一种掩膜板的制作方法

本实用新型涉及OLED真空蒸镀技术领域，具体涉及一种掩膜板。

背景技术：

在OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)的制造过程中，有机材料蒸镀工艺是指利用FMM(Fine Metal Mask,高精度金属掩膜板)将有机发光材料蒸镀在背板的特定像素内，使该有机发光材料与该像素内的驱动电路相结合，以形成特定发光器件的工艺。现有FMM由多个子掩膜板拼接而成，在相邻子掩膜板之间还设置有阻挡部，所述阻挡部位于子掩膜板的下方，用于阻挡从相邻子掩膜板之间的间隙穿过的有机材料，避免污染背板，其中，子掩膜板和阻挡部的材质为磁性材料。FMM是有机材料蒸镀工艺的关键组件，由于FMM变形产生的混色不良是导致蒸镀工艺良率较低的主要原因，现有在蒸镀过程中，通常在FMM上方设置磁力组件，利用磁力组件产生竖直向上的吸力，以减少FMM在自身重力作用下产生的下垂量。

但是，现有FMM结构存在一些不足之处：

阻挡部位于的子掩膜板边缘的下方，在蒸镀过程中，磁力组件对阻挡部的吸力大于对子掩膜板的吸力，且磁力组件所产生的吸力的均一性较差，从而阻挡部会对子掩膜板边缘置施加不均匀的作用力，导致子掩膜板边缘变形量较大，相应子掩膜板发生变形或褶皱，使背板产生混色不良，进而影响蒸镀工艺的良率。

技术实现要素：

本实用新型针对现有技术中存在的上述不足，提供一种掩膜板，用以至少部分解决现有掩膜板在蒸镀过程中产生褶皱的问题。为实现上述目的，本实用新型提供一种掩膜板，包括阻挡部和多个拼接设置的子掩膜板，所述阻挡部在所述子掩膜板所在平面的正投影覆盖相邻所述子掩膜板之间的间隙，且所述阻挡部的材料为非磁性材料。

优选的，所述掩膜板还包括口字型的边框，所述子掩膜板和所述阻挡部固定在所述边框上，所述阻挡部位于所述子掩膜板远离所述边框的一侧。

优选的，所述阻挡部呈条状，且与所述子掩膜板同向设置。

优选的，所述阻挡部为多个，且与各相邻所述子掩膜板之间的间隙一一对应。

优选的，所述子掩膜板包括多个镂空部；所述掩膜板还包括支撑部，所述支撑部固定在所述边框上，且位于所述子掩膜板邻近所述边框的一侧，并与所述阻挡部交叉设置，所述支撑部在所述子掩膜板的正投影落入相邻的所述镂空部之间的区域内。

优选的，所述支撑部为多个，且与各相邻的所述镂空部之间的区域一一对应。

优选的，所述支撑部的材料为非磁性材料。

优选的，所述掩膜板还包括用于对位的对位部，所述对位部固定在所述边框上，与所述子掩膜板同向设置，位于最外侧的子掩膜板邻近所述边框的一侧，且位于所述支撑部远离所述边框的一侧。

优选的，所述掩膜板还包括口字型的边框，所述子掩膜板和所述阻挡部固定在所述边框上，所述阻挡部位于所述子掩膜板邻近所述边框的一侧。

优选的，所述子掩膜板包括多个镂空部；所述掩膜板还包括支撑部，所述支撑部固定在所述边框上，且位于所述阻挡部远离所述边框的一侧，并与所述阻挡部交叉设置，所述支撑部在所述子掩膜板的正投影落入相邻的所述镂空部之间的区域内。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供一种掩膜板，包括阻挡部和多个拼接设置的子掩膜板，阻挡部在子掩膜板所在平面的正投影覆盖相邻子掩膜板之间的间隙，且阻挡部的材料为非磁性材料。在蒸镀过程中，磁力组件所产生磁力不会对阻挡部产生吸力，相应阻挡部不会对子掩膜板施加作用力，因此，可以减小子掩膜板的边缘的变形量，避免子掩膜板发生变形或褶皱，从而避免背板产生混色不良，进而提高蒸镀工艺的良率。

