本实用新型涉及真空镀膜技术，具体涉及一种EMI真空磁控溅射镀膜设备。
背景技术：
EMI真空磁控溅射镀膜设备应用在手提电脑外壳、平板电脑外壳、手机外壳的防电磁辐射处理等领域，设备可在手提电脑外壳、平板电脑外壳、手机外壳上镀上金属薄膜，阻挡了电子产品的电磁波向外辐射，设备的传统工艺流程一般为：进件升降架1→进件过渡架2→进件粗抽室3→进件过渡室4→进件缓冲室5→真空镀膜室6→出件缓冲室7→出件过渡室8→出件粗抽室9→出件过渡架10→出件升降架11→工件托盘返回架12，如图1所示。该工艺存在以下缺陷：
(1)传统EMI真空磁控溅射镀膜设备的真空镀膜段共有七个真空室，配备了六套真空锁，工作节奏慢，生产效率低，因此快节奏、高生产效率的EMI真空磁控镀膜生产线有待开发；
(2)传统EMI真空磁控溅射镀膜设备抽真空气机组要配备深冷系统，对镀膜的工件进行净化处理，该深冷系统为外购的配套设备，其总功率在30KW以上，并要不间断工作，造成设备的功率消耗大，客户的生产成本高。
(3)传统EMI真空磁控溅射镀膜设备在对工件进行真空镀膜时，是采用平面磁控靶工作，靶材更换周期约为七天，每次更换靶材均要消耗生产时间和设备的功率；另外，平面靶材的利用率只有20％至30％，因此就推高了客户的生产成本高。
技术实现要素：
本实用新型的目的是为了克服以上现有技术存在的不足，提供了一种生产效率高且生产成本低的EMI真空磁控溅射镀膜设备。实用新型
本实用新型的目的通过以下的技术方案实现：本EMI真空磁控溅射镀膜设备，包括中真空抽气机组、高真空抽气机组、进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架，所述进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架依次连接，所述进片轰击室与中真空抽气机组连接，所述进片保持室、进片过渡室和出片过渡室均与高真空抽气机组连接。
优选的，所述进片轰击室包括轰击室体、轰击输送带和离子轰击板组件，所述离子轰击板组件和轰击输送带均安装于轰击室内，且所述离子轰击板组件位于轰击输送带的上方。
优选的，所述离子轰击板组件包括盖板、绝缘板、铝板和电输入单元，所述盖板固定于轰击室体内的上壁，所述绝缘板固定于盖板的下面，所述铝板固定于绝缘板的下面，所述盖板、绝缘板和铝板依次相贴紧，所述电输入单元的上端固定于盖板的上面，所述电输入单元的另一端依次穿过盖板、绝缘板和铝板，且所述电输入单元的另一端通过螺母旋紧固定。
优选的，所述中真空抽气机组包括第一抽气管、第一气动阀、第一真空罗茨泵和第一滑阀泵，所述第一抽气管的一端与轰击室体连接，所述第一抽气管的另一端与第一真空罗茨泵连接，所述第一气动阀安装于第一抽气管，所述第一滑阀泵与第一真空罗茨泵。
优选的，所述进片保持室包括保持室体、传输轴组件、第二抽气管、第二气动阀和保持扩散泵，所述传输轴组件安装于保持室体内，所述第二抽气管的一端与保持室体连接，所述第二抽气管的另一端与保持扩散泵连接，所述第二气动阀安装于第二抽气管。
优选的，所述高真空抽气机组包括3个油扩散真空泵、3个精抽气动阀、前置抽气管、前置气动阀、抽气弯管、第二真空罗茨泵和第二滑阀泵，3个油扩散真空泵的抽气口分别通过相应的精抽气动阀与进片保持室、进片过渡室和出片过渡室连接，而3个油扩散真空泵的出气口均与前置抽气管连接，所述抽气弯管的一端通过前置气动阀与前置抽气管连接，所述抽气弯管的另一端与第二真空罗茨泵连接，所述第二真空罗茨泵与第二滑阀泵连接。
优选的，所述真空镀膜室设有12套圆柱旋转靶，所述圆柱旋转靶包括靶盖板、驱动组件、靶头组件、靶壳圆管、靶尾组件和靶芯组件，所述靶盖板封盖于真空镀膜室的上端，所述驱动组件安装于靶盖板的上面，装而成；所述靶头组件和靶尾组件均安装于靶盖板的下面，所述靶头组件和靶尾组件均位于真空镀膜室的室体内，所述靶头组件与驱动组件连接，所述靶壳圆管的一端与靶头组件连接，所述靶壳圆管的另一端与靶尾组件连接，所述靶芯组件安装于靶壳圆管，且所述靶芯组件通过靶头组件与驱动组件连接。
优选的，沿镀膜工件的行进方向，12套圆柱旋转靶中的前10套为铜靶材制成，而后2套为不锈钢靶材制成。
一种基于上述的EMI真空磁控溅射镀膜设备的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)手动将工件放入进件升降架的工件托盘内，进件升降架的进件输送组件就将工件托盘及放置在工件托盘的工件一齐向进件过渡架输送；
