薄膜形成方法及薄膜形成装置的制作方法

专利名称：薄膜形成方法及薄膜形成装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及薄膜形成方法及薄膜形成装置。
背景技术：
近年来，在被处理体、例如半导体晶圆上形成薄膜的情况下，寻求在低温下进行处理，例如对采用了 ALD(Atomic Layer Deposition)法的薄膜形成方法进行研究。作为该采用了 ALD法的薄膜形成方法，提出了各种方法，例如在专利文献1中公开了一种使用有机Si源在300°C 600°C这样的低温下形成薄膜的方法。专利文献1 日本特开2004-281853号公报但是，例如在采用了 ALD法的硅氧化膜的形成方法中，为了使其成膜温度为低温， 有时有机Si源采用越是低温吸附力越强的材料。但是，在采用该有机Si源时，收容半导体晶圆的处理室的开口部(炉口部分)附近的温度较低处的成膜速率较快，存在形成的薄膜的面间方向上的膜厚均勻性恶化这样的问题。

发明内容
本发明即是鉴于上述问题而做成的，其目的在于提供能够在低温下形成面间方向上的膜厚均勻性良好的薄膜的薄膜形成方法及薄膜形成装置。为了达到上述目的，本发明的第1观点的薄膜形成方法的特征在于，该薄膜形成方法包括装载工序，将被处理体收容到被加热到装载温度的反应室内；薄膜形成工序，将在上述装载工序中收容了被处理体的反应室内加热到成膜温度之后，向该反应室内供给成膜用气体而在被处理体上形成薄膜；在上述装载工序中，将上述装载温度设定为比上述成膜温度高的温度。在上述薄膜形成工序中，例如在被处理体上形成硅氧化膜。上述硅氧化膜形成工序例如包括硅吸附工序，向上述反应室内供给硅源气体 (silicon source gas)，使硅吸附于上述被处理体；氧化膜形成工序，向上述反应室内供给氧化气体，将在上述硅吸附工序中吸附的硅氧化，在上述被处理体上形成硅氧化膜；将上述硅吸附工序和上述氧化膜形成工序重复多次，在被处理体上形成硅氧化膜。也可以是在上述硅吸附工序中，将上述反应室内加热到第1成膜温度；在上述氧化膜形成工序中，将上述反应室内加热到第2成膜温度；在上述装载工序中，将装载温度设定为比上述第1成膜温度高的温度。优选在上述硅吸附工序中，上述硅源气体采用1价或2价的氨基硅烷气体。本发明的第2观点的薄膜形成装置的特征在于，该薄膜形成装置包括反应室，其用于收容被处理体；加热部件，其用于将上述反应室内加热到规定的温度；成膜用气体供给部件，其用于向上述反应室内供给成膜用气体；控制部件，其用于控制装置的各部；上述控制部件进行如下控制控制上述加热部件而将上述反应室内加热到装载温度之后，将被处理体收容到该反应室内；在控制上述加热部件而将上述反应室内加热到成膜温度之后，控制上述成膜用气体供给部件，向该反应室内供给成膜用气体而在被处理体上形成薄膜； 将上述装载温度设定为比上述成膜温度高的温度。本发明的第3观点的程序的特征在于，使计算机起到加热部件的功能，其用于将收容被处理体的反应室内加热到规定的温度；使计算机起到成膜用气体供给部件的功能， 其用于向上述反应室内供给成膜用气体；使计算机起到成膜部件的功能，其在控制上述加热部件而将上述反应室内加热到装载温度之后，将被处理体收容到该反应室内，在控制上述加热部件而将上述反应室内加热到成膜温度之后，控制上述成膜用气体供给部件，向该反应室内供给成膜用气体而在被处理体上形成薄膜，将上述装载温度设定为比上述成膜温度高的温度。采用本发明，能够在低温下形成面间方向上的膜厚均勻性良好的薄膜。将在下面的说明中阐述本发明的其它目的和优点，其部分地从下面的说明中显现或者可以通过实施本发明而了解。本发明的目的和优点可以借助于在下文中特别指示的手段和组合实现及获得。


