掩模组件、用其制造显示装置的设备和方法以及显示装置与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年8月8日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0100880的韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。

一个或者多个实施方式大致涉及显示装置，以及更具体地，涉及掩模组件、使用掩模组件制造显示装置的方法和设备、以及显示装置。

背景技术：

移动电子装置目前被广泛地使用。这种移动电子装置的示例是平板个人计算机(pc)，以及诸如移动电话的小型电子装置。

为了支持各种功能，移动电子装置包括显示装置以向用户提供诸如图像的可视信息。随着组成显示装置的部件已经变得小型化，电子装置内的显示装置的重要性已经逐渐增加，从而导致用于可从平坦状态弯曲成具有预定角度的显示器的结构的发展。

技术实现要素：

在使用相关技术的掩模组件的情况下，显示区域仅可被制造成具有矩形或者正方形的形状，以及因此将显示区域应用于多种产品可能具有困难。

一个或多个实施方式包括可用于制造多种形状的显示装置的掩模组件、用于制造显示装置的方法和设备以及显示装置。

将在以下描述中部分地阐述附加方面，以及附加方面将部分地通过该描述而显而易见，或者可通过对所提出的实施方式的实践而习得。

根据一个或多个实施方式，掩模组件包括：掩模框架；至少两个掩模片，至少两个掩模片安装在掩模框架上，至少两个掩模片中的每个包括多个开口；以及至少两个薄屏蔽板，至少两个薄屏蔽板安装在掩模框架上，使得至少两个薄屏蔽板彼此间隔开以及屏蔽至少两个掩模片中的每个的多个开口的一部分，其中，至少两个掩模片和至少两个薄屏蔽板中的一个包括位于彼此间隔开的至少两个薄屏蔽板之间的屏蔽部，屏蔽部选择性地阻挡多个开口中的至少部分，从而形成具有除矩形或者正方形之外的形状的沉积区。

屏蔽部可包括第一屏蔽部，第一屏蔽部包括薄屏蔽板的一部分以及突出至沉积区。

屏蔽部可包括第二屏蔽部，第二屏蔽部屏蔽多个开口中的位于沉积区中的一部分，掩模片包括第二屏蔽部。

屏蔽部可包括：第一屏蔽部，第一屏蔽部包括薄屏蔽板的一部分以及突出至沉积区；以及第二屏蔽部，第二屏蔽部屏蔽多个开口中的位于沉积区中的一部分，掩模片包括第二屏蔽部。

第一屏蔽部可与第二屏蔽部至少部分地重叠。

第二屏蔽部中的至少一部分可具有薄于掩模片的厚度的厚度。

屏蔽部可屏蔽位于沉积区的边界处的至少一个开口的至少一部分。

掩模片可包括第一材料，以及薄屏蔽板可包括与第一材料不同的第二材料。

根据一个或多个实施方式，用于制造显示装置的设备包括：掩模组件；源单元，源单元面对掩模组件以及配置为供给沉积材料；以及磁场生成单元，磁场生成单元配置为将掩模组件朝向显示衬底引导。掩模组件包括：掩模框架；至少两个掩模片，至少两个掩模片安装在掩模框架上，至少两个掩模片中的每个包括多个开口；以及至少两个薄屏蔽板，至少两个薄屏蔽板安装在掩模框架上，使得至少两个薄屏蔽板彼此间隔开以及屏蔽至少两个掩模片中的每个的多个开口的一部分，其中，至少两个掩模片和至少两个薄屏蔽板中的一个包括位于彼此间隔开的至少两个薄屏蔽板之间的屏蔽部，屏蔽部选择性地阻挡多个开口中的至少部分，从而形成具有除矩形或者正方形之外的形状的沉积区。

屏蔽部可包括第一屏蔽部，第一屏蔽部包括薄屏蔽板的一部分以及突出至沉积区。

屏蔽部可包括第二屏蔽部，第二屏蔽部设置在掩模片中以及屏蔽多个开口中的位于沉积区中的一部分。掩模片可包括第二屏蔽部。

屏蔽部可包括：第一屏蔽部，第一屏蔽部包括薄屏蔽板的一部分以及突出至沉积区；以及第二屏蔽部，第二屏蔽部屏蔽多个开口中的位于沉积区中的一部分。掩模片可包括第二屏蔽部。

第一屏蔽部可与第二屏蔽部至少部分地重叠。

第二屏蔽部中的至少一部分可具有薄于掩模片的厚度的厚度。

掩模片可包括第一材料，以及薄屏蔽板可包括与第一材料不同的第二材料。

根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：将掩模组件布置成使得掩模组件面对显示衬底；通过使用磁场生成单元将力施加至掩模组件以及将掩模组件朝向显示衬底引导；以及从源单元发射沉积材料，以允许沉积材料穿过掩模组件，以及将沉积材料沉积在显示衬底上。掩模组件包括：掩模框架；至少两个掩模片，至少两个掩模片安装在掩模框架上，至少两个掩模片中的每个包括多个开口；以及至少两个薄屏蔽板，至少两个薄屏蔽板安装在掩模框架上，使得至少两个薄屏蔽板彼此间隔开以及屏蔽至少两个掩模片中的每个的多个开口的一部分，其中，至少两个掩模片和至少两个薄屏蔽板中的一个包括位于彼此间隔开的至少两个薄屏蔽板之间的屏蔽部，屏蔽部选择性地阻挡多个开口中的至少部分，从而形成具有除矩形或者正方形之外的形状的沉积区。

