1.一种石墨烯透明电极薄膜的制备方法，其特征在于：以氧化还原石墨片为石墨烯溅射的靶材元素，借助双阴极辉光等离子放电作用在基体表面溅射沉积石墨烯薄膜，其具体步骤如下：
(1)将基体用丙酮进行超声清洗，将预处理好的基体放入等离子溅射炉体内的载物台上，并用保温套罩住，基体上方的氧化还原石墨片为源极靶材，基体与靶材之间的间距为工件的极间距；
(2)在基片表面形成一层等离子辉光放电，同时靶材表面也形成一层等离子辉光放电区，由两层等离子辉光放电区交叠增强成膜效率；
(3)打开等离子溅射成膜设备以及与其配套的冷水泵等，使用机械泵对镀膜炉体抽压，使炉内保持高真空状态；
(4)向炉内充入氩气至15-25Pa，重新抽到极限真空度，如此往复2-3次，以尽可能排除炉内的空气；
(5)充入氩气，打开工件电源施加电压，对试样进行预轰击；
(6)预轰击之后调至工作气压，将源极电压调整到试验值，使工件和源极达到工作温度，稳定各工艺参数并开始保温10-30min；
(7)依次关闭源极电源、阴极电源和气源，将炉内抽到极限真空，冷却到室温出炉。
2.根据权利要求1所述的石墨烯透明电极薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，基体与靶材之间的极间距保持在18-22mm。
3.根据权利要求1所述的石墨烯透明电极薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，使用机械泵将镀膜炉体气压抽至2-5Pa，再使用分子泵将炉体气压进一步抽至(3-6)×10-4Pa。
4.根据权利要求1所述的石墨烯透明电极薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(5)中，充入氩气到30-35Pa，打开工件电源并施加300-400V电压，对试样进行10分钟左右预轰击。
5.根据权利要求1所述的石墨烯透明电极薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(6)中，工作气压为400-500V，源极电压试验值为800-950V，工作温度为500-650℃。