专利名称：一种led晶片正极焊垫及其制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明属于LED晶片焊垫技术领域，具体涉及一种LED晶片正极焊垫及其制作工艺。
背景技术：
近年来LED晶片行业的竞争日趋激烈，特别是2008年的经济危机以来，LED行业的竞争就尤为明显。2009年后半年市场逐步恢复活力，各个国家大力发展LED照明业，使得出现众多的LED晶片生产商，竞争更加激烈。为了增加竞争力，各公司在成本的控制上也是别出心裁，主要从LED晶片的结构上来降低成本。LED晶片包括由砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)锶(S i)这几种元素中组成的中间发光层、下层的衬底、最下层的晶片负极和最上层的晶片正极焊垫。现有技术中，晶片正极焊垫是以纯金作为导体，金在导热导电性能上比较优越， 但是金属于贵金属，使得LED晶片的成本明显增加，市场竞争力下降。
发明内容
本发明的目的是提供一种LED晶片正极焊垫及其制作工艺，该种LED晶片正极焊垫成本低、制作工艺简单。本发明的目的之一是这样实现的一种LED晶片正极焊垫，它包括四层镀层，从下
往上依次为第一钛层、第二铝层、第三钛层、第四金层。优选的，所述第一钛层、所述第二铝层、所述第三钛层、所述第四金层的厚度比为 2-3 30-40 2-3 :2_4。较为优选的，所述第一钛层、所述第二铝层、所述第三钛层和所述第四金层的厚度比为 2. 25 35 2. 25 :3。更为优选的，所述第一钛层的厚度为2. 25 KA，所述第二铝层的厚度为35 ΚΑ，所述第三钛层的厚度为2.25 ΚΑ，所述第四金层的厚度为3 ΚΑ。本发明的目的之二是这样实现的一种LED晶片正极焊垫的制作工艺，它包括以下工艺步骤
A、温度为35-40°C、真空度为3.5X10—6- 4. 5X IO^6Torr的条件下，在磊晶片上面以 2. 0-2. 5 A/S的速度蒸镀第一钛层，冷却；
B、温度为35-40°C、真空度为3.5X10—6-4.5X10-6 Torr的条件下，在步骤A得到的第一钛层上面以12-17A/S的速度蒸镀第二铝层，冷却；
C、温度为35-40°C、真空度为3.5X 10_6- 4. 5X 10_6 Torr的条件下，在步骤B得到的第二铝层上面以2. 0-2. 5A/S的速度蒸镀第三钛层，冷却；
D、温度为35-40°C、真空度为3.5X10-6- 4. 5X10-6 Torr的条件下，在步骤C得到的第三钛层上面以5-7A/S的速度蒸镀第四金层，冷却，完成LED晶片正极焊垫的制作。优选的，一种LED晶片正极焊垫及其制作工艺，它包括以下工艺步骤
3A、温度为35-40°C、真空度为4.0X10—6 Torr的条件下，在磊晶片上面以2. 2A/S的速度蒸镀第一钛层，冷却；
B、温度为35-40°C、真空度为4.0X10_6 Torr的条件下，在步骤A得到的第一钛层上面以15A/S的速度蒸镀第二铝层，冷却；
C、温度为35-40°C、真空度为4.0X10_6 Torr的条件下，在步骤B得到的第二铝层上面以2. 2A/S的速度蒸镀第三钛层，冷却；
D、温度为35-40°C、真空度为4.OX 10_6 Torr的条件下，在步骤C得到的第三钛层上面以6A/S的速度蒸镀第四金层，冷却，完成LED晶片正极焊垫的制作。其中，所述步骤A、步骤B、步骤C和步骤D中冷却的时间为15-20min。其中，所述步骤A、步骤B、步骤C和步骤D中采用电子枪蒸镀机进行蒸镀。本发明的有益效果为本发明采用第一钛层、第二铝层、第三钛层和第四金层的组合取代原来的纯金LED晶片正极焊垫，在焊垫相同厚度的情况下可以节省一半以上的黄金，大大降低了成本。根据实验情况可以看到LED晶片正极焊垫结构的改变并没有造成LED 晶片电性及外观等的改变，完全符合标准要求，可完全应用于生产中。
