图。
符号的说明10...基板；20...导电层；20a...布线层；30...抗蚀剂膜；CS...铜成分析出槽；EL...腐蚀液；EO...腐蚀对象物；ER...腐蚀室；ET...腐蚀液槽；F...过滤器；FL...疲劳液；HW...温水供给源；LW...废液；N，N’...喷嘴；Ox...氧化剂；P...泵；RF...再生槽；SA...析出剂；WR...洗净室；ST1～ST4...步骤发明的实施形态以下，参照附图，就本实施形态的腐蚀液的再生方法以及腐蚀装置的实施形态进行说明。
首先，参照图1的断面图，就使用本实施形态的腐蚀液的再生方法以及使用腐蚀装置的腐蚀方法制作印刷电路板的方法，进行说明。
首先，如图1(a)所示，在由环氧树脂等热固性树脂以及其它树脂等所构成的绝缘性的基板10的两面，例如以几个μm～几十个μm的膜厚形成铜箔等导电层20。
形成导电层20的方法，可以采用粘贴、镀、气相生长法等任何的方法。
其次，如图1(b)所示，通过光刻(フォトリソグラフィ一)工序即通过干膜抗蚀剂或者旋转涂敷等在导电层20的上层形成抗蚀剂膜，进行图案曝光，然后进行显影处理，在导电层20的上层形成抗蚀剂膜30的图案。
对基板的两面进行上述的工序，在基板10的两面上的导电层20的上层形成抗蚀剂膜30。
其次，如图(c)所示，对基板的两面上的导电层20施行以抗蚀剂膜30为掩模的腐蚀处理。即，沿着抗蚀剂膜30的图案腐蚀导电层20，形成布线区20a的图案。
上述的腐蚀处理，既可以两面同时进行，也可以一面一面地进行。
其次，通过有机溶剂处理等剥离抗蚀剂膜，制成所要求的印刷电路板。
上述的以抗蚀剂膜30为掩模的对导电层20的腐蚀处理，使用下面示出的采用有关本实施形态的腐蚀液的再生方法的腐蚀方法和装置进行。
图2是表示有关本实施形态的腐蚀方法的工序的流程图。
首先，作为第1步骤ST1，调制腐蚀液的新液。
腐蚀液的新液，例如，制成含有氯化铁和盐酸的组成，最好是还含有氯化铵。
盐酸的浓度以0.1～0.2摩尔/升为宜。在调制时为了成为该浓度范围，例如适量添加35重量％的浓盐酸。这是因为如果盐酸浓度不足0.1摩尔/升，就会存在产生氢氧化铁泥浆(スラツジ)的倾向，另一方面，如果盐酸浓度超过0.2摩尔/升，则氯化氢的刺激气味以及对装置的腐蚀的影响就会增大。
又，氯化铁的浓度在28～33重量％为宜，这是因为在该范围内腐蚀速度变得最高。
又，在含有氯化铵的场合，其浓度在25～75g/升为宜，在40～75g/升更佳。如果氯化铵的浓度达到25g/升以上，则可以得到增加腐蚀速度的效果，能够抑制伴随铜的溶解的腐蚀速度的减小。如果氯化铵的浓度超过75g/升，则氯化铵铜作为沉淀物生成，因此不优选。
腐蚀液在规定的腐蚀液槽中被调制，例如调节成45～50℃的温度。
其次，作为第2步骤ST2，如图1所示，用上述的腐蚀液对由铜等构成的导电层20进行腐蚀处理。
在腐蚀处理中，例如根据上述式(1)的氧化还原反应，氯化铁被还原而成为氯化亚铁，被腐蚀的导电层成分(铜成分)以氯化铜(CuCl2)的形式溶出到腐蚀液中，变成腐蚀液的疲劳液。
其次，作为第3步骤ST3，在上述的疲劳液中使铜成分析出。
