1.一种大面积单晶多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于包括：
采用水热法在沉积有TiO2晶种层的导电基底表面生长高取向多孔二氧化钛薄膜；
以及，对所述高取向多孔二氧化钛薄膜进行煅烧处理，获得单晶多孔二氧化钛薄膜。
2.根据权利要求1所述的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于包括：将沉积有TiO2晶种层的导电基底置于高压反应釜中，并加入含Ti反应物、浓酸和水，在180℃～200℃保温1～4h，之后冷却、清洗，获得高取向多孔二氧化钛薄膜。
3.根据权利要求2所述的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于所述含Ti反应物包括钛酸四丁酯或钛酸异丙酯，所述浓酸包括盐酸与硫酸的混合酸液。
4.根据权利要求1或2所述的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于包括：采用浸渍提拉法在洁净导电基底上沉积TiO2晶种层，其中采用的浸渍溶液，包括浓度为0.2～0.6M的钛酸四丁酯乙醇溶液，提拉速率为50～200mm/min，之后在空气氛下进行烧结，烧结温度为400～600℃，烧结时间为30～120min。
5.根据权利要求1所述的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于包括：将所述高取向多孔二氧化钛薄膜在空气中煅烧，煅烧温度450℃～550℃，煅烧时间30～60min，获得单晶多孔二氧化钛薄膜。
6.根据权利要求1或5所述的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于还包括：对所述单晶多孔二氧化钛薄膜进行表面处理和扩孔处理。
7.根据权利要求6所述的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于包括：将所述单晶多孔二氧化钛薄膜浸渍于主要由体积比为20:1～100:1的双氧水与氨水形成的混合溶液中，浸渍时间10～30min，从而完成对所述单晶多孔二氧化钛薄膜的表面处理和扩孔处理。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于所述导电基底包括透明导电玻璃，所述透明导电玻璃包括掺氟氧化锡玻璃。
9.由权利要求1-3中任一项所述方法制备的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜。
10.一种光电器件，其特征在于包含权利要求9所述的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜。