技术总结
本发明提供一种边磁铁框架及磁控溅射设备，其环绕设置在反应腔室的侧壁一侧，且位于靠近用于承载晶片的下电极的位置处，该边磁铁框架包括环形支撑件，在该环形支撑件上设置有沿其周向间隔设置的多个安装组件，每个安装组件用于可选择地将边磁铁固定在环形支撑件的径向上的不同位置处。本发明提供的边磁铁框架，其可以根据不同工艺的需要灵活地调节由边磁铁产生的磁场在反应腔室内的磁场强度，从而可以提高工艺均匀性。
技术研发人员：宿晓敖;
受保护的技术使用者：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;
文档号码：201410795295
技术研发日：2014.12.19
技术公布日：2016.07.20