被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的附示出本发明的实施方式， 并且与上述概略说明及下面给出的对实施方式的详细说明一起，用于解释本发明的原理。图1是表示本发明的实施方式的热处理装置的图。图2是表示图1中的控制部的结构的图。图3是说明硅氧化膜的形成方法的图。图4是表示硅氧化膜的膜厚、面内均勻性、面间均勻性与舟皿位置的关系的图。图5是表示另一实施方式的热处理装置的图。
具体实施例方式现在，将参照

基于上面给出的发现而实现的本发明的实施方式。在下面的说明中，用相同的附图标记指示具有实质相同的功能和结构的构成元件，并且仅在必需时才进行重复说明。下面，对本发明的薄膜形成方法、薄膜形成装置及程序进行说明。在本实施方式中，以本发明的薄膜形成装置使用图1所示的分批式的立式热处理装置在半导体晶圆上形成硅氧化膜的情况为例说明本发明。如图1所示，热处理装置1包括形成反应室的反应管2。反应管2例如形成为长度方向朝向垂直方向的大致圆筒状。反应管2由耐热及耐腐蚀性优良的材料、例如石英形成。在反应管2的上端设有朝向上端侧缩径地形成为大致圆锥状的顶部3。在顶部3 的中央设有用于排出反应管2内的气体的排气口 4，在排气口 4上气密地连接有排气管5。 在排气管5上设有未图示的阀、后述的真空泵127等压力调整机构，将反应管2内控制为目标压力(真空度)。在反应管2的下方设有盖体6。盖体6由耐热及耐腐蚀性优良的材料、例如石英形成。另外，盖体6利用后述的舟皿升降机1 能够上下运动地构成。于是，在利用舟皿升降机1 使盖体6上升时，反应管2的下方侧(炉口部分)关闭，在利用舟皿升降机1 使盖体6下降时，反应管2的下方侧(炉口部分)开口。在盖体6的上部设有保温筒7。保温筒7主要由平面状的加热器8和筒状的支承体9构成；上述加热器8用于防止反应管2内的由自反应管2的炉口部分散热引起的温度降低，由电阻发热体构成；上述支承体9用于将该加热器8支承在距盖体6的上表面规定的尚度。在保温筒7的上方还设有旋转台10。旋转台10起到将收容被处理体、例如半导体晶圆W的晶圆舟皿11能够旋转地载置的载置台的功能。具体地讲，在旋转台10的下部设有旋转支柱12，旋转支柱12贯穿加热器8的中央部而连接于用于使旋转台10旋转的旋转机构13。旋转机构13主要由未图示的电动机、及旋转导入部15构成，该旋转导入部15包括从盖体6的下表面侧以气密状态贯穿导入到上表面侧的旋转轴14。旋转轴14连结于旋转台10的旋转支柱12，将电动机的旋转力经由旋转支柱12传递到旋转台10。因此，在利用旋转机构13的电动机使旋转轴14旋转时，旋转轴14的旋转力被传递到旋转支柱12而使旋转台10旋转。在旋转台10上载置有晶圆舟皿11。晶圆舟皿11能够将多张半导体晶圆W在垂直方向上隔开规定间隔地收容。因此，在使旋转台10旋转时，晶圆舟皿11旋转，利用该旋转， 收容在晶圆舟皿11内的半导体晶圆W旋转。晶圆舟皿11由耐热及耐腐蚀性优良的材料、 例如石英形成。另外，在反应管2的周围，以包围反应管2的方式设有例如由电阻发热体构成的升温用加热器16。利用该升温用加热器16将反应管2的内部加热到规定的温度，结果，将半导体晶圆W加热到规定的温度。在反应管2的下端附近的侧壁中贯穿(连接)有多个处理气体导入管17。另外， 在图1中仅绘制了 1个处理气体导入管17。在处理气体导入管17上连接有未图示的处理气体供给源，自处理气体供给源将目标量的处理气体经由处理气体导入管17供给到反应管2内。作为该处理气体，存在硅源气体(有机Si源气体)、氧化气体等。有机Si源气体是用于使源(Si)吸附于被处理体的气体，在后述的吸附步骤中使用。作为有机Si源气体，例如能够列举出DIPAS( yl 乂口 O 7 S 7 *，> :二异丙基氨基硅烷)、TDMAS(卜〗J yj f > 7 S 7 *，> :三(二甲氨基)硅烷)、BTBAS(匕’^ 夕一〉Y >J 7.·子卟 7 笑 7〉，> 双叔丁基氨基硅烷)、BDMAS ( r ^ 7 ν 7
