透明导电膜及使用其的基板、电子器件以及液晶显示装置的制作方法

专利名称：：透明导电膜及使用其的基板、电子器件以及液晶显示装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种透明导电膜，其可以用弱酸容易地蚀刻，微细加工性优异，而且连接电阻也少。另外，本发明涉及使用该透明导电膜的基板、电子器件以及液晶显示装置。
背景技术：
：作为用于液晶显示装置的电极电路、像素电极等的透明导电膜，广为熟知有铟锡氧化物(ITO)膜。在该铟锡氧化物膜中，加热成膜后的多晶状态的膜的电阻为约200X10—6Q"cm，由于非常低，因此作为液晶显示装置用导体的低电阻性优异，光的透射率高，即使作为COG(将芯片固定于玻璃上chiponglass)连接时的连接电阻，也具有对使用没有问题的良好的低连接电阻，但为了蚀刻该铟锡氧化物膜而形成电路或像素电极，需要HC1与HN03的混合酸、HC1与H2S04的混合酸等强酸的蚀刻液。但是，如果将这样的强酸作为蚀刻液进行铟锡氧化物膜的蚀刻加工，则侧蚀显著，微细加工困难。另外，液晶显示装置逐年进行微细化，由铟锡氧化物膜构成的电极或配线以外的部分中，需要进一步低电阻化的配线使用由铜构成的配线来代替以往由铬构成的配线或由钽构成的配线。然而，对上述的铟锡氧化物膜进行蚀刻时使用的强酸蚀刻液，对于铜配线具有显著的蚀刻能力，铟锡氧化物膜的蚀刻率与铜的蚀刻率差异大，而且侧蚀量也大，因此，使用蚀刻铟锡氧化物膜的强酸时，存在使铜配线上产生断线的问题。相反，使用对铜配线蚀刻能力低的稀盐酸或有机酸时，存在不能蚀刻铟锡氧化物膜的问题。另外，也已知有用特殊的制造方法得到非晶状态的铟锡氧化物膜的技术，也已知该非晶状态的铟锡氧化物膜可以用有机酸进行蚀刻，但该非晶状态的铟锡氧化物膜存在连接电阻高的缺点。另外，在室温下对铟锡氧化物膜进行成膜时，容易得到微晶结构，电阻高达约1000X10—6Q"cm，因此，存在没有得到满意的连接电阻的问题。以往，作为代替铟锡氧化物膜的透明导电膜，铟锌氧化物(IZO)膜受到注目。已知该铟锌氧化物膜即使在室温成膜，也可以得到约400X1(T6Qcm的低电阻值，透光率与铟锡氧化物膜同程度，可以用弱酸进行蚀刻，用弱酸进行蚀刻时的侧蚀量少，因此，是一种也适合于微细加工的优异的透明导电膜。另外，如果使用铟锌氧化物膜，则作为不使铜配线腐蚀的蚀刻液，可以选择例如稀盐酸，通过使用稀盐酸蚀刻液，即使采用铟锌氧化物膜与铜配线混合的电路结构，也具有可以进行微细加工的优点。但是，使用上述的铟锌氧化物膜作为上述的液晶显示装置用配线，在COG连接该配线的情况中，连接电阻变大，进一步推进液晶显示装置的微细化配线时产生问题。另外，在大气中保存铟锌氧化物膜时，也具有连接电阻经时上升的问题。在TCP(带载封装tapecarrierpackage)连接中使用铟锌氧化物膜时，产生与上述同样的问题，相对与此，专利文献l中提出了由铟锡锌氧化物形成的透明导电膜。专利文献l:日本特开2001-155549号公报本发明为鉴于上述情况而进行的发明，本发明的目的在于提供一种透明导电膜，其可以用弱酸进行微细化蚀刻，连接电阻也低，透光率也优异，COG连接时的电阻也可以降低，且电阻值不容易经时变动。本发明的其他目的在于提供具备上述透明导电膜的基板、电子器件以及液晶显示装置。本发明的其他目的在于提供上述基板的制造方法。