屏蔽部可包括第一屏蔽部，第一屏蔽部包括薄屏蔽板的一部分以及突出至沉积区。

屏蔽部可包括第二屏蔽部，第二屏蔽部设置在掩模片中以及屏蔽多个开口中的位于沉积区中的一部分。掩模片可包括第二屏蔽部。

屏蔽部可包括：第一屏蔽部，第一屏蔽部包括薄屏蔽板的一部分以及突出至沉积区；以及第二屏蔽部，第二屏蔽部设置在掩模片中以及屏蔽多个开口中的位于沉积区中的一部分。掩模片可包括第二屏蔽部。

第一屏蔽部可与第二屏蔽部至少部分地重叠。

第二屏蔽部中的至少一部分可具有薄于掩模片的厚度的厚度。

沉积沉积材料还可包括在真空中将沉积材料沉积在显示衬底上。

屏蔽部可屏蔽位于沉积区的边界处的至少一个开口的至少一部分。

沉积沉积材料还可包括将沉积材料沉积在显示衬底的非发射区上。

掩模片可包括与薄屏蔽板的材料不同的材料。

根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：将掩模组件布置成使得掩模组件面对显示衬底；通过使用磁场生成单元将力施加至掩模组件以及将掩模组件朝向显示衬底引导；以及通过从源单元发射沉积材料在显示衬底的像素限定层上方形成虚设中间层，允许沉积材料穿过掩模组件，在显示衬底上方形成多个中间层，以及形成显示区域，其中，显示区域包括除矩形或者正方形之外的形状。

中间层可具有与虚设中间层的面积不同的面积。

虚设中间层可具有小于中间层的面积的面积。

中间层和虚设中间层可包括相同的材料。

虚设中间层可布置在非发射区中。

根据一个或多个实施方式，显示装置包括：显示衬底；像素限定层，像素限定层位于显示衬底上方，像素限定层的一部分开口；中间层，中间层位于像素限定层的开口的部分；以及虚设中间层，虚设中间层位于像素限定层上方。

中间层可具有与虚设中间层的面积不同的面积。

虚设中间层可具有小于中间层的面积的面积。

虚设中间层可布置在非发射区中。

中间层和虚设中间层可包括相同的材料。

中间层和虚设中间层可分别包括多个中间层和多个虚设中间层，多个虚设中间层布置在多个中间层的外部。

中间层可包括彼此间隔开的多个中间层以及可形成具有除矩形或者正方形之外的形状的显示区域。

该一般和具体方面可通过使用系统、方法和计算机程序或者特定系统、方法和计算机程序的组合来实现。

实施方式可沉积不是矩形或者正方形的形状。另外，实施方式可通过使显示衬底与掩模片之间的间隙更均匀来提高沉积效率和沉积精度。

实施方式可使得在沉积期间产生的沉积缺陷最小化。

附图说明

这些和/或其它方面将通过以下结合附图对实施方式作出的描述而变得显而易见和更易于理解，在附图中：

图1是根据实施方式的掩模组件的立体图；

图2是图1所示的掩模组件中所包括的掩模片和薄屏蔽板的平面图；

图3是包括图1所示的掩模组件的、用于制造显示装置的设备的剖视图；

图4是由图3所示的设备制造的显示装置的平面图；

图5是沿图4的线v-v'作出的图4的显示装置的剖视图；

图6是示出图5所示的中间层和虚设中间层的布置的平面图；

图7是根据另一个实施方式的掩模组件的立体图；

图8是图7所示的掩模片和薄屏蔽板的平面图；

图9是沿线ix-ix'作出的图8的掩模片的剖视图；

图10是包括图7所示的掩模组件的、用于制造显示装置的设备的剖视图；

图11是示出由图10所示的设备沉积的中间层和虚设中间层的布置的平面图；

图12是根据另一个实施方式的掩模组件的立体图；

图13是图12所示的掩模组件的掩模片和薄屏蔽板的平面图；

图14是用于制造显示装置的设备的剖视图，该设备包括图12所示的掩模组件；以及

图15是示出由图14所示的设备沉积的中间层与虚设中间层的布置的平面图。

具体实施方式

因为发明构思允许各种变化和许多实施方式，所以将在附图中示出以及将在书面描述中详细地描述示例性实施方式。当参考参照附图描述的实施方式时，发明构思的效果和特性以及实现该发明构思的方法将变得显而易见。然而，本发明构思可以以许多不同的形式实施，以及不应当理解为限制于本文所陈述的示例性实施方式。

在下文中，将参照附图更全面地描述发明构思，附图中示出发明构思的示例性实施方式。当参照附图作出描述时，附图中相同的附图标记表示相同元件或者对应元件，以及将省略其重复的描述。

