[0029](2)装料将制得的预熔化料中加入高纯氧化铝原料至目标重量，一起放入生长炉内的坩祸中备用；
[0030](3)抽真空化料将生长炉内的坩祸抽真空，加热将原料熔化，保温，并调节原料液流从四周流向坩祸的中心；具体的调节过程为:从炉体上盖的观察孔观察液流的方向，通过控制炉壁进水口的冷却水进水流量以及监控出水口的出水温度，使从观察孔观察到的液流都流向中心。其中，真空度小于10_2Pa，加热温度为2050°C，保温时间为6h，冷却水进水温度稳定在25 ± I °C，出水温度控制在30 ± I °C ;
[0031](4)引晶缓慢降下籽晶，直到与溶液接触，开启籽晶旋转，采用提拉法的拉晶工艺进行引晶操作，使结晶中心与熔体中心重合，晶体开始均匀外扩生长；籽晶的下降速度为5mm/min ;籽晶的旋转速度为I转/min ；
[0032](5)放肩将引晶后的晶体进行放肩；籽晶旋转速度0.5转/分钟，提拉速度为0.lmm/h，电压下降速度为lmV/min ；
[0033](6)等径生长晶体放肩至预定重量之后，进行等径生长；籽晶旋转速度0.1转/分钟，提拉速度0.lmm/h,电压下降速度为5mV/min ；
[0034](7)降温待晶体生长至目标重量后，逐步调节电压至0V，通氩气冷却晶体。逐步调节电压的过程为首先设定电压下降速率为50mV/h ;运行24h后，再次调节电压下降的速度为200mV/h至电压降到0V。待电压下降至0V48h后，通氩气冷却晶体。
[0035]本实施例中，预定重量与目标重量的重量比为1:5。
[0036]实施例2
[0037]一种蓝宝石单晶的生长方法，通过如下生长蓝宝石的装置实现:
[0038]该装置包括炉体，炉体从外至内依次设有炉壁、钨钼保温层、氧化锆保温层和坩祸；炉体上部设有上盖，上盖上设有观察孔；炉壁上设有进水口和出水口 ；
[0039]生长蓝宝石单晶的具体步骤为:
[0040](I)预熔化将目标重量的高纯氧化铝原料置于冷坩祸中，采用石墨电极棒打火引熔，然后取出石墨电极棒，开启自动行进电机，使冷坩祸中的高纯氧化铝原料顺序通过感应线圈，依次实现熔化和凝固的过程，待所有高纯氧化铝原料都熔化凝固以后取出，得到预熔化料，备用；预熔化电压为10kv，冷坩祸通过感应线圈的移动速度恒定在20mm/h，熔体温度为 2300 0C ；
[0041](2)装料将制得的预熔化料中加入高纯氧化铝原料至目标重量，一起放入生长炉内的坩祸中备用；
[0042](3)抽真空化料将生长炉内的坩祸抽真空，加热将原料熔化，保温，并调节原料液流从四周流向坩祸的中心；具体的调节过程为:从炉体上盖的观察孔观察液流的方向，通过控制炉壁进水口的冷却水进水流量以及监控出水口的出水温度，使从观察孔观察到的液流都流向中心。其中，真空度小于10_2Pa，加热温度为2100°C，保温时间为4h，冷却水进水温度稳定在25 ± I °C，出水温度控制在35 ± I °C ;
[0043](4)引晶缓慢降下籽晶，直到与溶液接触，开启籽晶旋转，采用提拉法的拉晶工艺进行引晶操作，使结晶中心与熔体中心重合，晶体开始均匀外扩生长；籽晶的下降速度为4mm/min ;籽晶的旋转速度为I转/min ；
[0044](5)放肩将引晶后的晶体进行放肩；籽晶旋转速度1.2转/分钟，提拉速度为2mm/h，电压下降速度为8mV/min ；
[0045](6)等径生长晶体放肩至预定重量之后，进行等径生长；籽晶旋转速度0.2转/分钟，提拉速度2mm/h，电压下降速度为lmV/min ；
