技术总结
本发明涉及碳化硅单晶生长结束后处理领域，具体涉及一种降低大直径SiC单晶内应力的炉后退火方法。包括以下步骤：（1）将附着石墨组件的单晶整体放置于退火炉恒温区中，同时通入惰性气体，逐渐升温至SiC单晶脆化点1100℃以上；（2）维持1100℃以上的炉温，将气体氛围置换为与石墨发生反应的气体氛围，通过气体与石墨发生反应去除石墨组件；（3）待完全去除所述单晶上附着的石墨组件，将所述气体氛围重新置换为惰性气体氛围，并将炉温升至1300℃以上的温度并稳定，将无石墨组件附着的SiC单晶进行退火；（4）将所述炉温缓慢降至室温，并停止通入所述惰性气体。本发明有效地降低了大直径SiC单晶内应力，进一步降低了后续加工过程中单晶的开裂几率。
技术研发人员：杨昆;杨继胜;高宇;郑清超
受保护的技术使用者：河北同光晶体有限公司
文档号码：201611126089
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.03.08