多型Mg－Al水滑石的制作方法

专利名称：多型Mg－Al水滑石的制作方法
技术领域：
本发明涉及Mg-Al阴离子粘土的一种新型多型体。阴离子粘土具有由带正电的层组成的晶体结构，这种带正电的层由金属氢氧化物的特定组合构成，在这些层之间有阴离子和水分子。水滑石是天然出产的阴离子粘土的一个实例，其中，碳酸根是存在的主要阴离子。羟镁铝石是一种阴离子粘土，其中，OH-是存在的主要阴离子。
在水滑石类阴离子粘土中，水镁石状主层由与其中分布水分子和阴离子(更特别的是碳酸根离子)的中间层交替的八面体构成。中间层含有阴离子，如NO3-、OH、Cl-、Br-、I-、SO42-、SiO32-、CrO42-、BO32-、MnO4-、HGaO32-、HVO42-、ClO4-、BO32-等阴离子，如V10O28-6和MO7O246-等柱状阴离子，如醋酸根等一元羧酸根，如草酸根等二元羧酸根，如十二烷基磺酸根等烷基磺酸根。
阴离子粘土具有与下列通式对应的层状结构[Mgm2+Aln3+(OH)2m+2n]Xn/ZZ-·bH2O其中，m和n的值使得m/n＝1-10，优选的是1-6，b的值在0-10范围内，一般为2-6，通常为4。X可以是CO32-、OH-或任何通常在阴离子粘土中间层中存在的任何其它阴离子。更优选的是，m/n应该具有2-4的值，更特别的是接近3的值。
应该注意，许多术语用来描述本专利中称为阴离子粘土的材料。熟悉该领域的技术人员可以互换使用水滑石状和叠层氢氧化物(layereddouble hydroxide)这两个术语。在本专利申请中，我们把该材料称为阴离子粘土，包括在称为水滑石状和叠层双氢氧化物材料的术语内的那些。
在许多现有技术的出版物中，已经描述了阴离子粘土的制备。
已经出版了两份主要的阴离子粘土化学评述，其中总结了阴离子粘土合成可用的合成方法，即F.Cavani等人的“水滑石型阴离子粘土制备、性能及应用”，今日催化(“Hydrotalcite-type anionic clayspreparation，Properties and Applications”，catalysis Today)，11(1991)Elsevier科学出版社，B.V.阿姆斯特丹。J P Besse等人的“阴离子粘土柱状化学、其合成和微孔固体的发展趋势”(Anionic claystrends in pillaring chemistry，its synthesis and microporonssolids)(1992)，2，108，编者M.I.Occelli，H.E.Robson，VanNostrand Reinhold，N.Y.
在这些评述中，描述了两种不同结构形式的阴离子粘土3R1(三层重复)和2H1(2层重复)，分别对应于水滑石和水碳铝镁石。用传统制备方法，如共沉淀然后任选水热处理或老化来增大晶体尺寸制备的Mg-Al阴离子粘土具有3R1堆叠。天然出产的水滑石也具有3R1堆积。
Bookin和Drits在“粘土和粘土矿物”(clay and clay Minerals)第41卷第5期，第551-557页和第558-564页中的文章中，描述了实际上已经在自然界观察到3R2多型体，但是仅在硫酸根Mg-Al阴离子粘土中观察到这种多型体。
对于阴离子粘土的其它工作，可以参考下列文章Helv.Chim.Acta，25，106-137和555-569(1942)美国陶瓷学报(J.Am.Ceram.Soc.)，42卷第3期，121(1959)化学通报(日本)，843(1973)粘土和粘土矿物，23，369(1975)粘土和粘土矿物，28，50(1980)粘土和粘土矿物，34，507(1996)材料化学与物理，14，569(1986)。
此外，在阴离子粘土的使用及其制备方法方面还有大量的专利文献。
下面描述的现有技术描述了通过共沉淀法制备阴离子粘土。
欧洲专利申请0 536 879描述了一种向粘土中引入依赖于pH的阴离子的方法。通过向含有硼酸盐阴离子的碱溶液中加入Al(NO3)3和Mg(NO3)2溶液来制备该粘土。然后把产物过滤、用水反复漂洗，干燥一整夜。还使用了Zn/Mg的混合物。