[0046](7)降温待晶体生长至目标重量后，逐步调节电压至0V，通氩气冷却晶体。逐步调节电压的过程为首先设定电压下降速率为80mV/h ;运行24h后，再次调节电压下降的速度为300mV/h至电压降到0V。待电压下降至0V48h后，通氩气冷却晶体。
[0047]本实施例中，预定重量与目标重量的重量比为1:6。
[0048]实施例3
[0049]一种蓝宝石单晶的生长方法，通过如下生长蓝宝石的装置实现:
[0050]该装置包括炉体，炉体从外至内依次设有炉壁、钨钼保温层、氧化锆保温层和坩祸；炉体上部设有上盖，上盖上设有观察孔；炉壁上设有进水口和出水口 ；
[0051]生长蓝宝石单晶的具体步骤为:
[0052](I)预熔化将目标重量的高纯氧化铝原料置于冷坩祸中，采用石墨电极棒打火引熔，然后取出石墨电极棒，开启自动行进电机，使冷坩祸中的高纯氧化铝原料顺序通过感应线圈，依次实现熔化和凝固的过程，待所有高纯氧化铝原料都熔化凝固以后取出，得到预熔化料，备用；预熔化电压为10kv，冷坩祸通过感应线圈的移动速度恒定在20mm/h，熔体温度为 2150。。；
[0053](2)装料将制得的预熔化料中加入高纯氧化铝原料至目标重量，一起放入生长炉内的坩祸中备用；
[0054](3)抽真空化料将生长炉内的坩祸抽真空，加热将原料熔化，保温，并调节原料液流从四周流向坩祸的中心；具体的调节过程为:从炉体上盖的观察孔观察液流的方向，通过控制炉壁进水口的冷却水进水流量以及监控出水口的出水温度，使从观察孔观察到的液流都流向中心。其中，真空度小于10_2Pa，加热温度为2060°C，保温时间为5h，冷却水进水温度稳定在25 ± I °C，出水温度控制在32 ± I °C ;
[0055](4)引晶缓慢降下籽晶，直到与溶液接触，开启籽晶旋转，采用提拉法的拉晶工艺进行引晶操作，使结晶中心与熔体中心重合，晶体开始均匀外扩生长；籽晶的下降速度为3mm/min ;籽晶的旋转速度为I转/min ；
[0056](5)放肩将引晶后的晶体进行放肩；籽晶旋转速度2转/分钟，提拉速度为lmm/h，电压下降速度为15mV/min ；
[0057](6)等径生长晶体放肩至预定重量之后，进行等径生长；籽晶旋转速度0.4转/分钟，提拉速度lmm/h，电压下降速度为2mV/min ；
[0058](7)降温待晶体生长至目标重量后，逐步调节电压至0V，通氩气冷却晶体。逐步调节电压的过程为首先设定电压下降速率为60mV/h ;运行24h后，再次调节电压下降的速度为250mV/h至电压降到0V。待电压下降至0V48h后，通氩气冷却晶体。
[0059]本实施例中，预定重量与目标重量的重量比为1:7。
[0060]实施例4
[0061]一种蓝宝石单晶的生长方法，通过如下生长蓝宝石的装置实现:
[0062]该装置包括炉体，炉体从外至内依次设有炉壁、钨钼保温层、氧化锆保温层和坩祸；炉体上部设有上盖，上盖上设有观察孔；炉壁上设有进水口和出水口 ；
[0063]生长蓝宝石单晶的具体步骤为:
[0064](I)预熔化将目标重量的高纯氧化铝原料置于冷坩祸中，采用石墨电极棒打火引熔，然后取出石墨电极棒，开启自动行进电机，使冷坩祸中的高纯氧化铝原料顺序通过感应线圈，依次实现熔化和凝固的过程，待所有高纯氧化铝原料都熔化凝固以后取出，得到预熔化料，备用；预熔化电压为10kv，冷坩祸通过感应线圈的移动速度恒定在20mm/h，熔体温度为 2250 0C ；
[0065](2)装料将制得的预熔化料中加入高纯氧化铝原料至目标重量，一起放入生长炉内的坩祸中备用；
[0066](3)抽真空化料将生长炉内的坩祸抽真空，加热将原料熔化，保温