例如作为析出剂，添加适量的氯化铵。此时，根据下式(2)的反应生成氯化铜的氯化铵和水的配位化合物。[化2](2)上述氯化铜的氯化铵和水的配位化合物决定对水的溶解度，因此浓缩含有该配位化合物的溶液，接着通过冷却配位化合物可溶解的量减少，超过饱和量的部分的配位化合物以晶体的形式析出。对于该析出，通过只浓缩含有配位化合物的溶液或者只进行冷却也是可以的。将析出的晶体通过过滤等取出，从疲劳液中分离去除铜成分。通过以上的铜成分析出处理，可以使疲劳液中铜成分的浓度与新液相同。
在此，氯化铵对于铜以2倍当量络合(配位化)，因此添加与溶出的铜量相平衡的量的氯化铵使其结晶化，包括在新液中含有氯化铵的场合和不含有氯化铵的场合，都可以使铜成分析出后的疲劳液的氯化铵的浓度制成与腐蚀液的新液相同的浓度。
其次，作为第4步骤ST4，将在腐蚀处理中生成的氯化亚铁氧化成氯化铁使之再生。对此，例如向上述疲劳液中添加必需量的盐酸以及氧化剂，使其迅速地进行再生反应，并使腐蚀液中不残存多余的盐酸。在此，作为上述的氧化剂例如可以使用空气中的氧、过氧化氢、氯酸化合物等通常使用的氧化剂。尤其是作为氧化剂不使用氯也可，因此可以提高安全性。
如上所述，使用必需量的盐酸以及氧化剂快速地进行再生，因此使作为腐蚀液的盐酸的浓度如上述那样减低到0.2摩尔/升以下成为可能，可解决氯化氢的刺激气味和腐蚀的问题。
在上述的铜成分析出工序中的浓缩以及上述的再生处理中，液体中的铁离子的浓度变化，因此添加水调节浓度。在此，所添加的水，是利用在上述的浓缩工序中得到的水，不用新水也可以。
由上述的再生处理，疲劳液作为具有与腐蚀液的新液同等的腐蚀特性的再生液而被再生，返回到在第1步骤ST1调制的腐蚀液的槽而被再利用。
在上述的各个工序中，将第3步骤ST3的铜成分析出处理与第4步骤ST4的再生处理的顺序调换，即先添加盐酸和氧化剂，将氯化亚铁氧化成氯化铁进行再生，其次添加氯化铵等析出剂使铜成分析出并去除，也是可以的。
又，在新液中事先含有氯化铵的腐蚀液的场合，可不断进行再生处理，铜成分的析出去除即使在某种程度地积存废液以后进行也没关系。这是因为在事先含有氯化铵的腐蚀液中，伴随腐蚀处理的铜浓度增加几乎不会引起腐蚀速度的变化的缘故。
如上所述，上述的氯化铵具有提高腐蚀速度的效果，还与铜选择性地结合形成配位化合物，也可以作为析出剂使用。因此，在使用氯化铵的场合，能够减少腐蚀液中含有的化学试剂的种类。
其次，就采用上述的腐蚀液的再生方法的腐蚀装置进行说明。
图3是上述的腐蚀装置的模式构成图。
如图2的第1步骤ST1所示，腐蚀液槽ET可以贮藏例如根据上述规定的处理配方调制的腐蚀液EL。
另一方面，在腐蚀处理室ER内排列设置多个喷嘴N。各个喷嘴N通过泵P、过滤器F用配管与腐蚀液槽ET连接，供给腐蚀液EL。例如，如图1所示的在表面上形成导电层20以及掩模30的基板10等的腐蚀对象物EO，在腐蚀处理室ER内由图中未示出的支撑架支撑，从上述喷嘴N喷射腐蚀液，如上述第2步骤ST2所示，进行腐蚀处理。
上述的喷嘴N的构成，例如两列相互相对地排列，对于上述的平板状的腐蚀对象物EO，可以从两面喷射腐蚀液。
用于腐蚀处理的疲劳液FL积存在铜成分析出槽CS中，例如在积存规定量的腐蚀液FL时，如图2的第3步骤ST3所示，规定量的氯化铵等析出剂SA被添加到铜成分析出槽CS中的疲劳液FL中，然后再进行浓缩和冷却等，将含有氯化亚铜的铜成分的配位化合物晶体析出并分离去除。