>双(二甲氨基)硅烷)、BDEAS( ' 7夕工f > 7 S 7 *，> :双(二乙基氨基)硅烷)、 DMAS(^ J ^y 7 > 二甲氨基硅烷)、D EAS(夕工手卟7笑7〉，> 二乙基氨基硅烷)、D PAS( ” 口 O τ S 7 *，> 二丙基氨基硅烷)、及 BAS( 7" ^ r ^ 7 ν 7
>丁基氨基硅烷)等氨基硅烷气体。氧化气体是用于使吸附的源(Si)氧化的气体，在后述的吸附步骤中使用。作为氧化气体，采用氧(O2)、臭氧(O3)、水蒸气等。另外，在氧化气体采用臭氧的情况下，在供给臭氧的处理气体导入管17上连接有例如将氧作为基地生成臭氧的臭氧生成装置，将利用臭氧生成装置生成的臭氧经由处理气体导入管17供给到反应管2内。在反应管2的下端附近的侧面中贯穿有吹扫气供给管18。在吹扫气供给管18上连接有未图示的吹扫气供给源，自吹扫气供给源将目标量的吹扫气、例如氮(N2)经由吹扫气供给管18供给到反应管2内。
另外，热处理装置1包括用于控制装置各部的控制部100。图2表示控制部100 的构造。如图2所示，在控制部100上连接有操作面板121、温度传感器(组)122、压力计 (组)123、加热器控制器124、MFC控制部125、阀控制部126、真空泵127、舟皿升降机128寸。操作面板121包括显示画面和操作按钮，其将操作人员的操作指示传送到控制部 100，并将来自控制部100的各种信息显示在显示画面中。温度传感器(组)122测定被设置在反应管2内部的各区中的T/C (热电偶)温度、 或者设置在升温用加热器16中的各区的T/C温度、排气管5内部的温度等，将该测定值通知给控制部100。压力计(组)123测定反应管2内、排气管5内等的各部压力，将该测定值通知给控制部100。加热器控制器IM用于分别控制加热器8和升温用加热器16，响应来自控制部 100的指示而对它们通电来将它们加热，并分别测定它们的消耗电力，通知给控制部100。MFC控制部125控制被设置在处理气体导入管17和吹扫气供给管18中的未图示的质量流量控制器(MFC)，使流到它们中的气体流量成为自控制部100指示的量，并测定实际上流过来的气体流量，通知给控制部100。阀控制部1 将配置在各管上的阀的开度控制为自控制部100指示的值。真空泵 127连接于排气管5，其用于排出反应管2内的气体。舟皿升降机1 通过使盖体6上升，将载置在旋转台10上的晶圆舟皿11 (半导体晶圆W)装载到反应管2内，通过使盖体6下降，将载置在旋转台10上的晶圆舟皿11 (半导体晶圆W)自反应管2内卸载。控制部100 由制程程序存储部 111、ROM 112、RAM 113、I/O 端口 114、CPU 115、将它们相互连接起来的总线116构成。在制程程序存储部111中存储有安装(setup)用制程程序和多个工艺用制程程序。在制造热处理装置1的最初，仅存储有安装用制程程序。安装用制程程序在生成与各热处理装置相应的热模型(model)等时执行。工艺用制程程序是针对用户所实际进行的每个热处理(工艺)准备的制程程序，例如规定从半导体晶圆W装载于反应管2到卸载处理完毕的晶圆W为止的各部的温度的变化、反应管2内的压力变化、处理气体供给的开始及停止的时机和供给量等。