如本文中所使用的术语“和/或”包括相关所列项目的一个或者多个的任意或者全部组合。

将理解，虽然术语“第一”、“第二”等可在文本中用于描述各种部件，但是这些部件不应当被这些术语限制。这些部件仅仅用于将一个部件与另一个部件区分。

除非上下文中明确另有表示，否则如本文中所使用的单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式。

还将理解，本文中使用的术语“包括(comprise)”和/或“包括有(comprising)”说明所陈述的特征或者部件的存在，但是不排除一个或者多个其它特征或者部件的存在或者附加。

将理解，当层、区或者部件被称作形成在另一层、另一区或者另一部件上时，其可直接或者间接地形成在该另一层、另一区或者另一部件上。即，例如，可存在中间层、中间区或者中间部件。

为便于解释，附图中元件的尺寸可被夸大。即，因为附图中的部件的尺寸和厚度被任意地示出以便于解释，所以下文的实施方式不限制于此。因此，各图可未被标度。

在下文的示例中，x轴、y轴和z轴不限制于直角坐标系的三个轴，以及可在更广的含义下解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可代表不彼此垂直的不同的方向。

当某个实施方式可不同地被实现时，具体过程顺序可与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的过程可大致同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。全部数值是近似的以及可变化。具体材料和成分的全部示例将仅视作为非限制性以及示例性的。可代替使用其它合适材料和成分。

图1是根据实施方式的掩模组件150的立体图。图2是图1所示的掩模组件150的掩模片152和薄屏蔽板153的平面图。图3是包括图1所示的掩模组件150的、用于制造显示装置的设备100的剖视图。

参照图1至图3，掩模组件150可包括掩模框架151、掩模片152、薄屏蔽板153和支承框架154。

在掩模组件150中，多个掩模框架151可彼此连接从而在其间形成空间。

至少两个掩模片152可被设置以及安装在掩模框架151上，使得掩模片152彼此间隔开。在这种情况下，掩模片152可沿第一方向(例如，图1的y轴方向)依次布置。

可在掩模片152的纵长方向上在掩模片152中布置多个开口152-1。在这种情况下，多个开口152-1可彼此间隔开预定间隙，以及可大致占据掩模片152的全部表面。

多个开口152-1可包括沉积区s内部的第一开口152-1a以及沉积区s的边缘处的第二开口152-1b。

薄屏蔽板153可安装在掩模框架151上。在这种情况下，薄屏蔽板153可以是多个薄屏蔽板，该多个薄屏蔽板可安装在掩模框架151上，使得薄屏蔽板153彼此间隔开。沉积区s可由薄屏蔽板153之间的区域限定。具体地，沉积区s可具有除矩形或者正方形之外的形状。例如，从平面上看沉积区s的形状可以是三角形、多边形、椭圆形或者圆形。

薄屏蔽板153可包括安装在掩模框架151上的薄屏蔽板主体部153-1和从薄屏蔽板主体部153-1突出的第一屏蔽部153-2。

薄屏蔽板主体部153-1可包括直线形板或者线性板。在这种情况下，薄屏蔽板主体部153-1可在例如垂直于掩模片152的纵长方向的方向(或者，第一方向)上布置从而沿图1的y轴方向延伸。

第一屏蔽部153-2可在掩模片152的纵长方向上从薄屏蔽板主体部153-1突出。在这种情况下，第一屏蔽部153-2可与薄屏蔽板主体部153-1限定沉积区s的形状边缘。具体地，第一屏蔽部153-2可限定沉积区s的边缘的部分，以及可与薄屏蔽板主体部153-1形成预定角度、弯曲部分等。

第一屏蔽部153-2可屏蔽沉积区s中的多个开口152-1中的一部分。例如，第一屏蔽部153-2可屏蔽沉积区s的边缘(或者边界)附近的第二开口152-1b的一部分。在这种情况下，沉积材料可穿过第二开口152-1b的仅一部分。

薄屏蔽板153和掩模片152可包括彼此不同的材料。例如，薄屏蔽板153可包括奥氏体不锈钢，以及掩模片152可包括镍钢合金(殷钢)。

可在薄屏蔽板153和掩模片152被延伸时将薄屏蔽板153和掩模片152固定至掩模框架151。在这种情况下，薄屏蔽板153和掩模片152可经由焊接被固定至掩模框架151。

支承框架154可位于相邻掩模片152之间。支承框架154的两端可插入至掩模框架151中。在这种情况下，支承框架154可将掩模片152之间的间隙屏蔽，以及也可支承掩模片152，从而防止掩模片152下沉。

用于制造显示装置的设备100可包括腔室110、第一支承件120、第二支承件130、掩模组件150、源单元140、磁场生成单元160、可视单元170和压力调节器180。

腔室110可包括其内部的空间，以及腔室110可具有开口。在这种情况下，在腔室110的开口上可安装有闸门阀110-1，以及腔室110可通过闸门阀110-1的操作来打开或者关闭。

第一支承件120可在其上安放显示衬底d以及支承显示衬底d。在这种情况下，第一支承件120可具有支架形式以及可被固定在腔室110内部。在另一个实施方式中，第一支承件120可具有可在其上安放显示衬底d的梭运件形式，以及可在腔室110内部线性地移动。在下文中，为了便于描述，主要描述具有支架形式以及被固定在腔室110内部的第一支承件120的情况。