在Miyata等的题为“复合金属氢氧化物”的US3,796,792中，制备了向其中引入范围广泛的阳离子的一些材料，这些阳离子包括Sc、La、Th、In等。在实施例中，制备了给定的二价和三价阳离子溶液，并与碱混合产生共沉淀。把所得的产物过滤并用水洗，在80℃干燥。实施例1涉及Mg和Sb，实施例3涉及Mg和Bi。还给出了其它实施例，在每种情况下，在高pH值沉淀阴离子粘土之前，使用可溶盐制备溶液。
在Miyata的题为“复合金属氢氧化物”的US3,879,523中，也概述了大量制备实施例。然而，基础化学还是以可溶盐的共沉淀、然后水洗、干燥为基础。重要的是强调洗涤是这种制备方法的必要部分，因为为了产生金属离子共沉淀的碱性环境，需要一种碱溶液，并且这种碱溶液由NaOH/Na2CO3溶液提供。例如残留的钠可能对作为催化剂或氧化物载体的产物的后续性能有明显的不良影响。
在US3879525(Miyata)中，再次描述了非常类似的过程。
在Mirata等人的US4,351,814中，描述了一种制备纤维状水滑石的方法。这种材料在结构上与常见的板状形貌不同。该合成再次涉及可溶盐。例如，制备MgCl2和CaCl2混合物的水溶液并适当陈化。从这种溶液沉淀一种针状产物Mg2(OH)3Cl·4H2O。然后，在高压釜中，单独的铝酸钠溶液与固体Mg2(OH)3Cl·4H2O反应，产物再次过滤、水洗并干燥。
在Reichle的US4,458,026中，其中描述了热处理的阴离子粘土用作羟醛缩合反应的催化剂，再次利用镁和铝的硝酸盐溶液。这些溶液被加入到NaOH和Na2CO3的第二种溶液中。在沉淀后，把浆料过滤，用蒸馏水洗两次，然后在125℃干燥。
在Misra的US4,656,156中，描述了以混合的活化氧化铝与水滑石为基础的新型吸附剂的制备。水滑石通过使活化的MgO(通过使碳酸镁或氢氧化镁等镁的化合物活化来制备)与含铝酸根、碳酸根和羟基离子的水溶液反应来制备。作为一个实例，用NaOH、Na2CO3和Al2O3制备该溶液。特别地，这种合成涉及使用工业拜尔法溶液作为Al源。把所得的产物洗涤、过滤，然后在105℃干燥。
在Misra的US4,904,457中，描述了一种高产率生产水滑石的方法，即用活性氧化镁与含铝酸根、碳酸根和羟基离子的水溶液反应。
US4,656,156中重复了该方法。
在Kelkar等人的US5,507,980中，描述了一种包含合成水滑石型结合剂的新型催化剂、催化剂载体和吸附剂的制造方法。典型片状水滑石的合成涉及使已经加入使假勃姆石胶溶的醋酸的假勃姆石反应，然后与氧化镁混合。
在US6,539,861中，提出了一种以水滑石为基础的用于生成合成气体的催化剂的制备方法。该制备方法还是以可溶盐与碱混合的共沉淀为基础，例如，向Na2CO3和NaOH的溶液中加入RhCl3、Mg(NO3)2和Al(NO3)3的溶液。
同样，在Bhattacharyya的US5,399,537中，水滑石基含镍催化剂的制备中利用了可溶性镁和铝盐的共沉淀。
在Bhattacharyya的US5,591,418中，通过煅烧一种阴离子粘土制造了一种用于从气体混合物中除去硫的氧化物或氮的氧化物的催化剂，所述阴离子粘土通过Mg(NO3)2、Al(NO3)3和Ce(NO3)3的共沉淀制备。再把产物过滤并用去离子水反复水洗。
在van Broekhoven的US4,946,581和US4,952,382中，使用可溶盐(如Mg(NO3)2和Al(NO3)3)加入(或不加入)稀土盐进行共沉淀，来制备作为催化剂成分或添加剂的阴离子粘土。描述了许多阴离子和二价及三价阳离子。
在US5,114,898/WO9110505中，Pinnavaia等人描述了从烟气中除去硫的氧化物用的叠层双氢氧化物吸附剂，通过使Al和Mg的硝酸盐或氯化物溶液与NaOH和Na2CO3的溶液反应，来制备这种叠层双氢氧化物。在US5,079,203/WO9118670中，描述了插入多氧阴离子的叠层双氢氧化物，母粘土通过共沉淀技术制备。
在Alcoa名义下的US5,578,286中，描述了一种制备羟镁铝石的方法。所述羟镁铝石可以与二羧酸根或多羧酸根阴离子接触，形成水滑石型材料。
如上述现有技术的描述所表明的，阴离子粘土有许多用途。这些用途包括但是不限于催化剂、吸附剂、钻探泥浆、催化剂支撑体和载体、添加剂和在药物领域中的用途。特别地，van Broekhoven已经描述了它们在消除SOx的化学中的应用。
本发明提供了Mg-Al阴离子粘土的一种新型多型体。所述新型多型体可以应用于上文对于传统3R1多型阴离子粘土所述的所有用途中。