ROM 112由EEPR0M、闪存器、硬盘等构成，是用于存储CPU 115的动作程序等的存储介质。RAM 113作为CPU 115的工作区域(work area)发挥作用。1/0端口 114连接于操作面板121、温度传感器122、压力计123、加热器控制器 124、MFC控制部125、阀控制部126、真空泵127、舟皿升降机1 等，其用于控制数据、信号的输入输出。CPU (Central Processing Unit) 115构成控制部100的中枢，执行被存储在ROM 112中的控制程序，遵照来自操作面板121的指示，按照存储在制程程序存储部111中的制程程序(工艺用制程程序)来控制热处理装置1的动作。即，CPU 115进行控制，从而使温度传感器(组)122、压力计(组)123、MFC控制部125等测定反应管2内、处理气体导入管 17内、及排气管5内的各部的温度、压力、流量等，根据该测定数据，向加热器控制器124、 MFC控制部125、阀控制部126、真空泵127等输出控制信号等，上述各部遵照工艺用制程程序。总线116在各部之间传送信息。接着，参照图3所示的制程程序(时间序列)说明采用如上所述地构成的热处理装置1进行的硅氧化膜的形成方法。在本实施方式中，如图3所示，包括在半导体晶圆W的表面吸附硅(Si)的吸附步骤、及将吸附的Si氧化的氧化步骤，在将这些步骤作为1个循环时，通过执行(重复)多个循环、例如100个循环，在半导体晶圆W上形成有期望的硅氧化膜。另外，如图3所示，在本实施方式中，以作为有机Si源气体采用DIPAS( 二异丙基氨基硅烷)、作为氧化气体采用臭氧、作为稀释气体采用氮的情况为例说明本发明。首先，执行将作为被处理体的半导体晶圆W收容(装载)在反应管2内的装载步骤。具体地讲，在利用舟皿升降机1 使盖体6下降的状态下，如图3的(c)所示，自吹扫气供给管18向反应管2内供给规定量的氮，并利用升温用加热器16将反应管2内设定为规定的装载温度。在此，将装载温度设定为比后述的成膜温度高的温度。装载温度优选设定为比成膜温度高20°C 80°C的温度。其原因在于，在装载温度未比成膜温度高20°C以上时，在立式炉中从下方装载的装置的情况下，在反应管2内的底部这样的温度易于不稳定的部位， 反应管2内的温度有可能不稳定。具体地讲，其原因在于，较早进入到反应管2内的收容在舟皿升降机128的上部(TOP部)的半导体晶圆W易于升温，但较晚进入到反应管2内的收容在舟皿升降机128的下部(BTM部)的半导体晶圆W的温度难以上升。另一方面，在装载温度比成膜温度高80°C时，会发生温度的波动。只要花费充分的时间，温度就会稳定，但这样的话，生产能力有可能降低，因此无法得到实用的生产率。在预先设定为比成膜温度高的装载温度的情况下，能够抑制收容在BTM部中的半导体晶圆W的温度降低，而且温度的稳定化也较快，因此，半导体晶圆W之间的温度易于变均勻。装载温度更优选设定为比成膜温度高30°C 700C的温度，最优选设定为比成膜温度高400C 60°C的温度。在本例子中，如图 3的(a)所示，将装载温度设定为比成膜温度)高50°C的450°C。接着，将收容有形成硅氧化膜的半导体晶圆W的晶圆舟皿11载置在盖体6上。然后，利用舟皿升降机1 使盖体6上升，将半导体晶圆W(晶圆舟皿11)装载在反应管2内 (装载工序)。在装载结束之后，排出反应管2内的气体，将反应管2减压到规定的基本压力、例如0. 266Pa 0. 4Pa (2 X KT3Torr 3 X I(T3Torr)。在本例子中是减压到 0. 4Pa(3X IO-3Torr) 0之后，如图3的(c)所示地自吹扫气供给管18向反应管2内供给规定量的氮，将反应管2内设定为13. 