(2)工件进入进件过渡架后，当进件粗抽室内的气压与粗抽室外的大气压平衡后，工件被送入进件粗抽室内，当进件粗抽室的真空镀达到1X10E3帕后，工件就被送入进片轰击室内；
(3)中真空抽气机组对进件轰击室的轰击室体进行抽真空，将轰击室内的真空镀抽到3帕至500帕，此时，进件轰击室内离子轰击板组件对工件进行离子轰击处理，以净化工件表面；
(4)进件轰击室的传输组件会将工件传输到进片保持室，工件在进件保持室的保持室内持续放置设定的时间，令工件表面达到了进一步净化的效果后，工件被输送到进片过渡室，再通过进片缓冲室进入真空镀膜室；
(5)当真空镀膜室的传感器感应到有工件后，工件按设定的行走速度通过真空镀膜室，在此过程中安装于真空镀膜室的圆柱旋转靶对工件进行镀膜处理；
(6)工件自真空镀膜室出来后，依次通过出件缓冲室和出件保持室，当待出件粗抽室内的气压与粗抽室外的大气压平衡后，工件从出片粗抽室被输送到出件过渡架内；
(7)当完成镀膜的工件进入出件过渡架后，手动将工件托盘上已完成镀膜的工件取下，而工件托盘被输送到出片升降架上，然后再通过工件托盘返回架返回到进件升降架。
本实用新型相对于现有技术具有如下的优点：
1、本实用新型在现有的EMI真空磁控溅射镀膜设备增设了进件轰击室和进件保持室，则不需要像现有的EMI真空磁控溅射镀膜设备设置深冷系统，本实用新型利用进件轰击室和进件保持室代替深冷系统对工件进行高效的净化处理，降低了功率消耗，降低了生产成本。
2、本实用新型将现有的7个真空室(即进件粗抽室、进件过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室和出件粗抽室)增加两个变成9个真空室(即进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进件过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室和出件粗抽室)，这加快了工作节奏，提高了生产效率。
3、本实用新型中真空镀膜室采用圆柱旋转靶，这不仅可减少靶材的更换频率，减少了生产时间和设备功率的消耗，进一步提高了生产效率；与现有的平面靶相比，提高了靶材的利用率，进一步降低了生产成本。
4、实用新型本实用新型的EMI真空磁控溅射镀膜设备进行镀膜加工，生产效率高，且保证工件表面膜层均匀，有效提高工件表面膜层质量。
附图说明
图1是现有的EMI真空磁控溅射镀膜设备的结构示意图。
图2是本实用新型的EMI真空磁控溅射镀膜设备的结构示意图。
图3是本实用新型的中真空抽气机组与进片轰击室连接一起的结构示意图。
图4是图3中A-A方向的剖视图。
图5是本实用新型的中真空抽气机组与进片轰击室连接一起的俯视图。
图6是本实用新型的进片保持室的结构示意图。
图7是图6中B-B方向的剖视图。
图8是本实用新型是进片保持室、进片过渡室和出片过渡室均与高真空抽气机组连接一起的结构示意图。
图9是本实用新型是进片保持室、进片过渡室和出片过渡室均与高真空抽气机组连接一起的俯视图。
图10是本实用新型的圆柱旋转靶的结构示意图。
图11是本实用新型的圆柱旋转靶的侧视图。
图12是本实用新型的离子轰击板组件的剖视图。
图13是图12中C处的放大示意图。
其中，1为进件升降架，2为进件过渡架，3为进件粗抽室，4为进件过渡室，5为进件缓冲室，6为真空镀膜室，7为出件缓冲室，8为出件过渡室，9为出件粗抽室，10为出件过渡架，11为出件升降架，12为工件托盘返回架，13为进片轰击室，14为进片保持室，15为轰击室体，16为轰击输送带，17为离子轰击板组件，18为第一抽气管，19为第一气动阀，20为第一真空罗茨泵，21为第一滑阀泵，22为工件，23为保持室体，24为传输轴组件，25为第二抽气管，26为第二气动阀，27为保持扩散泵，28为精抽气动阀，29为油扩散真空泵，30为抽气弯管，31为第二真空罗茨泵，32为第二滑阀泵，33为前置抽气管，34为前置气动阀，35为圆柱旋转靶，36为驱动组件，37为靶盖板，38为靶芯组件，39为靶头组件，40为靶壳圆管，41为靶尾组件，42为盖板，43为绝缘板，44为铝板，45为电输入单元。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