第二支承件130可在其上安放掩模组件150。在这种情况下，第二支承件130可位于腔室110内部。第二支承件130可精细调节掩模组件150的位置。在这种情况下，第二支承件130可包括单独的驱动器或者对准单元等，以用于在不同方向上移动掩模组件150。

源单元140可面对掩模组件150。在这种情况下，源单元140可接纳沉积材料以及通过施加热量至沉积材料将沉积材料蒸发或者升华。

磁场生成单元160可位于腔室110内部以及可面对显示衬底d。在这种情况下，磁场生成单元160可通过将磁力施加至掩模片152而透过显示衬底d将力施加至掩模组件150。具体地，磁场生成单元160可不仅防止掩模片152下沉，而且还可允许掩模片152接近显示衬底d。同时，磁场生成单元160可相对于掩模片152的纵长方向维持掩模片152与显示衬底d之间的均匀间隙。

可视单元170可安装在腔室110上以及可拍摄显示衬底d和掩模组件150的位置。在这种情况下，可视单元170可包括拍摄显示衬底d和掩模组件150的照相机。显示衬底d和掩模组件150的位置可基于由可视单元170拍摄的图像而被识别。然后，第二支承件130可基于图像精细调节掩模组件150的位置。

压力调节器180可被连接到腔室110，以及可调节腔室110内部气体的压力。例如，压力调节器180可将腔室110内部的压力调节为与大气压相同或者相似的压力水平。另外，压力调节器180可将腔室110内部的压力调节为与真空状态的压力相同或者相似的水平。

压力调节器180可包括连接至腔室110的连接管181以及安装在连接管181上的泵182。在这种情况下，根据泵182的操作，外部空气可经由连接管181被引入，或者腔室110内部的气体可经由连接管181被引导至外部。

同时，用于制造显示装置的设备100可用来制造下文将要描述的显示装置(未示出)。当压力调节器180将腔室110内部的压力调节为与大气压相同或者相似的水平时，闸门阀110-1可操作为打开腔室110。

之后，显示衬底d可从腔室110外部插入至腔室110内部。在这种情况下，显示衬底d可通过各种方法插入至腔室110中。例如，显示衬底d可经由设置在腔室110外部的机械臂等从腔室110外部插入至腔室110内部。在另一个实施方式中，在第一支承件120具有梭运件形式的情况下，第一支承件120从腔室110内部运送至腔室110外部，以及随后显示衬底d可经由设置在腔室110外部的单独的机械臂等被安放在第一支承件120上方。随后，第一支承件120从腔室110外部插入至腔室110内部。在下文中，为了便于描述，主要描述显示衬底d经由设置在腔室110外部的机械臂从腔室110外部插入至腔室110内部的情况。

掩模组件150可位于如上所述的腔室110内部。在另一个实施方式中，与显示衬底d相同或者相似，掩模组件150可从腔室110外部插入至腔室110内部。然而，在下文中，为了便于描述，主要描述仅显示衬底d从腔室110外部插入至腔室110内部而掩模组件150已经位于腔室110内部的情况。

当显示衬底d插入至腔室110内部时，显示衬底d可被安放在第一支承件120上方。在这种情况下，可视单元170可拍摄显示衬底d和掩模组件150的位置。具体地，可视单元170可拍摄显示衬底d的第一对准标记和掩模组件150的第二对准标记。

显示衬底d和掩模组件150的位置可基于拍摄的第一对准标记和拍摄的第二对准标记而识别。在这种情况下，用于制造显示装置的设备100可包括单独的控制器(未示出)以及可识别显示衬底d和掩模组件150的位置。

当显示衬底d和掩模组件150的位置已被识别时，第二支承件130可精细调节掩模组件150的位置。

之后，源单元140可将沉积材料操作和供给至掩模组件150。已经穿过多个开口152-1的沉积材料可沉积在显示衬底d上。在这种情况下，泵182可通过抽取腔室110内部的气体以及排放抽取的气体来将腔室110内部的压力维持在与真空状态的压力相同或者相似的水平。

在以上情况下，沉积材料可穿过沉积区s中的第一开口152-1a，以及可沉积在显示衬底d上。另外，沉积材料可穿过沉积区s的边缘处的第二开口152-1b的一部分，以及可沉积在显示衬底d上。在这种情况下，沉积区s可具有除了或者不同于矩形或者正方形的形状。

因此，掩模组件150、用于制造显示装置的设备100以及制造显示装置的方法可用于在显示衬底d上沉积具有除矩形或者正方形之外的形状的显示区域。

在下文中描述经由掩模组件150制造的显示装置、用于制造显示装置的设备100以及制造显示装置的方法。

图4是由图3所示的设备制造的显示装置的平面图。图5是沿图4的线v-v'作出的图4的显示装置的剖视图。图6是示出图5所示的中间层和虚设中间层的布置的平面图。

参照图4至图6，显示装置20中可限定有衬底21上方的显示区域da以及显示区域da周围的非显示区域nda。发射部可位于显示区域da中，以及电力线路(未显示)等可位于非显示区域nda中。另外，焊盘部c可位于非显示区域nda中。

