技术总结
本实用新型涉及一种化学机械研磨装置，化学机械研磨装置包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；翻转单元，其使得完成研磨工艺的基板垂直地配置于垂直清洗位置；预备清洗单元，其对配置于垂直清洗位置的基板进行预备清洗(pre‑cleaning)，从而可得到的有利的效果在于，有效地清除残存于基板的异物，并且提高基板的清洗效率。
技术研发人员：孙昞澈
受保护的技术使用者：K.C.科技股份有限公司
文档号码：201621404350
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.09.19