发明内容本发明为一种透明导电膜，其含有铟氧化物、锡氧化物和至少一种的镧系金属氧化物，且至少与导体的连接部分具有结晶性。在这样的透明导电膜中，作为铟锡镧系金属氧化物的导电结构，除了通过铟氧化物的过剩铟产生电子载体而引起的导电机构之外，通过在铟中添加作为n型掺杂物的锡，使4价的锡活化从而增加电子载体的导电机构有效发挥作用，可以抑制与大气中的水分的反应，实现良好的低电阻连接。通过添加镧系金属氧化物在非晶状态下成膜，之后可以容易地使至少一部分结晶化，确实使由锡产生的电子载体增大，可以确保良好的导电性，并且可以抑制与大气中的水分、氧或有机物的反应。另外，上述透明导电膜容易用稀盐酸或有机酸等弱酸蚀刻，侧蚀量也少，因此，可以进一步微细配线加工。另外，由于该透明导电膜可以用弱酸蚀刻，因此，即使与带有铜配线的结构并用，也不会使铜配线腐蚀，可以进行蚀刻。由此，在蚀刻工序变容易的同时，使铜配线与透明导电膜的配线混合存在的电路结构设计时的自由度提高。本发明的透明导电膜中含有的镧系金属氧化物，优选为氧化铈和/或氧化钐。上述镧系金属氧化物为氧化铈和/或氧化钐时，为由以下金属氧化物构成的溅射靶进行成膜得到的导电膜，所述金属氧化物以各金属成分的原子％计算出的比率在In/(In+Sn+Ce(禾口/或Sm))=0.60.969、Sn/(In+Sn+Ce(和/或Sm))-0.030.2、Ce(和/或Sm)/(In+Sn+Ce(禾口/或Sm))=0.001~0.2的范围。本发明的电子器件具备上述透明导电膜作为电路的至少一部分。由此，可以提供具备具有上述特征的透明导电膜的电子器件。本发明的透明导电膜形成基板，在基板上具备上述透明导电膜。由此，可以提供具有上述特征的透明导电膜形成基板。本发明的透明导电膜形成基板的制造方法，其特征在于，在基板上形成含有铟氧化物、锡氧化物和至少一种镧系金属氧化物的非晶质透明导电膜，且通过对该非晶质透明导电膜进行热处理使所述非晶质透明导电膜的至少一部分结晶化。由于在结晶后可以以低电阻与其他的导体连接，因此可以提供具备即使是微细电路也可以良好连接的配线的透明导电膜形成基板。本发明的液晶显示装置是在相互对置的一对基板间夹持有液晶的液晶显示装置，其特征在于，该一对基板的至少一个基板为上述的透明导电膜形成基板。由此，可以提供具备具有上述特征的透明导电膜基板的液晶显示装置。根据本发明，可以提供一种透明导电膜，其可以用弱酸进行微细化蚀刻，连接电阻也低，光透射率也优异，COG连接时的电阻也降低，且电阻值不容易经时变动。根据本发明，可以提供一种电子器件，其即使采用微细化的配线结构，也可以以低电阻与其他的部件连接，即使在大气中放置连接电阻的劣化也少，可以用弱酸蚀刻，且具备也可以进行微细加工的配线。根据本发明，可以提供一种透明导电膜形成基板，其具备即使是微细电路也可以良好连接的配线。根据本发明，可以提供上述透明导电膜形成基板的制造方法。根据本发明，可以提供一种液晶显示装置，其具有即使是微细电路在配线连接部分也以低连接电阻进行连接的结构。图1是示出具备本发明涉及的透明导电膜的液晶面板的大致结构的图。图2是示出在图1表示的液晶面板上设置的第1例的薄膜晶体管部分和栅极端子部分的截面结构的图。图3是示出在图1表示的液晶面板上设置的第1例的源极端子部分的截面结构的图。图4是示出在图1表示的液晶面板上设置的第2例的薄膜晶体管部分和栅极端子部分的截面结构的图。图5是示出在图1表示的液晶面板上设置的第2例的源极端子部分的截面结构的图。图6是示出ITSO膜的X射线衍射结果的图。图7是示出ITO膜的X射线衍射结果的图。图8是示出IZO膜的X射线衍射结果的图。图9是示出ITSO膜、ITO膜及IZO膜在125小时后的连接电阻的图。图10是示出对ITSO膜、ITO膜及IZO膜进行热处理后的比电阻的图。图ll是示出ITSO膜、ITO膜及IZO膜的透射率的图。图12是示出ITSO膜、ITO膜及IZO膜的蚀刻速度的图。