举出实施例和比较例，更具体地说明本发明，但本发明不限于此。予以说明， 粉末的平均粒径是通过激光衍射法求出的重量平均值。另外，在HIP装置中，利用铂铑热电 偶来测定HIP炉内的碳制加热器部分的温度，将该测定温度视为金属氧化物烧结体的温度 来进行升温、降温控制。
[0087][实施例1]
[0088]对使用Y203粉末作为原料粉末的例子进行说明。
[0089]在此，使用信越化学工业（株）制的纯度99. 9质量％以上的Y203粉末，向其中添 加0.5质量％的第一稀元素化学工业（株）制Zr〇2粉末。进而，在添加有机分散剂和有机 粘合剂后，在乙醇中利用氧化锆制的球磨机进行分散/混合处理。处理时间为24h。之后， 进行喷雾干燥处理，制作平均粒径为20ym的颗粒原料（起始原料）。
[0090] 接着，将得到的起始原料填充于直径10mm的模具，通过单轴压制成形机预成形为 长度20mm的棒状后，在198MPa的压力下进行静压压制从而得到CIP成形体。接着，将得到 的CIP成形体放入马弗炉，在大气中于800°C下热处理3小时进行脱脂。
[0091] 接着，将得到的经脱脂的成形体放入真空加热炉，以100°C/h的升温速率升温至 1500°C~1700°C，保持3小时后以600°C/h的降温速率冷却，得到烧结体。此时，以样品的 烧结相对密度成为96%的方式调整烧结温度和保持时间。
[0092] 接着，对于上述烧结体，进而使用Ar气体作为加压介质，在HIP热处理温度T 1500°C~1800°C、压力190MPa下进行保持时间3小时的HIP处理。在本实施例中，如表1 中示出的那样，使升温速率的设定变化为9种来进行处理。关于降温速率，固定为400°C/ h。予以说明，在根据图1的温度分布P99的条件下还制作了比较例样品。
[0093] 将这样得到的各HIP处理样品以成为长度14mm的方式进行研削和抛光处理，接 着，对各自的样品的光学两端面以光学面精度A/8(测定波长X= 633nm的情况下）进行 最终光学抛光，进而涂覆以中心波长成为l〇64nm的方式设计的防反射膜，测定波长1064nm 下的各自的透射率，换算并求出每烧结体单位长度的可视区域透射损失。另外，对各自的光 学面内部的气泡状态进行电子显微镜（SEM)观察。
[0094] 另外，对于实施例1-1、1_5、1-7、1-9和比较例1，对光学面进行利用盐酸的恒温镜 面蚀刻处理至清楚地看到烧结粒界的状态，进行SEM观察并测定烧结粒径，求出其400个量 的平均值作为平均烧结粒径。
[0095] 将其结果示于表1。
[0096] [表 1]
[0097] 烧结体种类：Y203、HIP热处理温度T= 1500~1800°C
[0098]
[0099] *1:波长 1064nm下的透射率、*2:RT=室温（25°C)
[0100][实施例2]
[0101] 对使用Lu203粉末作为原料粉末的例子进行说明。
[0102] 在此，使用信越化学工业（株）制的纯度99.9质量％以上的Lu203粉末，除此之外 与实施例1同样地操作得到经脱脂的CIP成形体。
[0103] 接着，将得到的经脱脂的成形体放入真空加热炉，以100°C/h的升温速率升温至 1600°C~1800°C，保持3小时后以600°C/h的降温速率冷却，得到烧结体。此时，以样品的 烧结相对密度成为96%的方式调整烧结温度和保持时间。
[0104] 接着，对于上述烧结体，进而使用Ar气体作为加压介质，在HIP热处理温度T 1600°C~1850°C、压力190MPa下进行保持时间3小时的HIP处理。在本实施例中，如表2 中示出的那样，使升温速率的设定变化成9种进行处理。关于降温速率，固定于400°C/h。 予以说明，在根据图1的温度分布P99的条件下，还制作了比较例样品。
[0105] 将这样得到的各HIP处理样品以成为长度14mm的方式进行研削和抛光处理，接 着，将各自的样品的光学两端面以光学面精度X/8(测定波长A= 633nm的情况下）进行 最终光学抛光，进而涂覆以中心波长为l〇64nm的方式设计的防反射膜，测定在波长1064nm 下的各自的透射率，换算并求出每烧结体单位长度的可视区域透射损失。另外，对各自的光 学面内部的气泡状态进行电子显微镜（SEM)观察。
[0106] 另外，对于实施例2-1、2-5、2-7、2_9和比较例2,对光学面进行利用盐酸的恒温镜 面蚀刻处理清楚地看到烧结粒界的状态，进行SEM观察并测定烧结粒径，求出其400个量的 平均值作为平均烧结粒径。
