高导电性钽酸锂晶体基片的黑化处理方法与流程

技术总结
一种高导电性钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，包括步骤选取LT基片的金属铝片作为还原剂夹片；交替放置；置入热处理炉中，密封后抽真空等。使黑化LT基片不产生表面电荷积累，从而获得减弱或者无热释电性的LT黑化衬底片，可提高在SAW滤波器制作的优良率。

技术研发人员：赵广军;姚诗凯;杨新华;徐峰;杨胜裕
受保护的技术使用者：上海召业申凯电子材料有限公司
文档号码：201610674250
技术研发日：2016.08.16
技术公布日：2017.01.04