3Pa 665Pa(0. ITorr 5Torr)、例如图3的(b)所示为66. 5Pa(0. 5Τοπ·)，并利用升温用加热器16将反应管2内设定为规定的成膜温度、例如图 3的(a)所示为400°C (稳定化工序)。在利用稳定化工序将反应管2内设定为成膜温度时，在反应管2内自比成膜温度高的装载温度冷却到成膜温度。这样，在反应管2开放的装载工序中将反应管2内暂时加热至装载温度之后，在反应管2关闭的稳定化工序中将反应管2内的温度冷却至成膜温度， 因此，易于将反应管2内的温度维持在以成膜温度稳定的状态。特别是，即使在温度易于降低的反应管2内的底部(BTM部)，也能够将反应管2内的温度维持在以与其他区域相同的成膜温度稳定的状态。在反应管2内以该成膜温度及压力稳定时，执行使Si吸附在半导体晶圆W的表面的吸附步骤。吸附步骤是向半导体晶圆W供给有机Si源气体而使Si吸附在其表面的工序。在吸附步骤中，如图3的(c)所示地自吹扫气供给管18向反应管2内供给规定量的氮，并且，如图3的(d)所示地自处理气体导入管17向反应管2内供给规定量的作为Si 源的DIPAS (流动(flow)工序)。供给到反应管2内的Si源在反应管2内被加热而活性化。因此，在向反应管2内供给Si源时，半导体晶圆W的表面与活性化了的Si发生反应，Si吸附在半导体晶圆W的表面。在半导体晶圆W的表面吸附规定量的Si时，停止自处理气体导入管17供给 DIPAS，并且，停止自吹扫气供给管18供给氮。然后，在排出反应管2内的气体的同时，例如图3的(c)所示地自吹扫气供给管18向反应管2内供给规定量的氮，将反应管2内的气体排出到反应管2外(吹扫、VaCUUm(真空)工序)。接着，执行将半导体晶圆W的表面氧化的氧化步骤。氧化步骤是向吸附有Si的半导体晶圆W上供给氧化气体来将吸附的Si氧化的工序。在本实施方式中，通过向半导体晶圆W上供给臭氧来将吸附的Si氧化。在氧化步骤中，利用升温用加热器16将反应管2内设定为规定的成膜温度、例如图3的(a)所示为400°C。另外，如图3的(c)所示地自吹扫气供给管18向反应管2内供给规定量的氮，并且，排出反应管2内的气体，将反应管2设定为规定的压力、例如图3的 (b)所示为66. 5Pa(0. 5Torr)。然后，自处理气体导入管17向反应管2内供给规定量的氧化气体、例如图3的(e)所示是臭氧。另外，如图3的(c)所示地自吹扫气供给管18向反应管2内供给作为稀释气体的规定量的氮(流动工序)。在此，由于反应管2内被加热到成膜温度，因此，供给到反应管2内的臭氧不会在反应管2内失活，而维持活性化的状态。在该活性化的状态的臭氧被供给到反应管2内时， 吸附在半导体晶圆W上的Si被氧化，在半导体晶圆W上形成硅氧化膜。在半导体晶圆W上形成期望的硅氧化膜时，停止自处理气体导入管17供给臭氧。 另外，停止自吹扫气体导入管18供给氮。然后，在排出反应管2内的气体的同时，例如图3 的(c)所示地自吹扫气供给管18向反应管2内供给规定量的氮，将反应管2内的气体排出到反应管2外(吹扫、Vacuum工序)。由此，由吸附步骤和氧化步骤构成的1个循环结束。接着，再次开始从吸附步骤起始的1个循环。于是，通过将该循环执行(重复)规定次、例如100循环，在半导体晶圆W 上形成目标厚度的硅氧化膜。在半导体晶圆W上形成目标厚度的硅氧化膜时，将半导体晶圆W卸载。具体地讲， 如图3的(c)所示地自吹扫气供给管18向反应管2内供给规定量的氮，使反应管2内的压力恢复到常压，并且，利用升温用加热器16将反应管2内维持在规定的温度、例如装载温度。然后，通过利用舟皿升降机1 使盖体6下降，将半导体晶圆W卸载。