显示装置20可包括显示衬底d、显示衬底d上的中间层28-2和虚设中间层o以及中间层28-2和虚设中间层o上的相对电极28-3。另外，显示装置20可包括相对电极28-3上方的薄膜封装层e。

显示衬底d可包括衬底21、薄膜晶体管(tft)、钝化层27和像素电极28-1。

衬底21可包括塑料材料以及可包括诸如不锈钢(sus)或者ti的金属材料。另外，衬底21可包括聚酰亚胺(pi)。在下文中，为了便于描述，主要描述衬底21包括pi的情况。

tft可位于衬底21上方，钝化层27可覆盖tft，以及有机发光二极管(oled)28可位于钝化层27上方。

包括有机化合物和/或无机化合物的缓冲层22被沉积在衬底21上方。缓冲层22可包括siox(x≥1)和/或sinx(x≥1)。

在有源层23以预定图案被形成在缓冲层22上方之后，有源层23被栅绝缘层24覆盖。有源层23可包括源区23-1和漏区23-3，以及还可包括源区23-1与漏区23-3之间的沟道区23-2。

有源层23可包括各种材料。例如，有源层23可包括诸如非晶硅或者晶体硅的无机半导体材料。作为另一个示例，有源层23可包括氧化物半导体。作为另一个示例，有源层23可包括有机半导体材料。然而，在下文中，为了便于描述，主要描述有源层23包括非晶硅的情况。

有源层23可通过在缓冲层22上方形成非晶硅层、将非晶硅层结晶从而形成多晶硅层以及将多晶硅层图案化来形成。有源层23的源区23-1和漏区23-3可根据诸如驱动tft(未示出)或者开关tft(未示出)的tft的类型而用杂质掺杂。

与有源层23对应的栅电极25以及覆盖栅电极25的层间绝缘层26被形成在栅绝缘层24上方。

另外，在层间绝缘层26和栅绝缘层24中形成有接触孔h1。然后，源电极27-1和漏电极27-2被形成在层间绝缘层26上方，使得源电极27-1和漏电极27-2通过接触孔h1分别与源区23-1和漏区23-3接触。

钝化层27被形成在tft上方，以及oled28的像素电极28-1被形成在钝化层27上方。像素电极28-1通过在钝化层27中形成的过孔h2与tft的漏电极27-2接触。钝化层27可包括包括有无机材料和/或有机材料的单层或者两个或更多层。钝化层27可包括具有上部平坦表面而与下部层的弯曲无关的平整化层，或者钝化层27可根据位于钝化层27下方的层的弯曲而弯曲。另外，钝化层27可包括透明绝缘层，以及因此可具有谐振效应。

在像素电极28-1被形成在钝化层27上方之后，包括有机材料和/或无机材料的像素限定层29被形成为覆盖像素电极28-1和钝化层27。像素电极28-1被暴露。

另外，中间层28-2和相对电极28-3被形成在至少像素电极28-1上方。在另一个实施方式上，相对电极28-3可形成在显示衬底d的全部表面上方。在这种情况下，相对电极28-3可被形成在中间层28-2、像素限定层29和虚设中间层o的上方。在下文中，为了便于描述，主要描述相对电极28-3被形成在中间层28-2、像素限定层29和虚设中间层o上方的情况。

像素电极28-1用作阳电极，以及相对电极28-3用作阴电极。然而，像素电极28-1与相对电极28-3的极性可以是相反的。

像素电极28-1与相对电极28-3通过中间层28-2彼此绝缘，以及通过将不同极性的电压施加至像素电极28-1和相对电极28-3，光从有机发射层被发射。

中间层28-2可包括有机发射层。作为实施方式，中间层28-2可包括有机发射层以及还可包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)中的至少一个。实施方式不限制于此，然而，以及中间层28-2可例如包括有机发射层以及还可包括各种功能层(未示出)。

在这种情况下，中间层28-2可通过上述用于制造显示装置的设备100形成。

另外，当形成中间层28-2时，虚设中间层o可被形成在像素限定层29上方。当已经穿过第一开口152-1a的沉积材料沉积在显示衬底d上以及形成中间层28-2时，已经穿过第二开口152-1b的沉积材料可沉积在显示衬底d上以及可形成虚设中间层o。

在这种情况下，虚设中间层o和中间层28-2可包括相同材料。具体地，虚设中间层o和中间层28-2中的每个可包括有机发射层、hil、htl、etl、eil和功能层中的至少一个。

中间层28-2可设置为多个中间层28-2，以及多个中间层28-2可形成显示区域da。具体地，多个中间层28-2可形成除矩形或者正方形之外的形状的显示区域da。在这种情况下，多个中间层28-2可在显示区域da内部彼此间隔开。

虚设中间层o可设置为多个虚设中间层o，多个虚设中间层o可布置在显示区域da的边缘(或者，边界)处。具体地，多个虚设中间层o可布置在多个中间层28-2外部。在这种情况下，多个虚设中间层o可布置在非显示区域nda中。因此，虚设中间层o可不发光。

虚设中间层o中的至少一个可具有与中间层28-2中的一个的面积不同的面积。具体地，虚设中间层o中的至少一个可具有比中间层28-2的面积小的面积。由于第一屏蔽部153-2，所以第二开口152-1b中的至少一个的面积可比第一开口152-1a中的一个的面积小。在这种情况下，已经穿过被第一屏蔽部153-2部分屏蔽的第二开口152-1b的沉积材料沉积在比中间层28-2的面积小的面积上，从而形成较小的虚设中间层o。

