技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体生产设备及其清洗方法，半导体生产设备的清洗方法包括如下步骤：将反应腔室内的温度自第一预设温度以预设的降温速率快速降温至第二预设温度，以使得沉积于反应腔室侧壁的薄膜在热应力的作用下裂解剥落；将反应腔室内的压强调整至于预设压强以下周期性震荡变化，并于上述压强条件下使用清洗气体对反应腔室进行清洗，以将剥落的薄膜颗粒自反应腔室内排出。本发明通过快速降温和腔室内的压强周期性震荡可以使得沉积于反应腔室侧壁的薄膜在热应力的作用下裂解剥落，在后续的清洗过程中将剥落的薄膜排出反应腔室，可以有效地降低微尘粉粒的产生，从而提高产品的良率，同时可以降低机台维护周期，降低生产成本。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
技术研发日：2017.09.06
技术公布日：2018.01.12