本发明涉及具有3R2堆叠的Mg-Al阴离子粘土。这种新型阴离子粘土的多型体也具有三层重复，但是它具有与传统3R1水滑石不同的夹层排列。通过107和108反射的强度，可以区分这两种多型体。3R2型阴离子粘土在靠近45°的2θ处有更强的107反射(如Brits和Bookin所预测的)，而3R1型在靠近47°的2θ处有更强的反射(018反射)。在45和47°的2θ处都存在相当强度的峰说明存在两种类型阴离子粘土的混合物。可以理解，对于107和108反射的精确2θ值将取决于Mg-Al阴离子粘土的晶格a和c参数。当然，在X射线衍射图谱中存在更多的区别，但是，这是进行区分的最佳反射范围，因为在该范围内几乎不存在阴离子粘土型材料中还可能存在的其它化合物的任何其它反射。例如，勃姆石在该范围内具有弱的反射，但是在没有13和15°的2θ处的强反射时可以排除其存在。另外，通过SEM研究可以看到，新型多型体Mg-Al阴离子粘土似乎与传统的3R1型阴离子粘土具有不同的形貌。3R2型阴离子粘土似乎具有一种随机团聚的不规则薄片状颗粒的结构。传统的3R1阴离子粘土具有规则的良好形成的片状颗粒层，这种层以常见的书架形式排列。
新型多型体阴离子粘土具有其中分布水分子和阴离子的中间层。主要的阴离子是氢氧根，但是除了氢氧根以外，在新型多型体阴离子粘土中还可以存在其它阴离子作为层间阴离子，如NO3-、OH、Cl-、Br-、I-、CO32-、碳酸氢根、SO42-、SiO32-、CrO42-、BO32-、MnO4-、HGaO32-、HVO42-、ClO4-、BO32-、柱状阴离子如V10O28-6和MO7O276-、一元羧酸根如醋酸根、二元羧酸如草酸根、烷基磺酸根如十二烷基磺酸根。
通过水热处理含有铝源和镁源的浆料，形成具有3R2积的Mg-Al阴离子粘土，可以制备具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土。
适合于制备新型多型体Mg-Al阴离子粘土的铝源是结晶三水合铝(ATH)，例如Reynolds Aluminium Company RH-20或JM Huber Micral级提供的三水铝石、BOC(矾土矿精矿)、矾土、拜三水铝石和诺三水铝石、三水合铝的热处理形式、氧化铝溶胶、闪速煅烧氧化铝(flash calcinedalumina)、凝胶、假勃姆石、勃姆石BOC和矾土是最便宜的氧化铝源，是非常合适的新型多型体阴离子粘土的原料。小颗粒尺寸的三水合铝是优选的。通过在100-800℃热处理三水合铝(三水铝石)15分钟-24小时，可以容易地获得三水合铝的热处理形式。在任何情况下，相对于拜尔法生产的表面积一般为30-50m2/g的三水铝石，获得煅烧的三水合铝的煅烧温度和时间应该足以导致产生可测量的表面积增大。应该注意，在本发明的概念范围内，闪速煅烧氧化铝也被认为是三水合铝的热处理形式，尽管通常认为它是完全不同的氧化铝。通过在特定工业设备中以非常短的时间在800-1000℃处理三水合铝，获得闪速煅烧氧化铝，如US4,051,072和US3,222,129所述。也可以使用各种热处理形式的三水合铝的组合。也可以使用各种铝源的组合。铝源可以以固体、悬浮体或溶液形式加入到反应器中，来制备浆料。也可以在加入反应器中形成浆料之前与镁源混合。
可以使用的镁源包括MgO和Mg(OH)2、白云石和海泡石。也可以使用镁源的混合物。镁源可以以固体、溶液或者优选的是浆料形式加入到反应器中，镁源也可以在其加入到反应器中制备浆料之前与铝源混合。
从上述铝源和镁源可以看出，从较便宜的原料(如BOC和三水铝石)可以制备新型多型体Mg-Al阴离子粘土。同样对于镁源，也可以使用便宜的材料，如便宜的MgO品级。尤其是在使用这些便宜的镁源时，在使用前研磨镁源通常是可取的。优选的是，铝源和镁源在使用前都研磨，以保证反应形成3R2阴离子粘土。在使用湿法研磨时，同时含有铝源和镁源的浆料可以湿法研磨，例如在球磨机中研磨，并直接转移到可以在水热条件下操作的反应器中。
使用便宜的材料(如氧化物和氢氧化物)的另一个优点是没有额外的离子引入到3R2Mg-Al阴离子粘土中。在使用碳酸盐作为原料时也是这种情况。在这种情况下，该方法不需要产物的洗涤或过滤，没有滤液废料或气态放出物(例如来自酸分解)，使得该方法是对环境特别友好的，并且更适合于对工业操作越来越严格的环境限制。产物可以直接喷雾干燥形成微球，或者可以挤出、造粒或成球来形成成型体。