[0107] 将其结果示于表2。
[0108][表 2]
[0109] 烧结体种类：Lu203、HIP热处理温度T= 1600~1850°C
[0110]
[0111] *1 :波长 1064nm下的透射率、*2:RT=室温（25°C)
[0112] [实施例3]
[0113] 对使用Se203粉末作为原料粉末的例子进行说明。
[0114] 在此，使用信越化学工业（株）制的纯度99.9质量％以上的SC203粉末，除此之外 与实施例1同样地操作得到经脱脂的CIP成形体。
[0115] 接着，将得到的经脱脂的成形体放入真空加热炉，以100°C/h的升温速率升温至 1600°C~1800°C，保持3小时后以600°C/h的降温速率冷却，得到烧结体。此时，以样品的 烧结相对密度成为96%的方式调整烧结温度和保持时间。
[0116] 接着，对于上述烧结体，进而使用Ar气体作为加压介质，在HIP热处理温度T 1600°C~1850°C、压力190MPa下进行保持时间3小时的HIP处理。在本实施例中，如表3 中示出的那样，使升温速率的设定变化成9种进行处理。关于降温速率，固定于400°C/h。 予以说明，在根据图1的温度分布P99的条件下，还制作了比较例样品。
[0117] 将这样得到的各HIP处理样品以成为长度14mm的方式进行研削和抛光处理，接 着，将各自的样品的光学两端面以光学面精度X/8(测定波长A= 633nm的情况下）进行 最终光学抛光，进而涂覆以中心波长为l〇64nm的方式设计的防反射膜，测定在波长1064nm 下的各自的透射率，换算并求出每烧结体单位长度的可视区域透射损失。另外，对各自的光 学面内部的气泡状态进行电子显微镜（SEM)观察。
[0118] 另外，对于实施例3-1、3-5、3-7、3-9和比较例3,对光学面进行利用盐酸的恒温镜 面蚀刻处理清楚地看到烧结粒界的状态，进行SEM观察并测定烧结粒径，求出其400个量的 平均值作为平均烧结粒径。
[0119] 将其结果示于表3。
[0120] [表 3]
[0121] 烧结体种类：Sc203、HIP热处理温度T= 1600~1850°C
[0122]
[0123] *1 :波长 1064nm下的透射率、*2:RT=室温（25°C)
[0124] 根据上述表1~表3的结果，不管起始原料的种类如何，Y203粉末、Lu203粉末、Sc203 粉末的全部粉末中，如实施例1-1~1-4、2-1~2-4、3-1~3-4那样将至少温度范围S中 的最终阶段（14)的升温速率设为60°C/h时，与比较例1~3那样的以往的升温速率的情 况（不减缓升温速率的情况下（400°C/h))相比，每单位长度的透射损失降低（改善）至 约2/5。另外，如实施例1-5、1-6、2-5、2-6、3-5、3-6那样将至少温度范围3中的最终阶段 (14)的升温速率减小至30°C/h时，与比较例1~3那样的以往的升温速率的情况（不减 缓升温速率的情况下（400°C/h))相比，每单位长度的透射损失大幅度地降低（改善）至 约1/5。另外，也确认了：如实施例1-7、1-8、2-7、2-8、3-7、3-8那样即使只将至少温度范围 S中的最终阶段（14)的升温速率减小至150°C/h，与比较例1~3那样的以往的升温速率 的情况（不减缓升温速率的情况下（400°C/h))相比，每单位长度的透射损失可以降低（改 善）至约一半。
[0125] 另外，如实施例1-1~1-8、2_1~2-8、3_1~3-8各自的每单位长度的透射损失 改善的金属氧化物烧结体的光学面内部的残留气泡量显著地减少。
[0126] 从以上的结果可知，将HIP处理工序中的至少温度范围S中的最终阶段的升温速 率设为150°C/h以下时，与以以往的升温速率进行HIP处理的情况相比，得到了在金属氧 化物烧结体中残留的气泡量显著地减少、透射损失非常小且真正透明的透光性氧化物烧结 体。予以说明，从实施例1-9、2-9、3-9的结果还确认了：每单位长度的透射损失的改善效果 开始显现的升温速率的上限为180°C/h。
[0127] 另外可知，在以往的升温速率（400°C/h)的情况下，促进HIP处理工序下的粒成 长；在将至少温度范围S中的最终阶段的升温速率设为150°C/h以下的HIP处理工序中， 粒成长受到抑制。其中，根据实施例1-9、2-9、3-9的结