附图说明

图1为本实施例1提供的掩膜板的俯视图；

图2为本实施例1提供的掩膜板的截面图；

图3为本实施例2提供的掩膜板的俯视图；

图4为本实施例2提供的掩膜板的截面图。

图例说明：

1、子掩膜板 2、阻挡部 3、边框 4、支撑部 5、镂空部

6、对位部

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的一种掩膜板进行详细描述。

本实用新型提供一种掩膜板，如图1所示，所述掩膜板包括多个拼接设置的子掩膜板1和阻挡部2，阻挡部2在子掩膜板1所在平面的正投影覆盖相邻子掩膜板1之间的间隙，且阻挡部2的材料为非磁性材料。

具体的，子掩膜板1包括多个镂空部5，镂空部5与背板上的像素单元相对应，有机发光材料可以穿过镂空部5，蒸镀至背板上的像素单元内。阻挡部2在子掩膜板1所在平面的正投影也覆盖相邻的子掩膜板1的边缘，也就是说，阻挡部2的两个边缘与相邻的两个子掩膜板1重叠，阻挡部2的中间部分与相邻的两个子掩膜板1不重叠。

需要说明的是，非磁性材料可以为铜、铝或镁金属，本领域技术人员可知，任何不能被磁化的物质均是非磁性材料，均在本实用新型的保护范围之内。

本实用新型实施例提供的掩膜板，包括阻挡部2和多个拼接设置的子掩膜板1，阻挡部2在子掩膜板1所在平面的正投影覆盖相邻子掩膜板1之间的间隙，且阻挡部2的材料为非磁性材料。在蒸镀过程中，磁力组件所产生磁力不会对阻挡部2产生吸力，相应阻挡部2不会对子掩膜板1施加作用力，因此，可以减小子掩膜板1边缘的变形量，避免子掩膜板1的镂空部5发生变形或褶皱，从而避免背板发生混色不良，进而提高蒸镀工艺的良率。

以下结合实施例1和实施例2对本实用新型提供的具体的两种实现方式进行详细说明。

实施例1

结合图1和图2所示，所述掩膜板还可以包括边框3，边框3呈口字型，子掩膜板1和阻挡部2固定在边框3上，阻挡部2位于子掩膜板1远离边框3的一侧。具体的，子掩膜板1和阻挡部2的两端(即图1中阻挡部2的上下两端)固定在边框3上，镂空部5位于口字型上方，以使有机发光材料可以穿过边框3扩散至镂空部5。优选的，子掩膜板1和阻挡部2与边框3焊接连接，以提高连接牢固性和稳定性。

在子掩膜板1与边框3焊接连接后，再将阻挡部2与边框3焊接连接，这样，在蒸镀过程中，阻挡部2可以抑制子掩膜板1的边缘发生变形，避免子掩膜板1的镂空部5发生变形或褶皱的效果更佳，而且，在蒸镀过程中，还可以增大磁力组件对子掩膜板1的吸力，以减小子掩膜板1在自身重力作用下产生的下垂量，进一步避免子掩膜板1的镂空部5发生变形或褶皱。

由于子掩膜板1通常呈条状，因此，如图1所示，在本实施例中，阻挡部2也呈条状，且与子掩膜板1同向设置，从而使阻挡部2能够覆盖子掩膜板1的边缘，在蒸镀过程中，可以减小子掩膜板1边缘的变形量，避免子掩膜板1的镂空部5发生变形或褶皱。

