技术特征：
技术总结
本发明涉及一种高致密度TiB2陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：步骤一，将TiB2原料粉烘干过筛，得到粒度分布均匀的、无结块的TiB2粉末；步骤二，将TiB2粉末均匀地填充到模具中，在真空条件下进行热压烧结，然后冷却、脱模，得到高致密度TiB2陶瓷靶材。该方法不添加任何烧结助剂，后续对粉末压缩使用热压工艺，简化了工艺流程，缩短了生产周期，且能批量化生产；制备的TiB2靶材纯度≥99.8％，平均晶粒尺寸最优达到≤2μm，致密度最高达99.6％；且靶材为单一TiB2相结构，无合金相或有害晶粒边界相形成，改善了溅射过程中的打弧放电现象，制备的膜层致密度高，表面缺陷少，溅射效果更优。
技术研发人员：张凤戈;张欠男;梁俊才;李建奎;魏铁峰
受保护的技术使用者：北京安泰六九新材料科技有限公司;安泰科技股份有限公司
技术研发日：2017.08.31
技术公布日：2018.03.02