同时，一个单元像素包括多个子像素。多个子像素可发出各种颜色的光。例如，多个子像素可包括分别发出红光、绿光和蓝光的子像素，以及可包括分别发出红光、绿光、蓝光和白光的子像素(未示出)。

子像素可包括一个中间层28-2。在这种情况下，在形成一个子像素的情况下，中间层28-2和虚设中间层o可通过上述用于制造显示装置的设备100形成。

同时，薄膜封装层e可包括多个无机层，或者无机层和有机层。

薄膜封装层e的有机层包括聚合物，以及可包括包括有聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、pi、聚碳酸酯(pc)、环氧树脂、聚乙烯(pe)和聚丙烯酸酯中的一种的单层或者堆叠层。有机层可包括聚丙烯酸酯。有机层可包括包括有基于二丙烯酸的单体和基于三丙烯酸的单体的聚合物单体成分。单体成分还可包括基于单体丙烯酸的单体。另外，单体成分还可包括公知的光引发剂，诸如三甲基苯甲酰二苯膦氧化物(tpo)，但是发明构思的实施方式不限制于此。

薄膜封装层e的无机层可以是包括金属氧化物或者金属氮化物中的一种的单层或者堆叠层。无机层可包括sinx、al2o3、sio2和tio2中的一种。

薄膜封装层e的最上层暴露，以及因此可包括无机层从而防止水分传输至oled28中。

薄膜封装层e可包括至少一个这样的层叠结构，在该至少一个层叠结构中，至少一个有机层插入在至少两个无机层之间。作为另一个示例，薄膜封装层e可包括至少一个这样的层叠结构，在该至少一个层叠结构中，至少一个无机层插入在至少两个有机层之间。作为又一个示例，薄膜封装层e可包括至少一个这样的层叠结构，在该至少一个层叠结构中，至少一个有机层插入在至少两个无机层之间；以及也可包括至少一个这样的层叠结构，在该至少一个层叠结构中，至少一个无机层插入在至少两个有机层之间。

薄膜封装层e可包括依次布置在oled28上方的第一无机层、第一有机层和第二无机层。

作为另一个示例，薄膜封装层e可包括依次布置在oled28上方的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。

作为另一个示例，薄膜封装层e可包括依次布置在oled28上方的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。

另外，在oled28与第一无机层之间可包括包括有lif的卤化金属层。当第一无机层被喷射在oled28上时，卤化金属层可防止oled28损伤。

第一有机层可具有比第二无机层的面积小的面积。第二有机层可具有比第三无机层的面积小的面积。

因此，显示装置20可实现具有除矩形或者正方形之外的形状的显示区域。

图7是根据另一个实施方式的掩模组件150a的立体图。图8是图7所示的掩模片152a和薄屏蔽板153a的平面图。图9是沿图8的线ix-ix'作出的掩模片152a的剖视图。图10是包括图7所示的掩模组件150a的、用于制造显示装置的设备100a的剖视图。图11是示出由图10所示的设备100a沉积的中间层28-2和虚设中间层o的布置的平面图。

参照图7至图11，掩模组件150a可包括掩模框架151a、掩模片152a、薄屏蔽板153a和支承框架154a。在这种情况下，因为掩模框架151a和支承框架154a与上述内容大致相同，所以省略对这部分内容的描述。

掩模片152a可包括多个开口152a-1。在这种情况下，多个开口152a-1可在掩模片152a的纵长方向上形成在掩模片152a的整个表面上。

掩模片152a可包括屏蔽多个开口152a-1中的一部分的第二屏蔽部152a-3。在这种情况下，第二屏蔽部152a-3可具有与掩模片152a的其余部分的厚度不同的厚度。例如，第二屏蔽部152a-3可具有比掩模片152a的形成有开口152a-1的部分的厚度薄的厚度。

开口152a-1的面对支承框架154a的部分可通过蚀刻形成。当需要时，开口152a-1可通过执行两次蚀刻形成。在这种情况下，第二屏蔽部152a-3的一侧可在形成开口152a-1时完成第一次蚀刻之后形成。因此，第二屏蔽部152a-3可具有比掩模片152a的其余部分的厚度薄的厚度。

下文描述制造掩模片152a的方法。首先，可制备用于制造掩模片152a的预制件。之后，可通过在预制件上涂覆光刻胶以及对光刻胶曝光而在光刻胶中形成开口图案。在这种情况下，光刻胶可布置在预制件的用于形成第二屏蔽部152a-3的部分上方，以及可完全地屏蔽预制件的该部分。

另外，在开口图案经由曝光而被形成在光刻胶中之后，可喷涂蚀刻溶液，或者可将激光照射至预制件上。在这种情况下，蚀刻溶液或者激光可经由开口图案到达预制件，以及蚀刻预制件的一侧。

之后，去除光刻胶，以及可将树脂涂覆在蚀刻的预制件的一侧。再一次将光刻胶涂覆在预制件的已经涂覆有树脂的侧面的相对侧面上，以及可在光刻胶中形成开口图案。在这种情况下，预制件的用于形成第二屏蔽部152a-3和开口152a-1的部分可被曝光。

