专利名称：酸性高纯钼铝蚀刻液制备装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种金属材料的化学蚀刻用的蚀刻液的制备装置，具体涉及一种酸性高纯钥铝蚀刻液制备装置。
背景技术：
蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的。现有技术中钥铝蚀刻液呈酸性，主要由磷酸、硝酸和醋酸经搅拌混匀过滤制得，上述蚀刻液已广泛应用于薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD)、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)等行业用作面板过程中钥层和铝层的蚀刻中。现有的蚀刻液在制备过程中，混合之前对原料(尤其指磷酸)不进行处理，使得蚀刻液颗粒度大，颗粒杂质多、纯度低。在试剂蚀刻钥铝材料过程中，造成蚀刻液分散不均匀，从而使得不同金属层的蚀刻量难以控制，影响产品的良率。·近年来，人们对液晶显示器的需求量不断增加的同时,对产品的质量和画面精度也提出了更高的要求，而蚀刻的效果能直接导致电路板制造工艺的好坏，影响高密度细导线图像的精度和质量。若要满足人们对图像精度和质量提出的更高要求，本领域技术人员就有必要对现有的钥铝蚀刻液的相关技术做出进一步改进。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种蚀刻液粒度小，纯度高的酸性高纯钥铝蚀刻液制备装置。本实用新型的目的是这样实现的一种酸性高纯钥铝蚀刻液制备装置，所述制备装直包括憐Ife储te、醋Ife储te、硝Ife储te、精懼塔、混合te、隔I吴栗、超滤装直和成品te ；所述混合罐进口连接有磷酸储罐、醋酸储罐和硝酸储罐，所述磷酸储罐与混合罐之间串联有精懼塔；所述混合罐出口与超滤装置进口相连，所述混合罐出口与超滤装置进口的连接管道上设置有隔膜泵；所述超滤装置出口与成品罐进口相连。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是本实用新型在磷酸、醋酸、硝酸混合之前，先将磷酸精馏提纯，然后加入助剂在混合罐中充分混合，混合后再经过超滤膜进行超滤，使得蚀刻液颗粒度小，颗粒杂质含量少、纯度高，所得蚀刻液与带有光阻图形的基板能充分接触并均匀地渗透至光刻胶底部，与现有钥铝蚀刻液相比，该蚀刻液对不同金属的蚀刻速度基本一致，反应稳定；蚀刻后的基板表面整洁，无残留，无金属间分层现象，剩余线条平整。
图I为本实用新型酸性高纯钥铝蚀刻液制备装置的结构示意图。其中[0012]磷酸储罐I、醋酸储罐2、硝酸储罐3、精馏塔4、混合罐5、隔膜泵6、超滤装置7、成品8。
具体实施方式
参见图1，本实用新型涉及的一种酸性高纯钥铝蚀刻液制备装置，所述制备装置包括憐Ife储te I、醋Ife储te 2、硝酸储3、精懼塔4、混合5、隔I旲栗6、超滤装直7和成品
8 ；所述混合罐5进口连接有磷酸储罐I、醋酸储罐2和硝酸储罐3，所述磷酸储罐I与混合罐5之间串联有精馏塔4 ； 所述混合罐5出口与超滤装置7进口相连，所述混合罐5出口与超滤装置7进口的连接管道上设置有隔膜泵6 ;所述超滤装置7出口与成品罐8进口相连。使用方法本实用新型酸性高纯钥铝蚀刻液制备装置使用方法，包括如下加工步骤先将磷酸精馏提纯，然后加入混合罐，并在混合罐中加入醋酸和硝酸，在混合罐中混合搅拌均匀，然后向混合罐中加入属硝酸盐、氯化钾纯水充分搅拌，混合均匀后通过隔膜泵提升至超滤装置超滤，得到纯净度高、液粒细小的钥铝蚀刻液成品。所得钥铝蚀刻液中颗粒度大于0. 3 y m的颗粒不超过100个，杂质阴离子不超过30ppb,杂质阳离子不超过0. 05ppb,与带有光阻图形的基板能充分接触并均匀地渗透至光刻胶底部，与现有钥铝蚀刻液相比，该蚀刻液对不同金属的蚀刻速度基本一致，反应稳定；蚀刻后的基板表面整洁，无残留，无金属间分层现象，剩余线条平整。
权利要求1.一种酸性高纯钥铝蚀刻液制备装置，其特征在于所述制备装置包括磷酸储罐(I)、醋酸储罐(2)、硝酸储罐(3)、精馏塔(4)、混合罐(5)、隔膜泵(6)、超滤装置(7)和成品罐(8)； 所述混合罐(5 )进口连接有磷酸储罐(I)、醋酸储罐(2 )和硝酸储罐(3 )，所述磷酸储罐(I)与混合罐(5)之间串联有精馏塔(4)； 所述混合罐(5 )出口与超滤装置(7 )进口相连，所述混合罐(5 )出口与超滤装置(7 )进口的连接管道上设置有隔膜泵(6);所述超滤装置(7)出口与成品罐(8)进口相连。
专利摘要本实用新型涉及一种酸性高纯钼铝蚀刻液制备装置，所述制备装置包混合罐(5)，所述混合罐(5)进口连接有磷酸储罐(1)、醋酸储罐(2)和硝酸储罐(3)，所述磷酸储罐(1)与混合罐(5)之间串联有精馏塔(4)；所述混合罐(5)出口与超滤装置(7)进口相连，所述混合罐(5)出口与超滤装置(7)进口的连接管道上设置有隔膜泵(6)；所述超滤装置(7)出口与成品罐(8)进口相连。本实用新型在磷酸、醋酸、硝酸混合之前，先通过离子交换树脂进行处理，混合后再经过超滤膜进行超滤，使得蚀刻液颗粒度小，颗粒杂质含量少、纯度高。
文档编号C23F1/20GK202519334SQ20122004928
公开日2012年11月7日 申请日期2012年2月16日 优先权日2012年2月16日
发明者戈士勇, 沈翠芬, 盛建伟 申请人:江阴润玛电子材料股份有限公司