本实用新型涉及磁控溅射真空镀膜技术领域，特别涉及一种平行溅射方式孪生靶布置的单体镀膜装置。
背景技术：
磁控溅射真空镀膜现有技术中，磁控阴极(也称为磁控靶)主要有两种形式体现，一种是平面靶，另一种是旋转靶。旋转靶和平面靶一样也是通过电场和磁场的相互作用，使得靶面粒子被溅射出来，沉积在靶面前的产品表面上，形成膜层。
目前旋转靶在镀膜生产中应用较为广泛，使用相对稳定。但在中频磁控溅射时，经常会出现磁场位置不太一致。磁场位置不一样，导致膜层不够均匀。所以需要一种能让旋转靶在中频磁控溅射时，磁场位置一致的镀膜装置。
技术实现要素：
本实用新型主要解决的技术问题是提供一种平行溅射方式孪生靶布置的单体镀膜装置，该一种平行溅射方式孪生靶布置的单体镀膜装置通过旋转靶组的两个旋转靶的第二磁铁条的中线成平行的位置关系，让磁场位置一致，保障磁控溅射真空镀膜所产的膜层均匀。
为了解决上述问题，本实用新型提供一种平行溅射方式孪生靶布置的单体镀膜装置，包括炉体、炉门、基片架、旋转靶、进气道，所述旋转靶设有第一磁铁条、第二磁铁条、第三磁铁条、靶材、芯轴；在旋转靶剖面图中，第一磁铁条、第二磁铁条、第三磁铁条是以第二磁铁条的中线对称；所述两个旋转靶组成旋转靶组，在旋转靶组的剖面图中，两个旋转靶的第二磁铁条的中线成平行，且两旋转靶分别到基片架距离相等，所述炉体设有多组旋转靶组。
进一步地说，所述旋转靶剖面图中，第一磁铁条、第二磁铁条、第三磁铁条所产生两磁场的磁力线是以第二磁铁条的中线成对称。
进一步地说，所述第一磁铁条、第二磁铁条、第三磁铁条为长方体。
进一步地说，所述旋转靶为精密加工工艺制造而成。
进一步地说，所述芯轴的材质与常用旋转靶的磁靴的材质相同。
进一步地说，所述炉门闭合与炉体形成圆柱体。
进一步地说，所述进气道是充进气体，通常气体为氩气。
使用时，通过把两旋转靶成旋转靶组，两个旋转靶的第二磁铁条的中线成平行，且两旋转靶分别到基片架距离相等，这种位置关系的设置，让磁场位置一致，基片装在基片架上，关上炉门，系统抽至高真空，从进气道充入氩气，磁控溅射真空镀膜所产的膜层均匀。
本实用新型的有益效果在于：通过旋转靶组的两个旋转靶的第二磁铁条的中线成平行，且两旋转靶分别到基片架距离相等，让磁场位置一致，保障磁控溅射真空镀膜所产的膜层均匀。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，而描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
图1是本实用新型实施例俯视结构示意图。
图2是本实用新型实施例图1的A-A剖面示意图。
图3是本实用新型图1的B部放大示意图。
图4是本实用新型旋转靶的剖面示意图。
下面结合实施例，并参照附图，对本实用新型目的的实现、功能特点及优点作进一步说明。
具体实施方式
为了使实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例一
参阅附图1、图2、图3、图4所示，所述一种平行溅射方式孪生靶布置的单体镀膜装置，包括炉体1、炉门2、基片架3、旋转靶40、进气道5，所述旋转靶40设有第一磁铁条41、第二磁铁条42、第三磁铁条43、靶材 44、芯轴45；在旋转靶40剖面图中，第一磁铁条41、第二磁铁条42、第三磁铁条43是以第二磁铁条42的中线421对称；所述两个旋转靶40组成旋转靶组4，在旋转靶组4的剖面图中，两个旋转靶40的第二磁铁条42的中线421成平行，且两旋转靶40分别到基片架3距离相等，所述炉体1设有多组旋转靶组4。
具体说：通过把两旋转靶40成旋转靶组4，两个旋转靶40的第二磁铁条42的中线421成平行，且两旋转靶40分别到基片架3距离相等，这种位置关系的设置，让磁场位置一致，基片装在基片架3上，关上炉门2，系统抽至高真空，从进气道充入氩气，磁控溅射真空镀膜所产的膜层均匀。
参阅附图3图4所示，所述旋转靶40剖面图中，第一磁铁条41、第二磁铁条42、第三磁铁条43所产生两磁场的磁力线422是以第二磁铁条42 的中线421成对称。
参阅附图3图4所示，所述一种平行溅射方式孪生靶布置的单体镀膜装置，其特征在于，所述第一磁铁条41、第二磁铁条42、第三磁铁条43 为长方体。
参阅附图1图2所示，所述旋转靶40为精密加工工艺制造而成。
参阅附图1图2所示，所述芯轴45的材质与常用旋转靶的磁靴的材质相同。
参阅附图1图2所示，所述炉门2闭合与炉体1形成圆柱体。
参阅附图1图2所示，所述进气道5是充进气体，通常气体为氩气。
以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。