如图2所示的EMI真空磁控溅射镀膜设备，包括中真空抽气机组、高真空抽气机组、进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架，所述进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架依次连接，所述进片轰击室与中真空抽气机组连接，所述进片保持室、进片过渡室和出片过渡室均与高真空抽气机组连接。
如图3至图5所示，所述进片轰击室包括轰击室体、轰击输送带和离子轰击板组件，所述离子轰击板组件和轰击输送带均安装于轰击室内，且所述离子轰击板组件位于轰击输送带的上方。
如图12和图13所示，所述离子轰击板组件包括盖板、绝缘板、铝板和电输入单元，所述盖板固定于轰击室体内的上壁，所述绝缘板固定于盖板的下面，所述铝板固定于绝缘板的下面，所述盖板、绝缘板和铝板依次相贴紧，所述电输入单元的上端固定于盖板的上面，所述电输入单元的另一端依次穿过盖板、绝缘板和铝板，且所述电输入单元的另一端通过螺母旋紧固定。其中电输入单元可采用现有的电输入单元，可直接自市场购买所得。
所述中真空抽气机组包括第一抽气管、第一气动阀、第一真空罗茨泵和第一滑阀泵，所述第一抽气管的一端与轰击室体连接，所述第一抽气管的另一端与第一真空罗茨泵连接，所述第一气动阀安装于第一抽气管，所述第一滑阀泵与第一真空罗茨泵。
如图6和图7所示，所述进片保持室包括保持室体、传输轴组件、第二抽气管、第二气动阀和保持扩散泵，所述传输轴组件安装于保持室体内，所述第二抽气管的一端与保持室体连接，所述第二抽气管的另一端与保持扩散泵连接，所述第二气动阀安装于第二抽气管。
如图8和图9所示，所述高真空抽气机组包括3个油扩散真空泵、3个精抽气动阀、前置抽气管、前置气动阀、抽气弯管、第二真空罗茨泵和第二滑阀泵，3个油扩散真空泵的抽气口分别通过相应的精抽气动阀与进片保持室、进片过渡室和出片过渡室连接，而3个油扩散真空泵的出气口均与前置抽气管连接，所述抽气弯管的一端通过前置气动阀与前置抽气管连接，所述抽气弯管的另一端与第二真空罗茨泵连接，所述第二真空罗茨泵与第二滑阀泵连接。
如图10和图11所示，所述真空镀膜室设有12套圆柱旋转靶，所述圆柱旋转靶包括靶盖板、驱动组件、靶头组件、靶壳圆管、靶尾组件和靶芯组件，所述靶盖板封盖于真空镀膜室的上端，所述驱动组件安装于靶盖板的上面，所述靶头组件和靶尾组件均安装于靶盖板的下面，所述靶头组件和靶尾组件均位于真空镀膜室的室体内，所述靶头组件与驱动组件连接，所述靶壳圆管的一端与靶头组件连接，所述靶壳圆管的另一端与靶尾组件连接，所述靶芯组件安装于靶壳圆管，且所述靶芯组件通过靶头组件与驱动组件连接。为节省成本，本实施例中的驱动组件、靶头组件和靶尾组件均采用现有的组件。
沿镀膜工件的行进方向，12套圆柱旋转靶中的前10套为铜靶材制成，而后2套为不锈钢靶材制成。
一种基于上述的EMI真空磁控溅射镀膜设备的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)手动将工件放入进件升降架的工件托盘内，进件升降架的进件输送组件就将工件托盘及放置在工件托盘的工件一齐向进件过渡架输送；
(2)工件进入进件过渡架后，当进件粗抽室内的气压与粗抽室外的大气压平衡后，工件被送入进件粗抽室内，当进件粗抽室的真空镀达到1X10E3帕后，工件就被送入进片轰击室内；
(3)中真空抽气机组对进件轰击室的轰击室体进行抽真空，将轰击室内的真空镀抽到3帕至500帕，此时，进件轰击室内离子轰击板组件对工件进行离子轰击处理，以净化工件表面；
(4)进件轰击室的传输组件会将工件传输到进片保持室，工件在进件保持室的保持室内持续放置设定的时间，令工件表面达到了进一步净化的效果后，工件被输送到进片过渡室，再通过进片缓冲室进入真空镀膜室；
(5)当真空镀膜室的传感器感应到有工件后，工件按设定的行走速度通过真空镀膜室，在此过程中安装于真空镀膜室的圆柱旋转靶对工件进行镀膜处理；
(6)工件自真空镀膜室出来后，依次通过出件缓冲室和出件保持室，当待出件粗抽室内的气压与粗抽室外的大气压平衡后，工件从出片粗抽室被输送到出件过渡架内；
(7)当完成镀膜的工件进入出件过渡架后，手动将工件托盘上已完成镀膜的工件取下，而工件托盘被输送到出片升降架上，然后再通过工件托盘返回架返回到进件升降架。
上述具体实施方式为本实用新型的优选实施例，并不能对本实用新型进行限定，其他的任何未背离本实用新型的技术方案而所做的改变或其它等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。