接着，为了确认本实施方式的效果，测定了利用本实施方式的方法(装载温度是比成膜温度GO(TC)高50°C的450°C的情况)形成的硅氧化膜的膜厚、面内方向上的膜厚均勻性、及面间方向上的膜厚均勻性(实施例)。在该实施例中，测定了在距晶圆舟皿11上端的距离(舟皿位置)不同的4处位置形成的硅氧化膜。另外，为了进行比较，即使在成膜温度是与装载温度)相同的温度400°C的情况下，也测定了利用同样的方法形成的硅氧化膜的膜厚、面内方向上的膜厚均勻性、及面间方向上的膜厚均勻性(比较例)。图4 表示该结果。如图4所示，在实施例中，能够确认在所有的舟皿位置都能够形成为大致均勻的膜厚。特别是能够确认，即使在温度易于不稳定的反应管2内的底部(BTM部)，也能够形成为与其他位置大致相同的膜厚。另一方面，在比较例中，在反应管2内的上部、中央部能够形成为与实施例大致相同的膜厚，但在BTM部，能够确认与实施例相比其他位置的膜厚产生偏差。因此，能够确认实施例的面间方向上的膜厚均勻性优于比较例的面间方向上的膜厚均勻性。另外，对于面内方向上的膜厚均勻性，实施例、比较例没有很大的差别。这样能够确认，通过实施本实施方式的硅氧化膜的形成方法，能够在低温下形成面间方向上的膜厚均勻性良好的硅氧化膜。另外，对于装载温度比成膜温度高20°c、4(rc、6(rc、8(rc的情况进行了同样的测定之后，能够确认在所有的舟皿位置都能够形成为大致均勻的膜厚，面间方向上的膜厚均勻性优良。像以上说明的那样，采用本实施方式，由于装载温度被设定为比成膜温度高的温度，因此，能够在低温下形成面间方向上的膜厚均勻性良好的硅氧化膜。另外，本发明并不限定于上述实施方式，能够进行各种变形、应用。下面，说明能够应用于本发明的其他实施方式。在上述实施方式中，以在半导体晶圆W上形成有硅氧化膜的情况为例说明了本发明，但形成的薄膜并不限定于硅氧化膜，也可以是硅氮化膜等各种薄膜。在上述实施方式中，以作为硅源气体(有机Si源气体)采用DIPAS、作为氧化气体采用臭氧的情况为例说明了本发明，但有机Si源气体并不限定于DIPAS，只要是在低温下吸附力较强的气体，就能够采用各种气体。在半导体晶圆W上形成硅氧化膜的情况下，作为有机Si源气体，优选采用1价或2价的氨基硅烷气体。氧化气体并不限定于臭氧，也可以采用氧、水蒸气。在这种情况下，不必使用用于生成臭氧的臭氧生成装置，能够简化装置的构造。另一方面，在氧化气体采用臭氧的情况下，能够使成膜温度为低温。在上述实施方式中，以成膜温度为400°C的情况为例说明了本发明，但成膜温度并不限定于400°C，例如优选为室温 600°C左右。但是，根据使用的有机Si源气体的种类， 存在优选的温度范围，例如在有机Si源气体采用TDMAS的情况下，成膜温度优选设定为室温 550°C，在有机Si源气体采用BTBAS的情况下，成膜温度优选设定为室温 600°C。另外，在上述实施方式中，以吸附步骤的成膜温度和氧化步骤的成膜温度均为 400°C的情况为例说明了本发明，但也可以将吸附步骤的成膜温度和氧化步骤的成膜温度设定为不同的温度。在这种情况下，通过将装载温度设定为比吸附步骤的成膜温度高的温度、特别是高20°C 80°C的温度，能够在低温下形成面间方向上的膜厚均勻性良好的硅氧化膜。在上述实施方式中，作为热处理装置，以单管构造的分批式热处理装置的情况为例说明了本发明，但也能够将本发明应用于例如反应管2由内管和外管构成的双重管构造的分批式立式热处理装置。另外，如图5所示，也可以是在装置内部配置有等离子体产生器 22的热处理装置21。在热处理装置21中，通过自处理气体导入管17供给氧等使其通过等离子体产生器22，生成以氧为基的氧自由基，将生成的氧自由基供给到反应管2内。本发明的实施方式的控制部100不采用专用的系统，而使用通常的计算机系统就能够实现。