之后，可通过去除光刻胶和树脂以及随后蚀刻曝光的预制件而形成开口152a-1和第二屏蔽部152a-3。

第二屏蔽部152a-3可设置为多个第二屏蔽部152a-3。在这种情况下，多个第二屏蔽部152a-3可彼此间隔开。例如，多个第二屏蔽部152a-3可在掩模片152a的宽度方向上彼此间隔开。同时，多个第二屏蔽部152a-3可在掩模片152a的纵长方向上彼此间隔开。具体地，在多个第二屏蔽部152a-3之中，在掩模片152a的纵长方向上彼此间隔开的第二屏蔽部152a-3可与薄屏蔽板153a一起限定沉积区s。

薄屏蔽板153a可具有具备平坦形状的板的形式。在这种情况下，薄屏蔽板153a可设置为多个薄屏蔽板153a，以及多个薄屏蔽板153a可在掩模片152a的纵长方向上彼此间隔开。

由薄屏蔽板153a和第二屏蔽部152a-3限定的沉积区s可具有除正方形或者矩形之外的形状。

同时，用于制造显示装置的设备100a可包括腔室110a、第一支承件120a、第二支承件130a、掩模组件150a、源单元140a、磁场生成单元160a、可视单元170a和压力调节器180a。在这种情况下，因为腔室110a、第一支承件120a、第二支承件130a、源单元140a、磁场生成单元160a、可视单元170a和压力调节器180a与上述内容相同或者相似，所以省略对这部分内容的描述。

现在描述制造显示装置的方法。首先，显示衬底d插入至腔室110a中，以及随后掩模组件150a被布置为面对显示衬底d。

然后，经由可视单元170a识别掩模组件150a和显示衬底d的位置，以及随后可经由第二支承件130a将掩模组件150a与显示衬底d对准。

磁场生成单元160a可将磁力施加至掩模组件150a，从而将掩模片152a联接至显示衬底d。在这种情况下，磁场生成单元160a可将磁力施加至掩模片152a。具体地，在薄屏蔽板153a的边界部分与开口152a-1重叠的情况下，由磁场生成单元160a施加至掩模片152a的磁力可被弱化，或者可在薄屏蔽板153a的边界部分产生排斥力。在这种情况下，第二屏蔽部152a-3可通过屏蔽多个开口152a-1中的位于薄屏蔽板153a的边界部分处的部分来去除在薄屏蔽板153a的边界部分产生的排斥力。即，磁场生成单元160a可通过将吸引力施加至第二屏蔽部152a-3来部分地抵消在薄屏蔽板153a的边界部分处产生的排斥力。

源单元140a可将沉积材料操作和供给至显示衬底d。在这种情况下，沉积材料可穿过掩模片152a的开口152a-1以及可沉积在显示衬底d上。

沉积在显示衬底d上的沉积材料可形成虚设中间层o和中间层28-2。在这种情况下，虚设中间层o和中间层28-2可分别设置为多个虚设中间层o和多个中间层28-2，以及多个中间层28-2可形成显示区域da。具体地，如上所述，显示区域da可具有除正方形或者矩形之外的形状。

多个虚设中间层o中的至少一个可具有等于或者小于中间层28-2的面积的面积。在这种情况下，多个虚设中间层o可布置在多个中间层28-2的外部。具体地，多个虚设中间层o可布置在非显示区域nda中，以及因此可不发光。

因此，掩模组件150a、用于制造显示装置的设备100a以及制造显示装置的方法可用于沉积不是矩形或者正方形的形状。另外，通过使得显示衬底d与掩模片152a之间的间隙更均匀，掩模组件150a、用于制造显示装置的设备100a以及制造显示装置的方法可提高沉积效率和沉积精度。掩模组件150a、用于制造显示装置的设备100a以及制造显示装置的方法可一并用于使得在沉积期间产生的沉积缺陷最小化。

图12是根据另一个实施方式的掩模组件150b的立体图。图13是图12所示的掩模片152b和薄屏蔽板153b的平面图。图14是用于制造显示装置的设备100b的剖视图，该设备100b包括图12所示的掩模组件150b。图15是示出由图14所示的设备100b沉积的中间层28-2与虚设中间层o的布置的平面图。

参照图12至图15，掩模组件150b可包括掩模框架151b、掩模片152b、薄屏蔽板153b和支承框架154b。在这种情况下，因为掩模框架151b和支承框架154b与上述内容相同或者相似，所以省略对这部分内容的描述。

掩模片152b和薄屏蔽板153b中的至少一个可包括限定沉积区s的屏蔽部(未显示)。在这种情况下，屏蔽部可包括薄屏蔽板153b的第一屏蔽部153b-2和掩模片152b的第二屏蔽部152b-3。

掩模片152b可包括多个开口152b-1。在这种情况下，多个开口152b-1可在掩模片152b的纵长方向上彼此间隔开预定间隙。另外，多个开口152b-1可在掩模片152b的纵长方向上形成在掩模片152b的整个表面上。

