技术总结
本发明是一种高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法，该方法包括以下步骤：（1）使用氮化铝生瓷和金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作氮化铝生瓷件；（2）将氮化铝生瓷件在排胶炉中排胶；（3）排胶后的生瓷件放入双重密闭承烧装置中；（4）将装有氮化铝生瓷件产品的承烧装置放入高温气氛烧结炉中烧结。本发明的优点：1）本方法可以制备高温共烧氮化铝陶瓷，应用于MCM基板和封装、大功率器件的基板、外壳、大功率LED封装外壳等领域；2）使用本发明的方法烧结，可以避免氮化铝陶瓷中第二相的过度挥发，得到的共烧氮化铝陶瓷的热导率、抗折强度和金属化强度满足电子陶瓷的使用要求。
技术研发人员：夏庆水;陈寰贝;程凯;庞学满;张智旻
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
文档号码：201611115067
技术研发日：2016.12.07
技术公布日：2017.05.10