例如通过自容纳有用于执行上述处理的程序的记录介质(软盘、CD-ROM等)在通用计算机上安装该程序，能够构成执行上述处理的控制部100。而且，用于供给这些程序的手段是任意的。除了如上所述地能够通过规定的记录介质供给之外，例如也可以通过通信线路、通信网络、通信系统等来供给。在这种情况下，例如也可以在通信网络的公告板(BBS)上公布该程序，将其通过网络与输送波重叠地提供。 然后，通过起动这样地提供的程序，在OS的控制下与其他的应用程序同样地执行，能够执行上述处理。产业上的可利用件本发明可用于在低温下形成薄膜。本申请以2010年12月观日向日本专利局提交的日本专利申请编号第 2010-293816号为基础主张优先权的利益，其全部公开内容作为参照包含在本说明书中。
权利要求
1.一种薄膜形成方法，其特征在于， 该薄膜形成方法包括装载工序，将被处理体收容到被加热到装载温度的反应室内； 薄膜形成工序，将在上述装载工序中收容了被处理体的反应室内加热到成膜温度之后，向该反应室内供给成膜用气体而在被处理体上形成薄膜；在上述装载工序中，将上述装载温度设定为比上述成膜温度高的温度。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于， 在上述薄膜形成工序中，在被处理体上形成硅氧化膜。
3.根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于， 上述硅氧化膜形成工序包括硅吸附工序，向上述反应室内供给硅源气体，使硅吸附于上述被处理体； 氧化膜形成工序，向上述反应室内供给氧化气体，将在上述硅吸附工序中吸附的硅氧化，在上述被处理体上形成硅氧化膜；将上述硅吸附工序和上述氧化膜形成工序重复多次，在被处理体上形成硅氧化膜。
4.根据权利要求3所述的薄膜形成方法，其特征在于， 在上述硅吸附工序中，将上述反应室内加热到第1成膜温度； 在上述氧化膜形成工序中，将上述反应室内加热到第2成膜温度； 在上述装载工序中，将装载温度设定为比上述第1成膜温度高的温度。
5.根据权利要求3所述的薄膜形成方法，其特征在于，在上述硅吸附工序中，上述硅源气体采用1价或2价的氨基硅烷气体。
6.一种薄膜形成装置，其特征在于， 该薄膜形成装置包括反应室，其用于收容被处理体；加热部件，其用于将上述反应室内加热到规定的温度；成膜用气体供给部件，其用于向上述反应室内供给成膜用气体；控制部件，其用于控制装置的各部；上述控制部件进行如下控制控制上述加热部件，将上述反应室内加热到装载温度，之后，将被处理体收容到该反应室内；控制上述加热部件，将上述反应室内加热到成膜温度，之后，控制上述成膜用气体供给部件，向该反应室内供给成膜用气体，在被处理体上形成薄膜； 将上述装载温度设定为比上述成膜温度高的温度。
全文摘要
本发明提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成装置的控制部在控制升温用加热器而将反应管内加热到装载温度之后，在反应管内收容半导体晶圆。接着，控制部在控制升温用加热器而将收容有半导体晶圆的反应管内加热到成膜温度之后，自处理气体导入管向反应管内供给成膜用气体而在半导体晶圆上形成薄膜。另外，控制部将装载温度设定为比成膜温度高的温度。
文档编号C23C16/40GK102569030SQ20111044872
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月28日 优先权日2010年12月28日
发明者世良贤太郎, 周保华, 山本和弥, 池内俊之 申请人:东京毅力科创株式会社