具体实施例方式本发明的透明导电膜包含铟(In)氧化物(ln203)、锡(Sn)氧化物(Sn02)和镧系金属氧化物。除了这些氧化物之外，也可以含有约数原子。/。的Mg、Ca、B、Al、Ga、Ge等杂质。镧系金属氧化物可以使用一种以上，例如，可以适当使用氧化铈、氧化钐等。用于形成透明导电膜的溅射靶，优选以铟氧化物为主要成分、且在各金属成分中可以含有60原子％96.9原子％。更优选含有70原子％95原子％。另外，可以优选含有锡氧化物3原子°/。20原子％，更优选含有5原子％15原子％，可以优选含有镧系金属氧化物O.l原子％20原子％。透明导电膜中没有与氧结合的过剩的铟产生电子载体，构成缺氧型导电结构。作为添加成分的锡氧化物，对于在透明导电膜中活化4价的锡并产生电子载体是重要的。该透明导电膜有用于与其他的配线或导电体连接的连接部分，该连接部分具有结晶性。例如，在透明导电膜的表面部分中与配线或其他的导体进行连接时，表面部分显示结晶性。S卩，将本发明的透明导电膜用作实际的配线用时，优选为与其他的配线或端子的连接部分至少为结晶性的。另外，透明导电膜的结晶化温度优选为160300°C。上述透明导电膜在通常成膜时为非晶膜，但如果进行将其加热至结晶化温度以上的退火处理(加热至160300。C温度的热处理)，则容易结晶化。另外，根据周围的电路或基板的耐热温度，热处理温度可以分别使用，但用作后述的液晶面板用时，从周围电路或基板的耐热性考虑，优选为250°。以下，更优选为约20(TC。本发明的透明导电膜，在成膜时的非晶状态下与COG的接触电阻高(约41Q)，作为微细配线连接用不能说是良好的电阻，但通过对其进行热处理至少将表面部分(从表面的深度约50A)结晶化，可以至少使连接部分低电阻化(约2.3Q)。该结晶化时的热处理氛围，可以是大气中、N2氛围中、H220。/。和N280。/。氛围中、0220%和^80%氛围中、真空氛围中的任一种。另外，上述结晶化后的透明导电膜可以防止与大气中的水分(或氧)的结合，因此，连接电阻也不会经时上升。另外，上述的非晶状态的透明导电膜用稀盐酸、有机酸等弱酸的蚀刻可以很容易，因此，优选以非晶状态的透明导电膜的状态直接进行蚀刻处理，进行图案形成，从而形成配线。此时，通过在图案形成后对配线连接部分等必要部分进行热处理从而低电阻化，则即使是微细电路连接部分也可以低电阻连接。本发明的透明导电膜，可以作为透明电极使用。该透明电极用含有草酸的蚀刻液进行蚀刻而制成的端部的锥角，优选为3089度，更优选为3589度，特别优选为4085度。根据蚀刻液浓度或蚀刻温度可以控制锥角，该蚀刻温度优选为1555°C，特别优选为2545°C。当低于15t:时，存在蚀刻速度延缓、或器件结露的可能。当高于55"C时，存在水分蒸发、浓度变动的可能。本发明的透明导电膜及透明电极，不仅可以在玻璃、无机绝缘膜等无机物上设置，而且可以在有机基板上或有机膜上设置。本发明的透明导电膜、透明电极，如多结晶ITO等结晶性膜，在有机基板或有机膜上结晶性的不均匀产生少，作为有机基板上或有机膜上使用的透明导电膜、透明电极好。上述透明导电膜，可以用作液晶显示装置、有机或无机EL显示装置、等离子体显示器面板(PDP)显示装置、表面传导电子发射显示器(SED)显示装置等的电路的至少一部分。将透明导电膜在液晶显示装置中使用时，例如，作为之间夹持液晶的一对基板的至少一个基板，可以使用形成上述透明导电膜的基板。也可以使用在两个基板上形成透明导电膜的基板。本发明的形成透明导电膜的基板，可以用以下方法进行制造。首先，在基板上形成含有铟氧化物、锡氧化物及至少1种镧系金属氧化物的非晶质透明导电膜。作为成膜方法，有使用由铟氧化物、锡氧化物及至少1种镧系金属氧化物构成的靶的溅射，水、有机溶剂中悬浮有该氧化物的浆体的涂布或其前体溶液的涂布等。接着，通过对该非晶质透明导电膜的至少一部分进行热处理来进行结晶化。热处理的条件等如上所述。透明导电膜的图案形成可以在热处理之前或之后。为了可以在非晶状态下容易地进行图案形成，优选在热处理之前进行图案形成。图1图3是示出使用本发明涉及的透明导电膜构成的有源矩阵型液晶面板(电子器件)的一个例子的图。该例的液晶面板P的结构为在上下对向配置的透明基板1、2之间密闭液晶3,在上侧的基板1的液晶侧形成滤色器4和由上述组成的透明导电膜构成的公共电极5，在下侧的基板2的上面侧在纵向和横向多个整列形成由上述组成的透明导电膜构成的像素电极6。另外，在下侧的基板2的上面中，在像素电极6…之间的区域中由铜等导电性的金属材料构成的栅极配线7和源极配线8配线为矩阵状，在用栅极配线7和源极配线8包围的区域中配置像素电极6，同时以各像素电极6与栅极配线7或源极配线8连接的方式形成作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)9。另外图1中在基板1的上侧和基板2的下侧配置各偏振片的IOA、IOB。另外，图1示出的液晶面板P只示出3列X3行的像素电极6，但实际的液晶面板中作为有效显示像素设置数百X数百的像素，设置根据像素数目的像素电极6。另外，在成为液晶面板P的有效显示区域(形成用于显示的像素电极6的区域)的外侧的配线区域的框架部分中的栅极配线7和源极配线8的连接部分中，设置这些配线的连接端子部，但图l中为了记载的简略化，省略了对栅极配线连接部和源极配线连接部的记载。另外，液晶3被在基板1、2的周边部形成的未图示的封闭材料和基板1、2包围并封闭，在图1中也省略了封闭材料部分的结构。在图1中表示的结构的液晶面板P中，薄膜晶体管9的部分和其周围的配线结构构J^为例如图2和图3所示。在图2中表示的截面结构中，在基板2上形成从栅极配线7的一部分引出而设置的栅极电极11和像素电极6，覆盖它们形成栅极绝缘膜12，在栅极电极11上的栅极绝缘膜12上形成岛状的半导体膜13，在半导体膜13的两端部侧各自隔着欧姆接触膜(ohmiccontactfilm)14设置源极15和漏极16，源极15与所述源极配线8连接，漏极16隔着在栅极绝缘膜12上形成的接触孔部分的导通部17，与像素电极6连接，导通部17与像素电极6的接触部分为连接部分6a，再覆盖这些部分形成绝缘膜18。另外，在实际的基板2的液晶侧形成取向膜，但在图2中省略了取向膜。另外，在液晶面板P的周边部分的框架部分中，栅极配线7的端子部分中，如图2所示，用栅极绝缘层12覆盖栅极配线7的端部7a，在栅极配线7的端部7a外侧的基板2上形成由上述组成的透明导电膜构成的栅极端子6A，该栅极端子6A与上述栅极端子7a，通过由与之前的源极配线8的材料同等的导电材料构成的连接层20进行连接，该部分成为连接部分6b，同时用之前的绝缘膜18覆盖连接层20。并且在栅极端子6A的端部，IC芯片21的金属凸点22通过ACF(异方性导电膜)等导电层23进行连接，该部分设为连接部分6c。由此，进行COG配线。之后，在液晶面板P的周边部分的框架部分中，源极配线8的端子部分中，如图3所示，在栅极绝缘膜12的端部侧形成由上述组成的透明导电膜构成的源极端子6B，该源极端子6B上连接上述源极配线8的端部，覆盖这些连接部分形成上述绝缘膜18。并且源极端子6B的端部上，IC芯片24的金属凸点25通过ACF(异方性导电膜)等导电层26进行连接。由此，进行COG配线。