在上述浓缩时得到的水分由图中未示出的槽等加以保存。
铜成分被析出去除后的疲劳液FL被移入再生槽RF中，如图2的第4步骤ST4所示，规定量的盐酸以及氧化剂Ox被添加到再生槽RF中的疲劳液FL中，疲劳液中的氯化亚铁被氧化而再生成氯化铁。为了把得到的液体中的铁离子浓度调节到规定值，适量添加在上述浓缩工序中得到的水分。
这样，成为铜成分被去除、氯化亚铁被再生成氯化铁的腐蚀液的再生液，返回到腐蚀液槽ET中被再利用。
又，例如从腐蚀液槽ET溢流的部分作为废液LW处理。
另一方面，对于邻接腐蚀处理室ER设置的洗净室WR，例如也排列设置多个喷嘴N’，分别用配管与温水供给源HW连接。
从洗净室WR的喷嘴N’喷射水或温水，喷吹到图中未示出的支撑架所支撑的腐蚀对象物EO上，进行洗净处理。
洗净处理所使用的温水作为废液LW处理。
腐蚀处理室ER与洗净室WR之间一部分连通，由图中未示出的输送机构输送腐蚀对象物EO，腐蚀处理与洗净处理连续地进行。
根据上述的本实施形态的腐蚀液的再生方法以及采用该法的腐蚀装置，能够管理腐蚀液中的铜浓度而进行再生处理，能减少废液量。
又，对于氯化亚铁的再生可以使用氯以外的氧化剂进行，能够提高安全性地再生和再利用腐蚀液。
又，能降低腐蚀液中含有的盐酸的浓度，能够解决刺激气味和装置周围的腐蚀问题。
实施例1(腐蚀试验1)在基板上形成18μm的膜厚的铜箔，测定浸渍到45℃的腐蚀液中时的腐蚀速度。
腐蚀液新液中氯化铁的浓度为30重量％、盐酸浓度为0.15摩尔/升，没有添加氯化铵。
进行腐蚀处理直到铜成分为30g/升为止，测定此时的腐蚀速度，进一步地，添加氯化铵50g(相当于铜成分30g的2倍的当量)，通过浓缩和冷却使铜成分的配位化合物的晶体析出去除，再添加盐酸和氧化剂，作浓度调节进行再生处理，测定此时的腐蚀速度。
反复进行腐蚀处理和再生处理两次，直到上述铜成分为30g/升为止，测定每次处理后的腐蚀速度。
结果示于图4中的a。
对于腐蚀液的新液，大约为4.2μm/分钟的腐蚀速度，但是上述规定量的腐蚀处理后腐蚀速度下降到大约2.8μm/分钟而出现疲劳，通过施以再生处理，恢复到原来的约4.2μm/分钟的腐蚀速度。反复试验两次得到同样的结果，重现性得到确认。
实施例2(腐蚀试验2)在基板上形成18μm的膜厚的铜箔，测定浸渍到45℃的腐蚀液中时的腐蚀速度。
腐蚀液新液中氯化铁的浓度为30重量％、盐酸浓度为0.15摩尔/升、氯化铵的浓度为50g/升。
进行腐蚀处理直到铜成分为30g/升为止，测定此时的腐蚀速度，进一步地，添加氯化铵50g(相当于铜成分30g的2倍的当量)，通过浓缩和冷却使铜成分的配位化合物的晶体析出去除，再添加盐酸及氧化剂，作浓度调节进行再生处理，测定此时的腐蚀速度。
反复进行腐蚀处理和再生处理两次，直到上述铜成分为30g/升为止，测定每次处理后的腐蚀速度。
结果示于图4中的b。
对于腐蚀液的新液，大约为4.7μm/分钟的腐蚀速度，但是上述规定量的腐蚀处理后下降到大约4.1μm/分钟而出现疲劳。可以知道，作为新液配方，通过添加氯化铵使疲劳时的腐蚀速度的下降幅度比上述的实施例1的场合小。
上述疲劳液的腐蚀速度，通过施以再生处理恢复到原来的大约4.7μm/分钟。反复试验两次得到同样的结果，重现性得到确认。
