技术总结
传统的衰减片采用在玻璃基底上通过化学镀或真空蒸镀膜，使用有害化学物质，污染环境，成本较高。一种利用磁控溅射技术制备Ni/SiO2玻璃衰减片的装置，其组成包括：真空室，真空室（1）为圆柱形，侧面具有取物口和探视窗口，真空室下部中心具有可调支架（13），可调支架的调整位置位于真空室外，可调支架上安装有正电极（14），正电极上放置有工件（15），真空室上部中心具有发射电极（23），发射电极上连接有溅射靶（24），真空室的侧壁上还安装有传感器（22）和加热器（16），传感器和加热器导线（20）连接于真空室外安装的温控器（19）。本实用新型申请应用于利用磁控溅射技术制备Ni/SiO2玻璃衰减片的装置。
技术研发人员：汤卉;董鹏展;邵璇;吕杨
受保护的技术使用者：哈尔滨理工大学
文档号码：201621230741
技术研发日：2016.11.16
技术公布日：2017.05.10