在以上构成的液晶面板P中，如图2所示像素电极6上连接漏极16的导通部17的连接部分6a、栅极端子6A上连接连接层20的连接部分6b、栅极端子6A上连接IC芯片21的连接部分6c、如图3所示源极端子6B上连接源极配线8的端部的连接部分6d、源极端子6B上连接IC芯片24的连接部分6e中，均进行透明导电膜与其他导电体的连接。在此，像素电极6、栅极端子6A和源极端子6B由上述的透明导电膜构成，因此，在任一部分中均可以以低连接电阻进行连接。而且，这些连接部分随着液晶面板P的微细化而进行微细化，在宽度上微细化至约540Xl(T6m，因此，在对这样微细化后的连接部分进一步进行微细化而得到的下一代微细化面板的结构中，可以充分地进行良好的连接。在此，为了实现图2和图3所示的结构，在形成非晶状态的透明导电膜之后，通过蚀刻形成像素电极6、栅极端子6A、源极端子6B后，需要进行与其他层的导体部分的连接。在此，如果是之前组成的透明导电膜，则作为蚀刻液可以不是强酸而用稀盐酸或有机酸等弱酸进行蚀刻，因此，可以减少侧蚀量，通过蚀刻可以相应地得到微细结构。另外，对透明导电膜进行微细蚀刻形成规定尺寸的像素电极6、或端子6A、6B之后，如果将这些膜加热至结晶化温度以上，使非晶状态的膜结晶化，则可以降低结晶化部分的电阻，因此，可以以低电阻进行与漏极16的连接、与IC芯片21、24的连接。如果如上所述在非晶状态下对透明导电膜进行蚀刻后，进行结晶化并连接，则可以得到一种液晶面板(电子器件)p，其具备在微细配线部分也以连接电阻降低连接电阻的状态下进行连接的部分。图4和图5是示出构成液晶面板P的薄膜晶体管9的部分及其周围的配线结构的第2例的图。图4表示的截面结构中，在基板2上形成从栅极配线7的一部分引出而设置的栅极电极31，覆盖它们形成栅极绝缘膜32，在栅极电极31上的栅极绝缘膜32上形成岛状的半导体膜33，在半导体膜33的两端部侧分别隔着欧姆接触膜34设置源极35和漏极36，源极35与所述源极配线8连接，在覆盖它们的绝缘膜38上形成像素电极60，隔着绝缘膜38上形成的接触孔部分的导通部37，漏极36与像素电极60的连接部分60a连接。另外，在液晶面板P的周边部分的框架部分中，栅极配线7的端子部分中，如图4所示，用栅极绝缘层32和绝缘膜38覆盖栅极配线7的端部7b，以填充栅极绝缘层32和绝缘膜38上形成的接触孔39的方式，用与构成之前的像素电极60的透明导电膜相同的透明导电膜形成与栅极配线7的端部7b连接的栅极端子40。另外，在栅极端子40的端部，IC芯片41的金属凸点42通过ACF(异方性导电膜)等导电层43进行连接，形成连接部分40a。由此，进行COG配线。另外，在液晶面板P的周边部分的框架部分中，源极配线8的端子部分中，如图5所示，在栅极绝缘膜32上形成由与构成上述源极36、漏极35的导电材料相同的材料构成的源极端子44，在该源极端子44上的绝缘膜38上形成的接触孔45部分上，形成由形成的上述组成的氧化物透明导电材料构成的源极端子46,在该源极端子46上IC芯片47的金属凸点48通过ACF(异方性导电膜)等导电层49进行连接，形成连接部分46a。由此，进行COG配线。为了实现图4和图5所示的结构，在形成透明导电膜之后，根据蚀刻形成像素电极60、栅极端子40、源极端子46后，需要进行连接。在此，如果是之前组成的透明导电膜，则作为蚀刻液可以不是强酸而用弱酸进行蚀刻，因此，可以减少侧蚀量，相应地实现微细结构。另外，进行微细蚀刻形成规定尺寸的像素电极60、或端子40、46之后，如果将这些膜加热至结晶化温度以上，使非晶的膜结晶化，则可以降低结晶化部分的电阻，因此，可以以低电阻进行与漏极36的连接、与IC芯片41、47的连接。如果如上所述在非晶状态下进行蚀刻后，进行结晶化并连接，则可以得到一种液晶面板(电子器件)P，其具备在微细配线部分也以降低连接电阻的状态下进行连接的部分。