在制备过程中也可以成型这种新型多型体Mg-Al阴离子粘土。在这种情况下，通过包括下列步骤的方法把3R2Mg-Al阴离子粘土成型，形成成型体a)把镁源和铝源的浆料成型，形成成型体，b)任选地热处理成型体，和c)水热处理成型体，在成型体中形成具有3R2堆积的阴离子粘土。
在另一种实施方案中，含有3R1粘土的成型体制备如下a)把铝源和/或镁源的浆料成型，形成成型体，b)任选地处理成型体，和c)在含有铝源和/或镁源的溶液中水热处理成型体，以便形成阴离子粘土。
合适的成型方法包括喷雾干燥、造粒、挤压(任选地结合混练)、成球或者在催化剂或吸附剂领域所用的任何其它传统成型方法或其组合。在用于成型的浆料中存在的液体量应该适合于要进行的特定成型步骤。(部分地)除去浆料中所用的液体和/或加入另外的或其它液体，和/或改变前体混合物的pH值使浆料可以凝胶化，因此适合于成型，可能是可取的。可以向用于成型的前体混合物中加入各种成型方法常用的各种添加剂(如挤制添加剂)。
在成型后，成型体任选地可以经过热处理。这种热处理提高颗粒的强度。热处理可以在含氧气氛、惰性气氛或者蒸汽中，在30-1000℃的温度下进行数分钟-24小时。例如，在喷雾干燥过程中，自然涉及一种热处理，所以进一步的热处理可能是不必要的。
在形成3R2阴离子粘土之前，无论成型与否，形成3R2Mg-Al阴离子粘土的实际反应都在水热条件下进行。在本说明书内，这意味着在高压下，在100℃以上，在存在水(或蒸汽)的条件下进行。优选的是，反应在高压釜中在100℃以上，在水中进行，即在自动产生的压力下进行。如果在热处理之前没有成型，含有铝源和镁源的浆料可以直接经过水热处理。优选的是在“富羟基”环境中进行水热处理。通过用氮气或惰性气体净化浆料，或者向水热处理介质中加入羟基阴离子可以做到这一点。例如可以加入氢氧化铵。如果先成型浆料，并且任选地进行热处理，为了水热处理，成型体必须与水或蒸汽接触。根据要求，预成型的阴离子粘土可以加入到反应混合物中。所述预成型的粘土可以是从反应混合物中回收的阴离子粘土，或者是根据本发明的方法单独制备的阴离子粘土。
以前没有描述过含有新型多型体Mg-Al阴离子粘土的成型体，所以，本发明还涉及这些含有3R2Mg-Al阴离子粘土的成型体。
由于其简单性，该方法可以用连续的方式进行，包括把含有铝源的第一种浆料与含有镁源的第二种浆料混合，使混合浆料(任选的是在研磨后)通过一个可以在水热条件下操作的反应器容器。所述第一种和/或第二种浆料在混合浆料之前可以经过处理。该方法也可以用连续的多步骤操作进行。
根据需要，在反应之前或者在反应过程中，可以向浆料中或者在反应物在浆料中混合之前向各个反应物中加入(例如用于控制pH值)的无机酸或碱。所选择的酸和碱是甲酸、醋酸、硝酸和氢氧化铵，因为这些类型的酸和碱不会在反应混合物中引入不期望的离子。
根据需要，根据本发明的方法制备的阴离子粘土可以经过离子交换处理。在离子交换时，层间平衡电荷的阴离子用其它阴离子取代。在离子交换时，某些阴离子粘土被转变成3R1堆积。所述其它阴离子是通常在阴离子粘土中存在的阴离子，包括柱状阴离子，如V10O29-6、Mo7O246-。所述离子交换可以在干燥之前或者在水热处理时形成阴离子粘土之后进行。
本发明的方法在制备具有宽范围Mg∶Al比的产品方面提供了广泛的适应性。Mg∶Al比可以从0.1变到10，优选的是从1变到6，更优选的是从2变到4，特别优选的是接近3。
对于某些应用，希望的是在3R2Mg-Al阴离子粘土内或在其上存在添加剂，金属和非金属添加剂都可以，如稀土金属、Si、P、B、第VI族、第VIII族、碱土(例如Ca和Ba)和/或过渡金属(例如Mn、Fe、Ti、Zr、Cu、Ni、Zn、Mo、Sn)或其混合物。所述金属可以容易地沉淀在阴离子粘土上。它们也可以在3R2Mg-Al阴离子粘土的制备过程中加入到镁源或铝源或浆料中。
通过3R1型阴离子粘土的转变也可以制备3R2型阴离子粘土。为此，把3R1型阴离子粘土煅烧、重新水化并在富羟基环境中水热处理。用含3R1阴离子粘土的成型体也可以做到这一点。甚至可以制备同时含有3R1和3R2型阴离子粘土的成型体。
