氟氯化石墨的低温制备方法
【专利说明】 氟氯化石墨的低温制备方法
[0001]
技术领域
[0002]本发明属于石墨技术领域，具体涉及一种氟氯化石墨的低温制备方法。
[0003]
【背景技术】
[0004]氟氯化石墨因其可用作隧道障碍或作为高质量的绝缘体或屏障材料，而引起了人们的广泛关注。现有的制备方法存在原料昂贵、氟化试剂不易得且毒性较大等问题。
[0005]
【发明内容】
[0006]为了克服现有技术领域存在的上述技术问题，本发明的目的在于，提供一种氟氯化石墨的低温制备方法，成本低，便于生产工艺调整。
[0007]本发明提供的氟氯化石墨的低温制备方法，包括以下步骤:(I)将石墨与五氯化锑反应制得五氯化锑石墨层间化合物，反应温度为300—400°C，反应时间为7h ; (2)将步骤
(I)制得的五氯化锑石墨层间化合物在350°C的温度条件下与氟氯混合气体反应8 — 9h，SP可制得氟氯化石墨。
[0008]所述制得的五氯化锑石墨层间化合物，其中五氯化锑的含量为25% ;所述氟氯混合气体，氟占混合气体总体积的15 — 20%。
[0009]本发明提供的氟氯化石墨的低温制备方法，其有益效果在于，成品产出率较高，且回收的五氯化锑可重新用于生产，生产成本低；低温制备，反应温度低，有效避免了潜在的爆炸危险。
[0010]
【具体实施方式】
[0011]下面结合一个实施例，对本发明提供的氟氯化石墨的低温制备方法进行详细的说明。
[0012]
实施例
[0013]本实施例的氟氯化石墨的低温制备方法，包括以下步骤:(I)将石墨与五氯化锑反应制得五氯化锑石墨层间化合物，反应温度为350°C，反应时间为7h ;(2)将步骤(I)制得的五氯化锑石墨层间化合物在350°C的温度条件下与氟氯混合气体反应8h，即可制得氟氯化石墨。所述制得的五氯化锑石墨层间化合物，其中五氯化锑的含量为25% ;所述氟氯混合气体，氟占混合气体总体积的15%。
【主权项】
1.一种氟氯化石墨的低温制备方法，其特征在于:包括以下步骤:(I)将石墨与五氯化锑反应制得五氯化锑石墨层间化合物，反应温度为300—400°C，反应时间为7h ; (2)将步骤(I)制得的五氯化锑石墨层间化合物在350°C的温度条件下与氟氯混合气体反应8 — 9h，即可制得氟氯化石墨。
2.根据权利要求1所述的氟氯化石墨的低温制备方法，其特征在于:所述制得的五氯化锑石墨层间化合物，其中五氯化锑的含量为25% ;所述氟氯混合气体，氟占混合气体总体积的 15— 20%。
【专利摘要】本发明公开了一种氟氯化石墨的低温制备方法，将石墨与五氯化锑反应制得五氯化锑石墨层间化合物，反应温度为300—400℃，反应时间为7h；将制得的五氯化锑石墨层间化合物在350℃的温度条件下与氟氯混合气体反应8—9h，即可制得氟氯化石墨。成品产出率较高，且回收的五氯化锑可重新用于生产，生产成本低。
【IPC分类】C01B31-00
【公开号】CN104591116
【申请号】CN201310524442
【发明人】乔帅
【申请人】青岛泰浩达碳材料有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2013年10月31日