1.一种氮化硅衬底的制造方法，其包括：
原料粉末准备步骤，其准备含有硅粉末、稀土元素化合物、及镁化合物的原料粉末，其中，当将原料粉末中的硅换算成氮化硅时，该原料粉末含有以氧化物计1摩尔％以上7摩尔％以下的所述稀土元素化合物，并含有以氧化物计8摩尔％以上15摩尔％以下的所述镁化合物；
片材成形步骤，其将所述原料粉末成形为片状而形成片材体；
氮化步骤，其在氮气氛中以1200℃以上1500℃以下对所述片材体进行加热，将包含在片材体中的硅氮化；以及
烧结步骤，其在氮气氛下对完成了所述氮化步骤的所述片材体进行烧结。
2.根据权利要求1所述的氮化硅衬底的制造方法，其中，所述镁化合物包含选自氧化镁、硅化镁、氮化硅镁的一种以上的镁化合物。
3.根据权利要求1或2所述的氮化硅衬底的制造方法，其中，包含在所述稀土元素化合物中的稀土元素包括选自Y、Sc、La、Ce、Nd、Sm、Gd、Dy、Ho、Er、Yb的一种以上的元素。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的氮化硅衬底的制造方法，其中，通过所述片材成形步骤所得到的片材体的相对密度为45％以上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的氮化硅衬底的制造方法，其中，对于通过所述烧结步骤所得到的氮化硅衬底，在未加工的状态下，利用激光闪光法测定的热导率为80W/mK以上。