另外，在上述的实施方式中，作为电子器件以液晶面板为例进行说明，但本发明的透明导电膜可以广泛使用于液晶面板以外的需要透明导电膜的各种电子器件中是毋庸置疑的。实施例实施例1使用In:Sn:Sm=90原子％:7原子％:3原子％的组成的靶，在18(TC下成膜、02分压3Xl(^Pa(5Xl(y5T0rr)的条件下，用溅射装置在玻璃基板上形成厚度为800A的铟锡钐氧化物被膜"In20rSn02-Sm203膜"(ITSO膜)。用ICP(电感耦合等离子体发射)分析对所形成的ITSO膜进行元素分析，结果为与制膜中使用的靶几乎相同的组成。求出被膜的X射线衍射图形，结果判定在18(TC下成膜时，ITSO膜为示出宽幅曲线的非晶膜。另外，对于该铟锡钐氧化物被膜，求出在空气中180300'C的各温度下实施30分钟热处理后的X射线衍射图形，结果示于图6中。由图6所示的结果，可以判定实施热处理时ITSO膜结晶化。由上可以明确，本发明涉及的组成的ITSO膜在成膜状态下为非晶状态，但通过对其进行热处理可以结晶化。另外，ITSO膜在成膜时的非晶状态中显示600X1(T6Q*cm的电阻，但热处理后成为250Xl(T6Qcm的电阻，可以确认通过由非晶状态进行结晶化，电阻值减少。比较例1使用In:Sn=卯原子％:10原子％的组成的靶，在室温成膜、02分压3X10'3Pa(5Xl(T5T0rr)的条件下，用溅射装置在玻璃基板上形成厚度为800A的铟锡氧化物膜(ITO膜)。另外，求出被膜的X射线衍射峰，结果示于图7中。由图7所示的结果，可以判定在室温成膜时ITO膜为显示结晶性的膜。比较例2使用In:Zn=83原子％:17原子％的组成的靶，在室温成膜、02分压3X10—3Pa(5Xl(T5Torr)的条件下，用溅射装置在玻璃基板上形成厚度为800A的铟锌氧化物被膜(IZO膜)。对所得到的IZO膜的组成进行分析，结果为In:Zn-82原子y。:18原子c/。。另外，求出被膜的X射线衍射峰，结果示于图8中。另夕卜，在20。/。H2/80。/。N2氛围的退火炉中，以25(TC对该IZO膜加热2小时，进行热处理。也求出实施该热处理后的X射线衍射峰，结果示于图8中。由图8所示的结果，可以判定在室温成膜时IZO膜为显示宽幅的曲线的非晶膜。另外，判定即使实施热处理，IZO膜也不会结晶。评价例使用由实施例l及比较例1、2得到的ITSO膜、ITO膜、IZO膜，进行以下评价。(1)COG连接可靠性将由实施例1及比较例1、2得到的热处理后的ITSO膜、未热处理的ITO膜、热处理后的IZO膜等各膜与带凸点的IC芯片通过ACF进行连接，测定在60°C、湿度95%的条件下125小时后的连接电阻，结果示于图9中。(2)结晶化温度将非晶状态的ITSO膜在空气中、退火炉中、18(TC30(TC下进行30分钟加热，进行热处理时的X射线衍射数据示于图6中。在发现氧化铟的峰时，判定为生成结晶。(3)伴随退火温度的比电阻通过将成膜后未热处理的各膜在空气中、退火炉中、20(TC28(TC下加热30分钟来进行热处理，测定比电阻。结果示于图10中。(4)透射率通过将成膜后未热处理的各膜在空气中、退火炉中、28(TC下加热2小时来进行热处理，测定300nm800nm的透射率。结果示于图ll中。(5)蚀刻速度将由实施例l及比较例1、2得到的热处理前的ITSO膜、未热处理的ITO膜、热处理前的IZO膜等各膜，在35'C45。C下通过草酸(草酸5%、水95%)以及PAN(磷酸87%、醋酸10%、硝酸3%)进行蚀刻，求出蚀刻速度。结果示于图12中。