具体实施例方式下面通过实施例对本发明作进一步说明，但本发明的实施范围并不限于此。实施例1
一种LED晶片正极焊垫，它包括四层镀层，从下往上依次为第一钛层、第二铝层、第三钛层、第四金层，所述LED晶片正极焊垫的制作工艺，它包括以下工艺步骤
A、温度为35°C、真空度为3.5X IO-6Torr的条件下，在磊晶片上面以2. θΑ/S的速度蒸镀第一钛层，使得第一钛层的厚度为2KA，冷却15min ；
B、温度为35°C、真空度为3.5X IO-6Torr的条件下，在步骤A得到的第一钛层上面以 12A/S的速度蒸镀第二铝层，使得第二铝层的厚度为37 KA，冷却15min ；
C、温度为35°C、真空度为3.5X IO-6Torr的条件下，在步骤B得到的第二铝层上面以 2. 0A/S的速度蒸镀第三钛层，使得第三钛层的厚度为2 KA，冷却15min ；
D、温度为35°C、真空度为3.5X IO-6Torr的条件下，在步骤C得到的第三钛层上面以 5A/S的速度蒸镀第四金层，使得第四金层的厚度为2 KA，冷却15min，完成LED晶片正极焊垫的制作。实施例2
一种LED晶片正极焊垫，它包括四层镀层，从下往上依次为第一钛层、第二铝层、第三钛层、第四金层，所述LED晶片正极焊垫及其制作工艺，它包括以下工艺步骤
A、温度为35°C、真空度为4.OX 10_6 Torr的条件下，在磊晶片上面以2. 2A/S的速度蒸镀第一钛层，使得第一钛层的厚度为2. 25 KA，冷却15min ；
B、温度为35°C、真空度为4.0X10_6 Torr的条件下，在步骤A得到的第一钛层上面以 15A/S的速度蒸镀第二铝层，使得第二铝层的厚度为35 KA，冷却15min ；
C、温度为35°C、真空度为4.0X10_6Torr的条件下，在步骤B得到的第二铝层上面以 2. 2A/S的速度蒸镀第三钛层，使得第三钛层的厚度为2. 25 KA，冷却15min ；
D、温度为35°C、真空度为4.0X10—6Torr的条件下，在步骤C得到的第三钛层上面以6A/S的速度蒸镀第四金层，使得第四金层的厚度为3 KA，冷却15min，完成LED晶片正极焊垫的制作。实施例3
一种LED晶片正极焊垫，它包括四层镀层，从下往上依次为第一钛层、第二铝层、第三钛层、第四金层，所述LED晶片正极焊垫的制作工艺，它包括以下工艺步骤
A、温度为40°C、真空度为4.5 X IO-6Torr的条件下，在磊晶片上面以2. 5 A/S的速度蒸镀第一钛层，使得第一钛层的厚度为3 KA，冷却20min ；
B、温度为40°C、真空度为4.5X ΙΟ"6 Torr的条件下，在步骤A得到的第一钛层上面以 17A/S的速度蒸镀第二铝层，使得第二铝层的厚度为33 KA，冷却20min ；
C、温度为40°C、真空度为4.5X ΙΟ"6 Torr的条件下，在步骤B得到的第二铝层上面以 2. 5A/S的速度蒸镀第三钛层，使得第三钛层的厚度为3 KA，冷却20min ；
D、温度为40°C、真空度为4.5X ΙΟ"6 Torr的条件下，在步骤C得到的第三钛层上面以 7A/S的速度蒸镀第四金层，使得第四金层的厚度为4 KA，冷却20min，完成LED晶片正极焊垫的制作。外观与性能测试。1、将实施例1-3完成的LED晶片正极焊垫制作的LED晶片和43KA纯金正极焊垫制作的LED晶片高温合金后进行外观比对，外观基本上没太大变化。2、将实施例1-3完成的LED晶片正极焊垫制作的LED晶片和43KA纯金正极焊垫制作的LED晶片高温合金后进行相同条件的焊线测试，对比焊线拉力和推力，焊线使用直径为Imil正常金线，每片LED晶片各取20EA进行焊线测试，测试结果如下数据