在本发明的另一种实施方案中，把3R2型部分转变成3R1型阴离子粘土。为此，把3R2型阴离子粘土煅烧、水化并在富碳酸根环境中(如存在CO2的条件下或向水热处理介质中加入碳酸根阴离子(如碳酸铵))水热处理。
也可以制备3R1和3R2型阴离子粘土的复合材料。这些复合材料可以用促进3R2形成的Mg源和促进3R1形成的Mg源和/或促进3R2形成的Al源和促进3R1形成的Al源的混合物来制备。上面已经描述了促进3R2型阴离子粘土形成的Mg源。促进3R1型阴离子粘土形成的Mg源是铝盐，如硝酸铝、氯化铝、水合氯化铝和铝酸钠。上面已经描述了促进3R2型阴离子粘土形成的Al源。促进3R1型阴离子粘土形成的Al源是镁盐，如乙酸镁、甲酸镁、羟基乙酸镁、水碳镁石(Mg5(CO3)4(OH)2)、碳酸镁、碳酸氢镁、硝酸镁和氯化镁。
应该注意，使所有Al源和所有Mg源转变成阴离子粘土是不必要的。在某些催化应用中，在产物中留下一些未反应的(指未反应形成阴离子粘土)的Al源和/或Mg源是有利的。例如，在成型体中，过量的氧化铝改善了结合性，并且Mg和Al都可以提供不同种类的希望的官能性。例如，Al提供催化裂解的酸中心和改善的镍包封，Mg提供碱中心，改善除去或中和强酸气流或液流的适应性。
本发明还涉及包含具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土的催化剂组合物。所述催化剂组合物可以包括在催化剂组合物中通常存在的所有成分，例如基质和/或结合剂材料、沸石和添加剂成分。新型多型体Mg-Al阴离子粘土可以原样或者以成型体形式引入到催化剂组合物中。所述催化剂组合物可以用于烃转化反应，如催化裂解、加氢裂解、加氢反应、聚合反应、蒸汽重整、碱催化反应等。
新型多型体Mg-Al阴离子粘土也可以与催化剂混合作为添加剂组合物。所以，本发明还涉及包含具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土的催化剂添加剂组合物。所述添加剂组合物通常包括粘合剂材料的基质和任选另外的添加剂成分。新型多型体Mg-Al阴离子粘土同样可以以这种形式或以成型体的形式引入到添加剂组合物中。例如，在催化烃转化反应中，阴离子粘土是去除SOx或NOx的添加剂组合物的已知活性成分。根据本发明的3R2Mg-Al阴离子粘土还是去除SOx或NOx的添加剂组合物的合适的活性成分，尤其是在阴离子粘土中或在其上存在金属如Ce和V时。
在以原样或以成型体形式应用时，根据本发明的3R2Mg-Al阴离子粘土还适用于作为催化剂载体。例如，该阴离子粘土可以用作Ziegler-Natta催化剂、CeO2催化剂等的载体等。
新型多型体Mg-Al阴离子粘土还可以用在吸附剂组合物和稳定剂组合物中(以原样和成型体形式)。例如，3R2Mg-Al阴离子粘土用于含氯(共)聚合物的稳定剂组合物、作为卤素清除剂或作为废水处理的吸附剂或者作为阻燃剂都是优异的。
此外，该3R2Mg-Al阴离子粘土用作药物(如抗酸剂、抑肽素(antipeptin)和稳定剂)中的合适的活性成分。
下面通过实施例进一步说明本发明，这些实施例无论如何也不能看成是限制性的。
实施例对比实施例1在65℃把含有三水铝石、闪速煅烧三水铝石和MgO的浆料热处理4小时，制备了一种Mg-Al水滑石。产物的XRD图谱表明，形成了具有3R1堆积的Mg-Al阴离子粘土。
实施例2在180℃把含有三水铝石、闪速煅烧三水铝石和研磨的MgO的浆料水热处理1小时，制备了一种Mg-Al水滑石。产物的XRD图谱表明，形成了具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土。
实施例3在一个10升的高压釜中，把4∶1的MgO(来自Merck)和BOC制成浆料。把该浆料研磨并在170℃水热处理90分钟。产物的XRD图谱表明存在3R2型阴离子粘土。
实施例4在一个10升的高压釜中，把4∶1的MgO(来自Nedmag)和BOC制成浆料。把该浆料研磨并在170℃水热处理90分钟。产物的XRD图谱表明存在3R2型阴离子粘土。
权利要求
1.一种在其中间层中有羟基并具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土。
