电子级高纯氢氧化钡的生产工艺的制作方法

文档序号:12635230阅读:2818来源:国知局

本发明涉及氢氧化钡的生产技术领域,具体涉及电子级高纯氢氧化钡的生产工艺。



背景技术:

电子级高纯氢氧化钡主要用于水热法高纯钛酸钡生产,水热法高纯钛酸钡用于生产片式多层陶瓷电容器(MLCC)。目前,生产高纯度氢氧化钡的方法是采用冷却结晶的生产方法,在烘干过程中容易造成氢氧化钡产品表面失水粉化,从而影响到下游客户的配方精度,在现有技术中,会采用添加防结块剂的方式来避免八水氢氧化钡结块,然而这样处理的后果又会在氢氧化钡产品中引入杂质。



技术实现要素:

本发明的目的在于克服现有的高纯氢氧化钡在提供了一种电子级高纯氢氧化钡的生产工艺,采用重结晶和离心脱水方法,所得氢氧化钡纯度高,氢氧化钡不粉化,并且时间长保持松散不结块。

本发明是采用以下的技术方案实现的:

一种电子级高纯氢氧化钡的生产工艺,包括以下步骤:

采用低锶高纯氯化钡溶液和氢氧化钠反应生成氢氧化钡,将氢氧化钡溶液升温溶解,降温结晶,离心脱水,用水洗涤,得到粗结晶Ba(OH)2·8H2O;将粗结晶Ba(OH)2·8H2O再次加热溶解,升温至80℃以上,控制料液波美度在20Be′~30Be′之间,降温结晶,结晶时间为20-36h,离心脱水,用水洗涤,再离心脱水;

所述降温结晶包括三个阶段,第一阶段以1-3℃/h的速率降温至75-80℃,时间为8-20h;第二阶段以2-5℃/h的速率降温至60-65℃,时间为4-15h;第三阶段最后以5-8℃/h的速率降温至≤25℃,时间为4-8h。

上述技术方案,进一步地,所述降温结晶第一阶段以2℃/h的速率降温至75℃,时间为11h;第二阶段以3℃/h的速率降温至60℃,时间为5h;第三阶段最后以5℃/h的速率降温至≤20℃,时间为8h。

上述技术方案,进一步地,粗结晶Ba(OH)2·8H2O再次溶解,加热至至80℃以上,控制料液波美度在23Be′-27Be′。

上述技术方案,进一步地,所述离心脱水工序采用的离心机的转速为1000-2000rpm,时间为20-30min。离心机转速过高,晶体之间的摩擦力大,会使部分晶体破裂,增加后续脱水时晶体的损耗。离心机转速过低,脱水效果不好,脱水时间过长,晶体之间的摩擦时间长,同样会使晶体尺寸变小,增加脱水时的晶体损耗。

上述技术方案,进一步地,将带有结晶体的料液放入离心机内,进行脱水,用适量的水洗涤。洗涤时间过长会使部分晶体溶解,影响产品收率,洗涤时间过短,去除杂质的效果不好。

上述技术方案,进一步地,往反应罐内加入水,加热升温至80℃以上,开启搅拌,按照氯化钡与水的重量比为1:(2-3)的比例加入低锶高纯氯化钡,搅拌至溶解,配制成氯化钡溶液。

上述技术方案,进一步地,将氢氧化钠加入反应罐中,加入低锶高纯氯化钡溶液,开启搅拌,升温至80℃以上,停止加热和搅拌,将物料打入结晶罐中,启动结晶罐搅拌和开夹套冷却水进行降温结晶。

第一阶段为晶核形成阶段,控制温度缓慢降低,一是能够防止在短时间内形成大量晶核,影响纯度,而是能够使晶体长的大,在放料和脱水过程中不会化掉,提高产品的收率;第二阶段为晶体初长阶段,当一定数量的晶核形成以后,控制降温速度不能太快,有利于晶体长大,避免生成第二批、第三批……晶核,保证脱水效果和产品产量;第三阶段为晶体长大阶段,晶体长到一定程度后,已经具有较大的表面积,强度也增大,适当加快降温速度,能够提高生产效率。

采用离心机借助惯性离心力作用下,将水脱去,与传统的烘干工艺相比,能够防止八水合氢氧化钡表面失水粉化,避免影响到下游客户的配方精度。

本发明公开的电子级高纯氢氧化钡的生产工艺具有以下有益效果:生产工艺简单,产品收率高,不引入杂质,产品中锶等杂质含量低,纯度高,符合高纯钛酸钡的要求;不粉化,产品保持松散不结块时间长,方便使用。

