用于沉积纳米管的设备的制作方法

文档序号:12283941阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于在基板(6)上沉积尤其含碳的结构、例如纳米管或石墨形式的层的设备,所述基板(6)由被安置在处理室壳体(19)内的基板支架(1)支承,其中,通过安置在处理室壳体(19)内的进气机构(24、25)的排气口(39)能够朝着至少一个基板(6)的方向供给处理气体,其特征在于,所述处理室壳体(19)具有至少一个具备空腔(28)的壁件(48、48’),其中,所述空腔(28)借助供气口(40)与进气机构(24、25)的气体体积空间相连。

2.按照权利要求1所述的设备,其特征在于,所述供气口(40)尤其通入到进气机构的后壁(25)和进气板(24)之间。

3.按照前述权利要求之一所述的设备,其特征在于,所述处理室壳体(19)具有相互对置的具备空腔(28)的壁件(48、48’),其中,每个空腔(28)均通过供气口(40)与进气机构(24、25)的气体体积空间相连。

4.按照前述权利要求之一所述的设备,其特征在于,所述处理室壳体(19)具有参照基板支架(1)所处的平面呈翻转对称的结构,其中,所述基板支架(1)是在对称平面中延伸的面状体,所述面状体的两个宽侧分别能够支承基板(6),并且所述基板支架(1)的两个宽侧面(2)中的每一个均与具有排气口(39)的排气板(24)相对置,其中,分别布置在排气板(24)后侧的气体体积空间经由通向处理室壳体壁件(48、48’)的至少一个的供气口(40)被供气。

5.按照前述权利要求之一所述的设备,其特征在于,至少一个空腔(28)通过输入管路与提供处理气体的气体混合系统相连,其中,所述输入管路尤其配属于所述壁件(48、48’)的窄侧。

6.一种用于在基板(6)上沉积尤其含碳的结构、例如纳米管层或石墨层的设备,所述基板(6)由被安置在处理室壳体(19)内的基板支架(1)支承,其中,通过安置在处理室壳体(19)内的进气机构(24、25)的平行于基板支架(1)延伸的进气板(24)的排气口(39)能够朝着至少一个基板(6)的方向供给处理气体,其特征在于,所述处理室壳体(19)具有两个相对置的且垂直于基板支架(1)的、具备固持槽(34、35、36、37、38)的壁件(48、48’),板状构件的两个相互背离指向的边缘段插在所述固持槽(34、35、36、37、38)内,所述板状构件是进气机构(24、25)的进气板(24)和/或后壁(25)和/或屏蔽板(26)和/或反射器(30)和/或处理室壳体(19)的后壁(31),并且通过所述板状构件在其延伸平面内的移位能够从处理室壳体(19)中移除所述板状构件。

7.按照前述权利要求之一所述的设备,其特征在于,在进气机构(24、25)的背后、尤其在两个进气机构(24、25)的背后布置有加热装置(27),尤其用于产生红外射线。

8.按照前述权利要求之一所述的设备,其特征在于,排气板(24)、后壁(25)和必要时在所述后壁(25)的背后布置的板件(26)由热量可穿透的材料、尤其石英构成。

9.按照前述权利要求之一所述的设备,其特征在于,所有板状部件(24、25、26、30、31)均布置在平行平面内并且均能够沿竖向从处理室壳体(19)中被移除,其中,在平行平面内延伸的基板支架(1)能够尤其沿竖向通过装载口(23、43)从处理室壳体(19)中被移除。

10.按照前述权利要求之一所述的设备,其特征在于,所述处理室壳体(19)安置在向外气密的反应器壳体(20)内,所述反应器壳体(20)具有围绕转动轴线能够打开的盖板(46)。

11.按照前述权利要求之一所述的设备,其特征在于,反应器壳体(20)的壁件能够调温,并且为此尤其具有冷却通道(47)。

12.按照前述权利要求之一所述的设备,其特征在于,构成处理室壳体(19)的底部的底板(50)具有排气口(41、42)。

13.一种设备,其特征在于具有一个或多个前述权利要求所述的技术特征。

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