一种短流程高效高硅钢薄带的冷轧制备方法

文档序号:3315502阅读:244来源:国知局
一种短流程高效高硅钢薄带的冷轧制备方法
【专利摘要】本发明的目的在于提供一种短流程高效高硅钢薄带的冷轧制备方法。其内容就是通过快速凝固方法制备高硅钢薄带,通过冷轧方法降低其厚度,并改善表面质量,提高其高频磁性能。快速凝固可以改善高硅钢的塑性,得到具有一定塑性的薄带,薄带可以卷绕成卷。之后进行冷轧,进一步降低高硅钢的有序度,改善其塑性,得到高硅钢薄带卷。快速凝固得到的薄带,晶粒尺寸明显减小,有序度明显降低,而显微硬度变化不大,这将有利于下一步的冷轧。冷轧过程中,控制轧制第一道次的压下量,使其塑性进一步改善,从而可以得到最薄为0.02mm厚度的薄带。因本方法制备高硅钢薄带生产效率高,产品质量好,可在工业上广泛实现,因而具有广阔的应用前景。
【专利说明】一种短流程高效高硅钢薄带的冷轧制备方法 【技术领域】
[〇〇〇1] 本发明基于金属材料制备【技术领域】,涉及高硅钢的快速高效短流程制备方法。 技术背景
[0002] 高硅钢一般指含硅量超过3.5% (重量比,下同)的硅钢。与普通硅钢(含硅量 < 3. 5% )相比,高硅钢,特别是含硅6. 5%的高硅钢具有较高的电阻率和磁导率、较低的矫 顽力、接近于零的磁致伸缩系数等特点,因而具有较低的铁损和磁致伸缩,对降低能耗、减 小噪音具有重要意义。
[0003] 但正是由于硅含量的提高,高硅钢的室温塑性非常差,难以采用传统的热冷、冷轧 方法大规模生产该合金薄板。因此人们通过采用特殊的制备方法,避开其室温脆性来制备 该合金薄板,快速凝固方法就是其中的一种。其特点就是采用特殊的冷却介质,使其在液 态下快速凝固。G. E. Fish 等在 Journal of Applied Physics, 64(10) :5370, 1988, Freque ncy dependence of core loss in rapidly quenched Fe_6. 5wt. % Si 中报道用快速凝固法 制备该合金薄带。即直接由液态合金单棍甩带,得到薄而窄的合金薄带。A. H. Kasama等 在 Materials Science and Engineering A, 449-451:375-377, 2007,Magnetic properties evaluation of spray formed and rolled Fe_6. 5wt. % Si_l. Owt. % A1 alloy 中报道利用 喷射成形方法制备合金板坯,而后采用热轧、冷轧的方法制备该合金薄板。喷射成形得到的 板材在热处理之后热轧、冷轧,可以得到0. 6mm厚的薄板。其中冷轧是在500°C下进行的, 并非严格的室温轧制。由于喷射成形产生的孔洞比较多,得到的该合金薄板磁性能不太理 想。另外 Υ· 〇no 等在 Journal of Alloys and Compounds, 289:277-284, 1999, Production process of grain orientation-controlled Fe-6. 5mass% Si alloy fiber using spinning in gas atmosphere followed by winding in rotating liquid 中手艮道利用水纺的方法制备 该合金细丝,可以制备得到直径在100微米以下,长度超过10米的高硅钢丝材。利用这种 方法只能制得丝状样品,不能得到板状样品。
[0004] 利用快速凝固方法制备的高硅钢薄带,结合后续冷轧的方法得到厚度可控的高硅 钢薄带是本专利的特点。快速凝固制备的薄带由于从无序相区快冷,最大程度抑制了高娃 钢有序相的生成和长大,薄带具有一定的弯折能力,可以进行缠绕。同时薄带还具有塑性加 工能力,可利用冷轧方法对薄带进行后续加工。后续加工不仅可以提高其表面质量,还可以 进一步减小厚度,进一步提1--频磁性能。随着电器应用频率的升1?,铁芯铁损严重。本发 明制备的高硅钢薄带适合在高频使用,特别是在10kHz以上的高频。
【发明内容】

