技术特征：
技术总结
一种制备富勒烯/半导体异质结的方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：以溅射或蒸发的方法在半导体表面制备一层非晶碳薄膜；将带有非晶碳薄膜的半导体放入电子显微镜的真空腔体内；用电子显微镜定位后，以定位位置为中心，在周围设置刻蚀保护区，然后开启电子显微镜的高能电子束，将刻蚀保护区外的区域刻蚀；刻蚀完毕后，将高能电子束定位至刻蚀保护区，开启高能电子束对刻蚀保护区进行辐照，形成富勒烯结构后停止辐照，完成制备过程。本发明所述方法利用电子显微镜在纳米尺度下定点、单个以及可控尺寸和结构制备富勒烯/半导体异质结，可以在小于10 nm定位精度的情况下制备尺寸小于10 nm的单层、双层和三层等不同层数的富勒烯结构。
技术研发人员：万能;邵志勇;赵小康
受保护的技术使用者：东南大学
技术研发日：2017.05.24
技术公布日：2017.09.05