实施例3(析出试验1)作为腐蚀液，调制氯化铁的浓度为30重量％、盐酸浓度为0.15摩尔/升、氯化铵浓度为70g/升、铜为20g/升的腐蚀液。
上述腐蚀液，在到20℃为止的冷却中没有发现晶体的析出。
实施例4(析出试验2)作为腐蚀液，调制氯化铁的浓度为30重量％、盐酸浓度为0.15摩尔/升、氯化铵浓度为90g/升、铜为25g/升的腐蚀液。
上述腐蚀液，在到20℃为止的冷却中晶体开始析出，当冷却到0℃时几乎所有的铜成分析出。进行了析出的晶体的成分分析，结果是得到了和相对于1当量铜离子，氯化铵为2当量这一理论值相等的值。此时，没有看到铁离子的析出。
比较例1(析出试验3)作为腐蚀液，调制氯化铁的浓度为30重量％、盐酸浓度为0.15摩尔/升、铜为30g/升的腐蚀液。
上述腐蚀液即使冷却到0℃也没有看到晶体的析出。又，在75℃使水分蒸发浓缩，结果除了氯化铜的晶体以外，可看到含有铁离子的褐色晶体的析出。
比较例2(废液量试验1)作为腐蚀液，调制氯化铁的浓度为30重量％、盐酸浓度为0.15摩尔/升、铜为20g/升的腐蚀液。
用上述腐蚀液进行腐蚀处理，只用盐酸对产生的疲劳液进行再生并再利用的场合，在腐蚀处理1m2的基板时所产生的废液量约为10.44kg。
实施例5(废液量试验2)
作为腐蚀液，调制氯化铁的浓度为30重量％、盐酸浓度为0.15摩尔/升、铜为20g/升的腐蚀液。
用上述腐蚀液进行腐蚀处理，对产生的疲劳液首先添加氯化铵，再冷却使铜成分析出，再用盐酸和氧化剂再生并再利用的场合，在腐蚀处理1m2的基板时所产生的废液量约为3.45kg，可以使其减低到上述比较例2的场合的大约1/3。
实施例6(废液量试验3)作为腐蚀液，调制氯化铁的浓度为30重量％、盐酸浓度为0.15摩尔/升、铜为20g/升的腐蚀液。
用上述腐蚀液进行腐蚀处理，对产生的疲劳液首先添加氯化铵，浓缩和冷却使铜成分析出，再用盐酸和氧化剂再生，用上述浓缩时所产生的水分调节浓度后再利用的场合，在腐蚀处理1m2的基板时所产生的废液量约为0.92kg，可以使其减低到上述比较例2的场合的大约1/10以下。
本发明不只限于上述的实施形态。
例如，腐蚀液的组成不限于上述实施形态中例示的组成，可以使用其它组成的腐蚀液。
又，被腐蚀的导电层不限于铜箔，也可以用于其它的导电体层。
此外，在不变更本发明的要旨的范围内，可以作种种的变更。
发明的效果如上述说明那样，根据本发明的腐蚀液的再生方法和腐蚀装置，可以管理腐蚀液中的铜浓度进行再生处理，能减少废液量。
又，可以用氯以外的氧化剂进行氯化亚铁的再生，能够提高安全性地再生和再利用腐蚀液。
又，能使腐蚀液中含有的盐酸的浓度降低，能够解决刺激气味和装置周围的腐蚀问题。
权利要求
1.一种腐蚀液的再生方法，其特征在于该方法是将使用至少含有氯化铁的腐蚀液腐蚀处理至少含有铜的金属时所产生的疲劳液进行再生的方法，具有向上述疲劳液中添加析出剂，使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出的工序。
2.根据权利要求1所记载的腐蚀液的再生方法，其中，使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出的工序至少包括浓缩上述疲劳液的工序。
