技术特征：
技术总结
本发明涉及一种碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，在所述基底的表面沉积一催化剂层；将所述基底设置于一反应炉内，加热使反应炉内温度达到一预定温度，向反应炉内通入一碳源气体及一保护气体，以在该基底上生长第一碳纳米管片段结构，所述第一碳纳米管片段结构包括多根金属性碳纳米管片段；对生长的第一碳纳米管片段结构施加一电场，该电场方向为给催化剂层充正电荷的方向；以及反转电场方向，从该金属性碳纳米管片段生长出半导体性碳纳米管片段。
技术研发人员：王江涛;柳鹏;姜开利;范守善
受保护的技术使用者：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
技术研发日：2017.05.17
技术公布日：2018.12.07