权利要求
1.一种LED晶片正极焊垫，其特征在于它包括四层镀层，从下往上依次为第一钛层、 第二铝层、第三钛层、第四金层。
2.根据权利要求1所述的一种LED晶片正极焊垫，其特征在于所述第一钛层、所述第二铝层、所述第三钛层、所述第四金层的厚度比为2-3 :30-40 2-3 :2_4。
3.根据权利要求2所述的一种LED晶片正极焊垫，其特征在于所述第一钛层、所述第二铝层、所述第三钛层和所述第四金层的厚度比为2. 25 35 2. 25 :3。
4.根据权利要求3所述的一种LED晶片正极焊垫，其特征在于所述第一钛层的厚度为2. 25 KA，所述第二铝层的厚度为35 ΚΑ，所述第三钛层的厚度为2.25 ΚΑ，所述第四金层的厚度为3 KA0
5.如权利要求1-4任一项所述的一种LED晶片正极焊垫的制作工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤A、温度为35-40°C、真空度为3.5X10—6- 4. 5X IO^6Torr的条件下，在磊晶片上面以 2. 0-2. 5 A/S的速度蒸镀第一钛层，冷却；B、温度为35-40°C、真空度为3.5X10—6-4.5X10-6 Torr的条件下，在步骤A得到的第一钛层上面以12-17A/S的速度蒸镀第二铝层，冷却；C、温度为35-40°C、真空度为3.5X 10_6- 4. 5X 10_6 Torr的条件下，在步骤B得到的第二铝层上面以2. 0-2. 5A/S的速度蒸镀第三钛层，冷却；D、温度为35-40°C、真空度为3.5X10-6- 4. 5X10-6 Torr的条件下，在步骤C得到的第三钛层上面以5-7A/S的速度蒸镀第四金层，冷却，完成LED晶片正极焊垫的制作。
6.根据权利要求5所述的一种LED晶片正极焊垫的制作工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤A、温度为35-40°C、真空度为4.0X10—6 Torr的条件下，在磊晶片上面以2. 2A/S的速度蒸镀第一钛层，冷却；B、温度为35-40°C、真空度为4.0X10_6 Torr的条件下，在步骤A得到的第一钛层上面以15A/S的速度蒸镀第二铝层，冷却；C、温度为35-40°C、真空度为4.0X10_6 Torr的条件下，在步骤B得到的第二铝层上面以2. 2A/S的速度蒸镀第三钛层，冷却；D、温度为35-40°C、真空度为4.OX 10_6 Torr的条件下，在步骤C得到的第三钛层上面以6A/S的速度蒸镀第四金层，冷却，完成LED晶片正极焊垫的制作。
7.根据权利要求5所述的一种LED晶片正极焊垫的制作工艺，其特征在于所述步骤 A、步骤B、步骤C和步骤D中冷却的时间为15-20min。
8.根据权利要求5所述的一种LED晶片正极焊垫的制作工艺，其特征在于所述步骤 A、步骤B、步骤C和步骤D中采用电子枪蒸镀机进行蒸镀。
全文摘要
本发明属于LED晶片焊垫技术领域，具体涉及一种LED晶片正极焊垫及其制作工艺，它包括四层镀层，从下往上依次为第一钛层、第二铝层、第三钛层、第四金层。本发明采用第一钛层、第二铝层、第三钛层和第四金层的组合取代原来的纯金LED晶片正极焊垫，在焊垫相同厚度的情况下可以节省一半以上的黄金，大大降低了成本。根据实验情况可以看到LED晶片正极焊垫结构的改变并没有造成LED晶片电性及外观等的改变，完全符合标准要求，可完全应用于生产中。
文档编号C23C14/14GK102208520SQ20111013867
公开日2011年10月5日 申请日期2011年5月26日 优先权日2011年5月26日
发明者吴伯仁 申请人:东莞洲磊电子有限公司