3.根据权利要求1所记载的腐蚀液的再生方法，其中，使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出的工序至少包括冷却上述疲劳液的工序。
4.根据权利要求1所记载的腐蚀液的再生方法，其中，在使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出的工序中，作为上述析出剂向上述疲劳液中添加氯化铵。
5.根据权利要求1所记载的腐蚀液的再生方法，其中，上述腐蚀液还含有规定浓度的盐酸。
6.根据权利要求1所记载的腐蚀液的再生方法，其中，上述腐蚀液还含有规定浓度的氯化铵。
7.根据权利要求1所记载的腐蚀液的再生方法，其中，还具有通过氧化使上述疲劳液再生的工序。
8.根据权利要求7所记载的腐蚀液的再生方法，其中，在通过氧化使上述疲劳液再生的工序中，向上述疲劳液中添加氧化剂。
9.根据权利要求1所记载的腐蚀液的再生方法，其中，还具有向上述疲劳液中添加盐酸的工序。
10.一种腐蚀装置，其特征在于它是使用至少含有氯化铁的腐蚀液将至少含有铜的金属进行腐蚀处理的腐蚀装置，该腐蚀装置具有腐蚀液贮存槽、由上述腐蚀液贮存槽供给上述腐蚀液的腐蚀处理室、向在上述腐蚀处理室中腐蚀处理时所产生的疲劳液中添加析出剂，使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出的铜成分析出处理槽、氧化上述疲劳液进行再生的再生处理槽，并且将通过上述铜成分析出处理槽和再生处理槽而再生的液体返回到上述腐蚀液贮存槽，作为上述腐蚀液而再利用。
11.根据权利要求10所记载的腐蚀装置，其中，在上述再生处理槽中，至少一边浓缩上述疲劳液，一边使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出。
12.根据权利要求10所记载的腐蚀装置，其中，在上述再生处理槽中，至少一边冷却上述疲劳液，一边使溶解于上述疲劳液中的铜成分析出。
13.根据权利要求10所记载的腐蚀装置，其中，在对于上述再生处理槽中，作为上述析出剂向上述疲劳液中添加氯化铵。
14.根据权利要求10所记载的腐蚀装置，其中，在上述腐蚀液贮存槽中贮藏的上述腐蚀液还含有规定浓度的盐酸。
15.根据权利要求10所记载的腐蚀装置，其中，在上述腐蚀液贮存槽中贮藏的上述腐蚀液还含有规定浓度的氯化铵。
16.根据权利要求10所记载的腐蚀装置，其中，在上述再生处理槽中，向上述疲劳液中添加氧化剂进行氧化。
17.根据权利要求10所记载的腐蚀装置，其中，在上述再生处理槽中，向上述疲劳液中添加盐酸。
全文摘要
提供可以解决刺激气味和装置周围的腐蚀问题、减少废液量、提高安全性而再生腐蚀液的腐蚀液的再生方法及采取该再生方法的腐蚀装置。向使用至少含有氯化铁、进一步还含有规定浓度的盐酸和氯化铵等的腐蚀液，将至少含有铜的金属进行腐蚀处理(ST2)时所产生的疲劳液中添加氯化铵等析出剂，再进行浓缩和冷却使溶解于疲劳液中的铜成分析出(ST3)。进一步地，例如在铜成分析出前或析出后向疲劳液中例如添加氧化剂和盐酸进行再生(ST4)。
文档编号C23F1/46GK1392289SQ0212327
公开日2003年1月22日 申请日期2002年6月14日 优先权日2001年6月14日
发明者渡邊喜夫, 三穗野博则, 朝隈直子 申请人:索尼公司