(6)蚀刻残渣将由实施例1及比较例1、2得到的热处理前的ITSO膜、未热处理的ITO膜、热处理前的IZO膜等各膜，在45。C下通过草酸(草酸5%、水95%)进行蚀刻。测定蚀刻残渣，结果在ITO膜中观察到很多的蚀刻残渣，而在ITSO膜中与IZO膜同样未观察到蚀刻残渣，显示良好的蚀刻特性。(7)蚀刻特性的评价将由实施例1得到的热处理前的ITSO膜在35'C下用含有草酸的蚀刻剂(草酸5%、水95%)进行蚀刻。蚀刻后用电子显微镜观察截面，测定锥角，结果为80度。(8)透明导电性膜与金属的密合性的评价对于由实施例1得到的热处理后的ITSO膜，通过划痕试验评价与钼的密合性，结果AE信号开始负荷为17N，开始产生膜裂缝负荷为17N，良好。另外，划痕试验的测定条件如下所述。划痕试验机CSEM公司制造的Micro-Scratch-Testeer划痕距离20mm划痕负荷030N负荷率30N/min戈lj痕速度20mm/min钻石针形状0.2mmR检测方法负荷传感器及AE传感器(9)透明导电膜的电化学特性的评价测定由实施例1得到的热处理前的ITSO膜的、对于饱和银/氯化银电极在TMAH(四甲基氢氧化铵)水溶液中的浸渍电极电位，结果为-4.2V。(1)(6)的结果收集于表1中。由该表可知，实施例1的ITSO膜，在成膜速度18(TC以下的成膜阶段显示稳定的非晶结构，因此，与IZO同样显示出无蚀刻残渣的良好蚀刻特性。另外，在18(TC以上的后退火温度下使其结晶化，由此可以改善作为IZO弱点的端子连接可靠性。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>产业上利用的可能性本发明的透明导电膜及基板可以用于液晶显示装置、有机或无机EL显示装置、PDP显示装置、SED显示装置等的电子器件中。权利要求1.一种透明导电膜，其特征在于，含有铟氧化物、锡氧化物和至少一种的镧系金属氧化物，具有与导体的连接部分，且至少所述连接部分具有结晶性。2.根据权利要求l所述的透明导电膜，其特征在于，所述镧系金属氧化物为氧化铈和/或氧化钐。3.根据权利要求2所述的透明导电膜，其特征在于，以各金属成分的原子％计算出的比率在In/(In+Sn+Ce(和/或Sm))=0.60.969、Sn/(In+Sn+Ce(和/或Sm))=0.030.2、Ce(禾口/或Sm)/(In+Sn+Ce(禾口/或Sm))=0.0010.2的范围。4.根据权利要求13中任一项所述的透明导电膜，其特征在于，结晶化温度为160300°C。5.—种透明电极，其特征在于，锥角为3089度，且由权利要求14中任一项所述的透明导电膜形成。6.—种电子设备，其特征在于，具备权利要求14中任一项所述的透明导电膜作为电路的至少一部分。7.—种透明导电膜形成基板，其特征在于，在基板上形成有权利要求14中任一项所述的透明导电膜。8.制造权利要求7所述的透明导电膜形成基板的方法，其特征在于，在基板上形成含有铟氧化物、锡氧化物和至少一种镧系金属氧化物的非晶质透明导电膜，且通过对所述非晶质透明导电膜进行热处理而将所述非晶质透明导电膜的至少一部分结晶化。9.一种液晶显示装置，它是在相互对置的一对基板间夹持有液晶的液晶显示装置，其特征在于，所述一对基板的至少一个基板为权利要求7所述的透明导电膜形成基板。全文摘要一种透明导电膜，其含有铟氧化物、锡氧化物和至少一种的镧系金属氧化物，具有与导体的连接部分，且至少所述连接部分具有结晶性。文档编号C01G19/00GK101313371SQ20068004320公开日2008年11月26日申请日期2006年10月31日优先权日2005年11月21日发明者井上一吉,梅野聪,海上晓,田中信夫申请人:出光兴产株式会社