技术特征：
技术总结
本发明公开了一种添加辅助气氛的氮化铝PVT生长方法。在氮化铝PVT生长过程中添加高纯氢气或高纯氨气，高纯氢气占充入气体总量的0.1%‑30%；高纯氨气占总占充入气体总量的0.1%‑20%。添加一定比例的高纯氢气或高纯氨气，作为氮化铝PVT生长的辅助气体，在1800℃以上高温生成AlH等气体分子将加速氮化铝PVT生长过程。通入辅助气体后，在工艺上将允许使用更低的生长温度进行氮化铝PVT生长。由于添加的高纯氢气或高纯氨气可适当调低生长温度30‑150℃，从而使得氮化铝更适合c面生长并得到低本征缺陷的晶体。本方法可有效提高氮化铝生长速度，降低氮化铝晶体生长温度，降低氮化铝晶体内的本征缺陷密度。
技术研发人员：史月增;金雷;程红娟;赖占平
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十六研究所
技术研发日：2017.10.30
技术公布日：2018.02.27