具体实施方式

为了能够更加清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点,下面结合实施例对本发明做进一步说明。

实施例1

开启水泵,往反应罐内加入6m3水,升温至80℃,开启搅拌,加入3吨低锶(锶含量小于50ppm)高纯氯化钡,待氯化钡溶化后,停止搅拌待用;开启碱液计量槽阀门,加入3300kg烧碱,然后开启料泵,将氯化钡清液打入反应罐内,开启搅拌,升温至90℃,关闭蒸汽阀门,停止搅拌;开启料泵将物料打入结晶罐,启动结晶罐搅拌和开夹套冷却水进行降温结晶;开启结晶罐放料阀,将带有结晶体的料液放入离心机内,进行脱水,离心机转速1000rpm,脱水时间30min,用适量的水洗涤,约10分钟后,停机,制得一次粗结晶的Ba(OH)2·8H2O。

将15m3水加入到化料罐内,升温到80℃左右,开动搅拌,加入5吨一次粗结晶的Ba(OH)2·8H2O,在不断搅拌下,投入化料罐内,并升温至85℃,控制料液波美度20Be′~23Be′之间,关闭加热阀门,并停止搅拌;将料液由泵经压滤机打入结晶罐内,并启用冷却水循环水泵,控制降温速度,第一阶段以1℃/h的速率降温至80℃,时间为15h;第二阶段以2℃/h的速率降温至60℃,时间为15h;第三阶段最后以8℃/h的速率降温至25℃,时间为4.5h;结晶完毕,将结晶料液放入离心机内,启动离心机脱水,离心机转速1000rpm,脱水时间30min,用适量的水洗涤,分离、脱水、包装。

实施例2

开启水泵,往反应罐内加入6.5m3水,升温至80℃,开启搅拌,加入3吨低锶(锶含量小于50ppm)高纯氯化钡,待氯化钡溶化后,停止搅拌待用;开启碱液计量槽阀门,加入3300kg烧碱,然后开启料泵,将氯化钡清液打入反应罐内,开启搅拌,升温至80℃,开启料泵,打入结晶罐,同时启动结晶罐搅拌和开夹套冷却水进行降温结晶;将带有结晶体的料液放入离心机内,进行脱水,离心机转速1800rpm,脱水时间25min,用适量的水洗涤,约10分钟后,停机,制得一次粗结晶的Ba(OH)2·8H2O。

将15m3水加入到化料罐内,升温到80℃,开动搅拌,加入5吨一次粗结晶的Ba(OH)2·8H2O,在不断搅拌下,投入化料罐内,并升温至85℃,控制料液波美度在23Be′~27Be′之间,关闭加热阀门,并停止搅拌;将料液由泵打入结晶罐内,同时开动搅拌,并启用冷却水循环水泵,控制降温速度,第一阶段以3℃/h的速率降温至78℃,时间为8h;第二阶段以5℃/h的速率降温至60℃,时间为7h;第三阶段最后以8℃/h的速率降温至20℃,时间为5h;结晶完毕,将结晶料液放入离心机内,启动离心机脱水,离心机转速1800rpm,脱水时间25min,用适量的水洗涤,离心脱水包装。

实施例3

开启水泵,往反应罐内加入9m3水,升温至80℃以上,开启搅拌,加入3吨低锶(锶含量小于50ppm)高纯氯化钡,待氯化钡溶化后,停止搅拌待用;开启碱液计量槽阀门,加入3300kg烧碱,然后开启料泵,将氯化钡清液打入反应罐内,开启搅拌,升温至85℃,关闭蒸汽阀门,停止搅拌;开启料泵,将物料打入结晶罐,启动结晶罐搅拌和开夹套冷却水进行降温结晶;将带有结晶体的料液放入离心机内,进行脱水,离心机转速2000rpm,脱水时间20min,用适量的水洗涤,约10分钟后,停机,制得一次粗结晶的Ba(OH)2·8H2O。

将15m3水加入到化料罐内,升温到85℃以上,开动搅拌,加入5吨一次粗结晶的Ba(OH)2·8H2O,在不断搅拌下,投入化料罐内,并升温至80℃以上,控制料液波美度在27Be′~30Be′之间,关闭加热阀门,并停止搅拌;将料液打入结晶罐内,同时开动搅拌,并启用冷却水循环水泵,控制降温速度,第一阶段以2℃/h的速率降温至75℃,时间为11h;第二阶段以3℃/h的速率降温至60℃,时间为5h;第三阶段最后以5℃/h的速率降温至≤20℃,时间为8h;结晶完毕,将结晶料液放入离心机内,启动离心机脱水,用适量的水洗涤,脱水、包装。

对实施例1-3制备的电子级高纯氢氧化钡进行检测,技术指标及检测结果如表1所示:

表1

采用本发明的方法制备的氢氧化钡的各项指标达到或者优于行业标准。

以上所述的实施例仅是对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明的范围进行限定,在不脱离本发明设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进,均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。

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