2.根据权利要求1的Mg-Al阴离子粘土，其中，除了羟基以外，所述中间层还含有NO3-、OH、Cl-、Br-、I-、CO32-、SO42-、SiO32-、CrO42-、BO32-、MnO4-、HGaO32-、HVO42-、ClO4-、BO32-、柱状阴离子如V20O28-6和MO7O246-，一元羧酸根如醋酸根、二元羧酸根如草酸根、烷基磺酸根如十二烷基磺酸根作为嵌入阴离子。
3.根据权利要求1或2的Mg-Al阴离子粘土，其中，在所述阴离子粘土中存在添加剂。
4.根据权利要求3的Mg-Al阴离子粘土，其中，所述添加剂选自稀土金属、Si、P、B、第VI族、第VIII族、碱土如Ca和Ba和过渡金属如Mn、Fe、Ti、Zr、Cu、Ni、Zn、Mo、Sn，和其混合物。
5.一种制备具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土的方法，其中，把含有铝源和镁源的一种浆料水热处理，形成具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土。
6.根据权利要求5的方法，其中，所述镁源在浆料的水热处理之前已经被研磨。
7.根据权利要求6的方法，其中，所述镁源在加入到浆料中之前已经被研磨。
8.根据权利要求5或6的方法，其中，研磨所述镁源和铝源。
9.根据权利要求5-8的任一项的方法，包括下列步骤a)把镁源和铝源的浆料成型，形成成型体，b)任选地热处理所述成型体，和c)水热处理所述成型体，在所述成型体中形成具有3R2堆积的阴离子粘土。
10.一种制备具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土的方法，其中，把具有3R1堆积的阴离子粘土煅烧、再水化并热处理，形成具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土。
11.含有具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土的成型体。
12.包含具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土的催化剂组合物。
13.包含成型体的催化剂组合物，所述成型体含有具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土。
14.包含具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土的催化剂添加剂组合物。
15.包含成型体的催化剂添加剂组合物，所述成型体含有具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土。
16.根据权利要求13或14的催化剂添加剂组合物，用于在催化烃转化反应中除去SOx或NOx。
17.包含具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土的催化剂载体。
18.包含成型体的催化剂载体，所述成型体含有具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土。
19.包含具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土的吸附剂组合物。
20.包含成型体的吸附剂组合物，所述成型体含有具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土。
21.包含具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土的稳定剂组合物。
22.包含成型体的稳定剂组合物，所述成型体含有具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土。
23.根据权利要求19或20的稳定剂组合物，用于含氯(共)聚合物。
24.具有3R2堆积的Mg-Al阴离子粘土，用作药物。
全文摘要
本发明涉及具有3R
文档编号C01F7/00GK1370133SQ00811658
公开日2002年9月18日 申请日期2000年8月11日 优先权日1999年8月11日
发明者D·斯塔密里斯, P·奥康纳, W·琼斯 申请人:阿克佐诺贝尔公司