本实用新型涉及涂层技术领域，特别涉及涂层生产中的一种靶材真空清洗隔离装置。
背景技术：
在涂层生产过程中，通常先抽真空，加热，再清洗靶材，再进行工件离子刻蚀，最后涂层。在清洗靶材时，被涂层的工件已经在设备里面，在真空状态及480度温度下，在靶材表面形成电弧，去除靶材表面一层组织。由于现有的靶材都是敞开式的，靶材前面没有任何遮挡。从而，在靶材清洗的时候，靶材挥发产生的物质直接会接触到工件，虽然靶材清洗干净了，但是却产生了工件被靶材清洗所产生的废料污染的风险。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种靶材真空清洗隔离装置，可以保证在靶材清洗时不会污染工件。
为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：一种靶材真空清洗隔离装置，包括挡板、上支撑结构和下支撑结构，该挡板设置于真空腔体内，所述挡板通过上支撑结构设置于真空腔体的上腔壁上，挡板通过下支撑结构设置于真空腔体的下腔壁上，所述挡板的后方设有靶材，所述上支撑结构包括气动元件、N极磁铁和S极磁铁，真空腔体的上腔壁上开设有开孔，该开孔的上侧设有非金属件，所述N极磁铁位于非金属件的上方，该N极磁铁与气动元件连接，所述S极磁铁位于开孔的下方 ，该S极磁铁与所述挡板的上端相接，所述下支撑结构为一轴承支撑件，该轴承支撑件的内腔为锥形腔，所述挡板的下端设有一连接轴，该连接轴连接于轴承支撑件的内腔中。
进一步的，所述S极磁铁由半块强磁铁和半块非磁性材料组成。
进一步的，气动元件与控制系统连接。
本实用新型的有益效果是：在靶材清洗时，气动元件转动，通过S极磁铁和N极磁铁的强磁性作用，带动挡板转动，从而关闭挡板，靶材清洗时挥发的物质被挡板挡住，留在挡板上，从而不会污染真空腔室以及真空腔室内的工件。靶材清洗完成后，在气动元件、S极磁铁和N极磁铁的配合下，将挡板打开，以进行后续的涂层加工工序。真空腔室的上腔壁的开孔上通过非金属件进行密封，不仅保证了真空腔体的密封性，而且非金属件又不会削弱磁性的强度，随着时间的延长，不会被磁化，有效保证了N极磁铁和S极磁铁的高磁性。另外，本实用新型的上支撑结构的设计，在挡板转动的过程中，挡板上端以及上支撑结构不与真空腔体的上腔壁接触，不会产生转动引起的漏气风险及磨损问题，有效的保证了腔体的密封性，保证了工件的安全性。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
如图1所示，一种靶材真空清洗隔离装置，包括挡板1、上支撑结构和下支撑结构，该挡板1设置于真空腔体内，所述挡板1通过上支撑结构设置于真空腔体的上腔壁上，挡板1通过下支撑结构设置于真空腔体的下腔壁上，所述挡板1的后方设有靶材，所述上支撑结构包括气动元件2、N极磁铁3和S极磁铁4，真空腔体的上腔壁上开设有开孔5，该开孔5的上侧设有非金属件6，所述N极磁铁3位于非金属件6的上方，该N极磁铁3与气动元件2连接，所述S极磁铁4位于开孔5的下方 ，该S极磁铁4与所述挡板1的上端相接，所述下支撑结构为一轴承支撑件7，该轴承支撑件7的内腔为锥形腔，所述挡板1的下端设有一连接轴8，该连接轴8连接于轴承支撑件7的内腔中，连接轴8的下端为与轴承支撑件7的锥形腔配合的锥形结构。
进一步说，所述S极磁铁4由半块强磁铁和半块非磁性材料组成。
进一步说，气动元件2与控制系统连接。
在靶材清洗时，控制系统控制气动元件2转动，并在S极磁铁4和N极磁铁3的强磁性作用下，带动挡板1转动，从而关闭挡板1，达到开关的作用，靶材清洗时其表面挥发的物质被挡板1挡住，留在挡板1上，从而不会污染真空腔室以及真空腔室内的工件。靶材清洗完成后，在气动元件2、S极磁铁4和N极磁铁3的配合下，挡板1打开，以进行后续的涂层加工工序。
真空腔室的上腔壁的开孔5上通过非金属件6进行密封，不仅保证了真空腔体的密封性，而且非金属件6又不会削弱磁性的强度，随着时间的延长，不会被磁化，有效保证了N极磁铁3和S极磁铁4的高磁性。另外，本实用新型的上支撑结构的设计，在挡板1转动的过程中，挡板上端以及上支撑结构不与真空腔体的上腔壁接触，不会产生转动引起的漏气风险及磨损问题，有效的保证了腔体的密封性，防止在高温下因漏气造成的工件被氧化的现象发生，保证了工件的安全性。下支撑结构设计为轴承支撑件7，轴承支撑件7可以便于挡板下端的连接轴8以及挡板1的转动，且轴承支撑件7的内腔与连接轴8之间存在一定的间隙，可以让挡板1有一定角度的摆动。轴承支撑件7的内腔为锥形腔，形成锥形支撑，可以减少转动时的阻力及摩擦力。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。