优选的，阻挡部2为多个，且各阻挡部2与各相邻子掩膜板1之间的间隙一一对应，也就是说，各阻挡部2覆盖各子掩膜板1的边缘。

进一步的，结合图1和图2所示，所述掩膜板还可以包括支撑部4，支撑部4固定在边框3上，且支撑部4位于子掩膜板1的邻近边框3的一侧，并与阻挡部2交叉设置。需要说明的是，为了避免支撑部4阻挡有机发光材料扩散至镂空部5，导致的蒸镀工艺不良，需要将支撑部4设置在子掩膜板1的非蒸镀区内，即支撑部4在子掩膜板1的正投影落入相邻的镂空部5之间的区域内。具体的，支撑部4的两端(即图1中支撑部4的左右两端)固定在边框3上，优选的，支撑部4与边框3焊接连接。

在支撑部4的与边框3焊接连接后，再将子掩膜板1与边框3焊接连接，这样，支撑部4可以支撑子掩膜板1，进一步减小子掩膜板1在自身重力作用下产生的下垂量，避免子掩膜板1的镂空部5发生变形或褶皱的效果更佳。

优选的，支撑部4为多个，且各支撑部4与各相邻的镂空部5之间的区域一一对应。也就是说，支撑部4均匀的分布在子掩膜板1的下方，可以均匀的减小子掩膜板1各位置的下垂量，避免子掩膜板1发生变形或褶皱的效果更佳。

优选的，支撑部4的材料也为非磁性材料。在将支撑部4焊接在边框3的过程中，非磁性材料制成的支撑部4可以不用为抵消磁力组件所导致的向上的形变而预留下垂量，从而支撑部4对子掩膜板1的支撑效果更佳，相应避免子掩膜板1发生变形或褶皱的效果更佳。

进一步的，结合图1和图2所示，所述掩膜板还可以包括对位部6，对位部6固定在边框3上，与子掩膜板1同向设置，位于最外侧的子掩膜板1邻近边框3的一侧，且位于支撑部4远离边框3的一侧。具体的，对位部6为两个，两个对位部6分别位于图中所示最左侧和最右侧的子掩膜板1的邻近边框3的一侧。对位部6上设置有对位图形，对位图形可以与背板上的图形相匹配，以调整掩膜板与背板的相对位置。

对位部6位于支撑部4的上方。优选的，在子掩膜板1与边框3焊接连接后，再将对位部6与边框3焊接连接，这样，对位部6可以覆盖最外侧的子掩膜板1邻近边框3的边缘，相应可以减小最外侧的子掩膜板1邻近边框3的边缘的变形量。

实施例2

实施例2为本实用新型另一种实现方式，实施例2提供的掩膜板与实施例1提供的掩膜板的区别在于：阻挡部2位于子掩膜板1邻近边框3的一侧。其他部件与连接关系均相同，在此不再赘述。

具体的，结合图3和图4所示，实施例2提供的掩膜板中阻挡部2位于子掩膜板1邻近边框3的一侧，即在阻挡部2与边框3焊接连接后，再将子掩膜板1和边框3焊接连接，这样，在蒸镀过程中，由于磁力组件所产生磁力不会对阻挡部2产生吸力，所以阻挡部2不会对子掩膜板1施加作用力，从而可以减小子掩膜板1的边缘的变形量，避免子掩膜板1的镂空部5发生变形或褶皱。

需要说明的是，实施例1与实施例2相比，实施例1为优选实现方式。实施例1中的阻挡部2不但可以减小子掩膜板1的边缘的变形量，还可以抑制子掩膜板1的边缘发生变形，避免子掩膜板1的镂空部5发生变形或褶皱的效果更佳。

结合图3和图4所示，支撑部4位于阻挡部2的远离边框3的一侧，即在阻挡部2的与边框3焊接连接后，再将支撑部4与边框3焊接连接，这样，支撑部4相比于阻挡部2更邻近子掩膜板1，支撑部4对子掩膜板1的支撑效果更佳，相应减小子掩膜板1在自身重力作用下产生的下垂量的效果更佳。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。