[0005] 本发明的目的在于提供一种短流程高效高硅钢薄带的冷轧制备方法。其内容就是 通过快速凝固方法制备高硅钢薄带,通过冷轧方法降低其厚度,并改善表面质量,提高其高 频磁性能。快速凝固可以改善高硅钢的塑性,得到具有一定塑性的薄带,薄带可以卷绕成 卷。之后进行冷轧,进一步降低高硅钢的有序度,改善其塑性,得到高硅钢薄带卷。快速凝 固得到的薄带,晶粒尺寸明显减小,有序度明显降低,而显微硬度变化不大,这将有利于下 一步的冷轧。冷轧过程中,控制轧制第一道次的压下量,使其塑性进一步改善,从而可以得 到最薄为0. 02mm厚度的薄带。
[0006] 具体的工艺流程为:
[0007] (1)原料准备:以工业纯铁(工业纯铁DT0,铁含量99.5% )、晶体硅(纯度为 99. 9% )为原料,按硅含量6. 5wt. %的比例进行配比。
[0008] (2)快速凝固甩带:对原料进行加热熔炼,在熔融液态下,利用甩带法将其快速凝 固,得到厚度在〇. 03-0. 06mm的高硅钢薄带。
[0009] (3)冷轧:将快速凝固得到的合金薄带进行冷轧,控制压下量,得到厚度在 0. 02-0. 05mm的薄板。本发明的冷轧第一道次压下量为15?25%,之后反复冷轧,直至厚 度达到 0. 02-0. 05mm。
[0010] ⑷最终热处理:将冷轧得到的薄带卷绕成卷,表面涂上绝缘层,在1100°C、2?5h 保温退火后炉冷,得到磁性能优异的高硅钢薄带。
[〇〇11] 本发明的优点在于:
[〇〇12] 将快速凝固甩带法与冷轧法相结合,突破了传统高硅钢难以冷轧的特点。通过快 速凝固方法得到晶粒尺寸细小,有序度较小的高硅钢薄带,提高了高硅钢的塑性,从而可以 成卷并进行冷加工。
[0013] 在薄带快速凝固的过程中,贴辊一侧的金属液受到冷却铜辊的激冷作用而快速凝 固为固态。凝固过程中由于体积变化,在贴辊一侧的薄带会形成微小的凹坑。在远离铜辊的 一侧,金属液的凝固较为自由,整体表面粗糙度大,影响后续缠绕的装配系数。而冷轧加工, 不仅可以提高薄带的表面质量,提高装配系数,并且由于厚度的降低,使其高频下铁损进一 步降低。
[0014] 冷轧时第一道次采用较大的压下量,阻止中间裂纹的产生。同时由于较大的变形 量,进一步降低有序合金的有序度,提高塑性,使后面的冷轧顺利进行。
[0015] 本发明利用快速凝固法,提高合金的变形能力,实现合金的冷轧变形。由于快速凝 固甩带法制备流程短,并且甩带高硅钢薄带具有一定的塑性,可以弯曲成卷,并且具有一定 的冷加工塑性变形能力,可以进一步冷轧,得到的薄带厚度可控,表面质量好。因其生产效 率高,产品质量好,可在工业上广泛实现,因而具有广阔的应用前景。 【专利附图】

【附图说明】
[0016] 图1高硅钢快速凝固冷轧制备薄带工艺路线
[0017] 图2高娃钢快速凝固冷乳制备薄带磁性能对比 【具体实施方式】
[0018] 对于硅含量6. 5wt. %的高硅钢,利用快速凝固冷轧制备薄带方法得到磁性能优异 的高娃钢薄带,薄带厚度0. 02-0. 05mm,具体实施方案如下:
[0019] 实施例1
[〇〇2〇] 通过快速凝固方法制备高硅钢薄带,利用冷轧方法进一步降低其厚度,并改善表 面质量,提高其高频磁性能。冷轧过程中,控制轧制第一道次的压下量,使其塑性进一步改 善,从而可以得到0.02mm厚度的薄带。其工艺路线如图1所示。
[0021] 具体的工艺流程为:
[0022] (1)原料准备:以工业纯铁(工业纯铁DT0,铁含量99.5% )、晶体硅(纯度为 99. 9% )为原料,按硅含量6. 5wt. %的比例进行配比。
[0023] (2)快速凝固甩带:对原料进行加热熔炼,在熔融液态下,利用甩带法将其快速凝 固,得到厚度在〇. 〇3mm的高硅钢薄带。
[0024] (3)冷轧:将快速凝固得到的合金薄带进行冷轧,控制压下量,第一道次压下量控 制在15%,之后每道次压下量10%,3道次后得到厚度为0. 02mm的薄带。
[0025] (4)最终热处理:将冷轧得到的薄带卷绕成卷,表面涂上绝缘层,在1100°C、2h保 温退火后炉冷,得到磁性能优异的高硅钢薄带,薄带磁性能:
【权利要求】
1. 一种短流程高效高硅钢薄带的冷轧制备方法,其特征在于通过快速凝固方法制备高 硅钢薄带,随后利用冷轧方法进一步降低其厚度,改善表面质量,提高高频磁性能;冷轧过 程中,控制轧制第一道次的压下量,使其塑性进一步改善,从而可以得到厚度可控的范围在 0. 02-0. 05mm厚度的薄带;具体的工艺流程为: (1) 原料准备:以工业纯铁、晶体硅为原料,按硅含量6. 5wt. %的比例进行配比;工业 纯铁:铁含量99. 5%,晶体硅纯度为99. 9% ; (2) 快速凝固甩带:对原料进行加热熔炼,在熔融液态下,利用甩带法将其快速凝固, 得到厚度在〇. 03-0. 06mm的高硅钢薄带; (3) 冷轧:将快速凝固得到的合金薄带进行冷轧,控制压下量,得到厚度在 0. 02-0. 05mm的薄板;本发明的冷轧第一道次压下量为15?25 %,之后反复冷轧,直至厚度 达到(λ 02-0. 05mm ; (4) 最终热处理:将冷轧得到的薄带卷绕成卷,表面涂上绝缘层,在1100°C、2?5h保 温退火后炉冷,得到磁性能优异的高硅钢薄带。
【文档编号】B22D11/06GK104046758SQ201410276483
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年6月19日 优先权日:2014年6月19日
【发明者】梁永锋, 林均品, 叶丰, 王帅, 蒋一鸣, 张来启, 郝国建 申请人:北京科技大学
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