第二屏蔽部152b-3可屏蔽多个开口152b-1中的一部分。在这种情况下，第二屏蔽部152b-3可屏蔽布置在第一屏蔽部153b-2的边界处的至少一个开口152b-1。

薄屏蔽板153b可设置为多个薄屏蔽板153b，以及多个薄屏蔽板153b可在掩模片152b的纵长方向上彼此间隔开。具体地，多个薄屏蔽板153b可与布置在掩模片152b之间的支承框架154b限定一个显示区域da。

薄屏蔽板153b可包括形成为平坦形状的薄屏蔽板主体部153b-1以及从薄屏蔽板主体部153b-1突出的第一屏蔽部153b-2。第一屏蔽部153b-2可在相邻薄屏蔽板153b之间突出。在这种情况下，相邻薄屏蔽板153b的第一屏蔽部153b-2可彼此面对。

第一屏蔽部153b-2的至少一部分可与第二屏蔽部152b-3的至少一部分重叠。第一屏蔽部153b-2可布置在第二屏蔽部152b-3的边缘部。第一屏蔽部153b-2的边缘部可布置在第二屏蔽部152b-3的区的内部。具体地，在这种情况下，第二屏蔽部152b-3的一部分可与第一屏蔽部153b-2重叠，以及第二屏蔽部152b-3的另一部分可突出至沉积区s而非第一屏蔽部153b-2中。

第二屏蔽部152b-3的至少一部分可具有与掩模片152b的厚度不同的厚度。第二屏蔽部152b-3的至少一部分可具有薄于掩模片152b的厚度的厚度。在这种情况下，因为形成第二屏蔽部152b-3的厚度的方法与上述方法相同或者相似，所以省略对这部分内容的描述。

用于制造显示装置的设备100b可包括腔室110b、第一支承件120b、第二支承件130b、掩模组件150b、源单元140b、磁场生成单元160b、可视单元170b和压力调节器180b。在这种情况下，因为腔室110b、第一支承件120b、第二支承件130b、源单元140b、磁场生成单元160b、可视单元170b和压力调节器180b与上述内容相同或者相似，所以省略对这部分内容的描述。

现描述制造显示装置的方法。首先，显示衬底d被插入腔室110b中，以及随后掩模组件150b可被布置为面对显示衬底d。另外，掩模组件150b和显示衬底d可经由可视单元170b拍摄，以及随后掩模组件150b和显示衬底d可被对准。

当完成显示衬底d和掩模组件150b对准时，磁场生成单元160b和源单元140b可操作。在这种情况下，磁场生成单元160b可将掩模组件150b联接至显示衬底d。在这种情况下，来自磁场生成单元160b的磁力可将掩模片152b朝向显示衬底d移动。在这种情况下，当薄屏蔽板153b的边界与开口152b-1重叠时，在薄屏蔽板153b的上表面上薄屏蔽板153b的边界处可产生排斥力。在这种情况下，在掩模片152b与显示衬底d之间的边界处产生的分离可比其它部分更大，以及已经穿过开口152b-1的沉积材料可能按照可能不均匀的沉积图案沉积在显示衬底d上。然而，磁场生成单元160b可将吸引力施加至第一屏蔽部153b-2，从而解决以上解释的由排斥力引起的问题。具体地，通过防止显示衬底d和掩模片152b在第二屏蔽部152b-3的部分浮动，第一屏蔽部153b-2可允许沉积材料更均匀地沉积在显示衬底d上。另外，第一屏蔽部153b-2可防止在显示衬底d处产生沉积缺陷。

在如上所述将沉积材料沉积在显示衬底d上的情况下，虚设中间层o和中间层28-2可形成在显示衬底d上。在这种情况下，虚设中间层o和中间层28-2可分别设置为彼此间隔开的多个虚设中间层o和多个中间层28-2。

多个虚设中间层o中的至少一个可具有小于多个中间层28-2中的一个的面积的面积。具体地，经由布置在第一屏蔽部153b-2和第二屏蔽部152b-3中的至少一个的边界处的开口152b-1沉积的虚设中间层o可具有小于中间层28-2的面积的面积。

当如上所述形成多个中间层28-2和虚设中间层o时，多个中间层28-2可形成显示区域da。在这种情况下，多个虚设中间层o可布置在位于显示区域da外部的非显示区域nda中。另外，显示区域da可具有除正方形或者矩形之外的形状。

因此，掩模组件150b、用于制造显示装置的设备100b以及制造显示装置的方法可用于沉积不是矩形或者正方形的形状。另外，通过使得显示衬底d与掩模片152b之间的间隙更均匀，掩模组件150b、用于制造显示装置的设备100b以及制造显示装置的方法可提高沉积效率和沉积精度。掩模组件150b、用于制造显示装置的设备100b以及制造显示装置的方法可用于使得在沉积期间产生的沉积缺陷最小化。

虽然已参照附图中示出的实施方式描述了发明构思，但这仅仅出于说明性目的，以及本领域普通技术人员将理解，在不背离如所附权利要求所限定的发明构思的精神和范围的前提下，可对其作出各种形式和细节方面的改变及其等同。以上描述的多种特征及其它实施方式能够以任意方式被组合和匹配，从而产生与本发明一致的另外的实施方式。