技术总结
本实用新型公开了一种光作用的晶体生长装置，包括反应釜、坩埚和加热器，坩埚设在反应釜内，加热器设在坩埚侧面，所述反应釜上设有调节阀，反应釜上设有延伸至坩埚内的光传输通道，该光传输通道与光源连接使光源发出的光线经光传输通道射入坩埚内，光传输通道的下端位于坩埚内的溶液液面的上方或内部，并且坩埚内还设有用于驱动流体流动的叶片，坩埚底面设有旋转支撑杆。本实用新型通过引入光作用，依靠照射Ga‑Na熔体及加速气体电离的光能量，有效地提高了GaN晶体生长速率。
技术研发人员：李成明;陈蛟;王琦;卢洪;童玉珍;李顺峰;张国义
受保护的技术使用者：北京大学东莞光电研究院
文档号码：201621329743
技术研发日：2016.12.06
技术公布日：2017.09.22