处理6小时后得到质量分数为50%的SAP0-34分子筛晶种液；然后分别以拟薄水 铝石、正磷酸、硅溶胶为原料，以三乙胺（TEA)为模板剂，按照原料摩尔配比组成以A1203、 Si02、P205、H20、R计为A1203:0. 4Si02:P205:50H20:3TEA加料，在 200L高压反应釜中制备 SAP0-34分子筛晶化前胶体溶液，然后加入上述质量分数为50%的SAP0-34分子筛晶种液， 在200°C下晶化处理40小时，得到SAP0-34分子筛产品；待高压反应釜降温后，经分离、洗 涤、干燥后在550°C下焙烧5小时。产品收率为61 %，并规定该SAP0-34分子筛的结晶度为 100%。所得样品的X射线衍射谱图（XRD)见图1。
[0034] 比较例2
[0035] 将SAP0-5分子筛原粉经3小时球磨处理后，加入到0. 5%的磷酸溶液中，于90°C 下活化处理6小时后得到质量分数为50 %的SAP0-5分子筛晶种液；然后分别以拟薄水 铝石、正磷酸、硅溶胶为原料，以三乙胺（TEA)为模板剂，按照原料摩尔配比组成以A1203、 Si02、P205、H20、R计为A1203:0. 4Si02:P205:50H20:lTEA加料，在 200L高压反应釜中制备 SAPO-5分子筛晶化前胶体溶液，然后加入上述质量分数为50%的SAPO-5分子筛晶种液，在 200°C下晶化处理40小时，得到SAPO-5分子筛产品；待高压反应釜降温后，经分离、洗涤、干 燥后在550°C下焙烧5小时。产品收率为55%，并规定该SAPO-5分子筛的结晶度为100%。 所得样品的X射线衍射谱图（XRD)见图2。
[0036] 比较例3
[0037] 将SAP0-11分子筛原粉经3小时球磨处理后，加入到0.5%的磷酸溶液中，于90°C 下活化处理6小时后得到质量分数为50%的SAP0-11分子筛晶种液；然后分别以拟薄水 铝石、正磷酸、硅溶胶为原料，以二正丙胺（DPA)为模板剂，按照原料摩尔配比组成以A1203、 Si02、P205、H20、R计为A1203:0. 4Si02:P205:50H20:l. 2DPA加料，在 200L高压反应釜中制备 SAP0-11分子筛晶化前胶体溶液，然后加入上述质量分数为50 %的SAP0-11分子筛晶种液， 在200°C下晶化处理40小时，得到SAP0-11分子筛产品；待高压反应釜降温后，经分离、洗 涤、干燥后在550°C下焙烧5小时。产品收率为58%，并规定该SAP0-11分子筛的结晶度为 100%。所得样品的X射线衍射谱图（XRD)见图3。
[0038] 比较例4
[0039] 将SAP0-18分子筛原粉经3小时球磨处理后，加入到0. 5%的磷酸溶液中，于90°C 下活化处理6小时后得到质量分数为50%的SAP0-18分子筛晶种液；然后分别以拟薄水铝 石、正磷酸、硅溶胶为原料，以N，N-二异丙基乙胺（DIPEA)为模板剂，按照原料摩尔配比组 成以A1203、Si02、P205、H20、R计为A1203: 0? 4Si02:P205:50H20: 3DIPEA加料，在 200L高压反应 釜中制备SAP0-18分子筛晶化前胶体溶液，然后加入上述质量分数为50%的SAP0-18分子 筛晶种液，在200°C下晶化处理40小时，得到SAP0-18分子筛产品；待高压反应釜降温后， 经分离、洗涤、干燥后在550°C下焙烧5小时。产品收率为57%，并规定该SAP0-18分子筛 的结晶度为100%。所得样品的X射线衍射谱图（XRD)见图4。
[0040] 实施例1
[0041] 将SAP0-34分子筛原粉经3小时球磨处理后，加入到0. 5%的磷酸溶液中，于90°C 下活化处理6小时后得到质量分数为50%的SAP0-34分子筛晶种液；分别以拟薄水铝石、 正磷酸、硅溶胶为原料，以三乙胺（TEA)为模板剂，按照原料摩尔配比组成以A1203、Si02、 P205、H20、R计为A1203: 0? 4Si02:P205:50H20: 3TEA加料，在 200L高压反应釜中制备SAP0-34 分 子筛晶化前胶体溶液，然后加入上述质量分数为50%的SAP0-34分子筛晶种母液，在200°C 下先晶化处理10小时，在此时进行泄压操作，泄压范围为5%，然后关闭并密封高压釜，进 一步在200°C下晶化处理30小时，得到SAP0-34分子筛产品；待高压反应釜降温后，经分 离、洗涤、干燥后在550°C下焙烧5小时。最后得到的SAP0-34分子筛产品收率为88%，结 晶度为133%。所得样品的X射线衍射谱图（XRD)见图1。
[0042] 实施例2
[0043] 按照实施例1的各个步骤及条件，但是配料时原料摩尔配比以A1203、Si02、P205、 明、1?计改为4120 3:0.43102:?205:501120 :3.51￡4，将泄压操作过程中的泄压范围改为10%， 最后得到的SAP0-34分子筛产品收率为91%，结晶度为138%。所得样品的X射线衍射谱 图（XRD)见图1。
[0044] 实施例3
[0045] 按照实施例1的各个步骤及条件，但是配料时原料摩尔配比以A1203、Si02、P205、 H20、R计改为六1203:0.43102:? 205:501120:3.81￡4，将泄压操作过程中的泄压范围改为20%， 最后得到的SAP0-34分子筛产品收率为93 %，结晶度为143%。所得样品的X射线衍射谱 图（XRD)见图1。
[0046] 实施例4
[0047] 按照实施例1的各个步骤及条件，但是配料时原料摩尔配比以A1203、Si02、P205、 H20、R计，改为A1203: 0? 4Si02:P205:50H20:4. 3TEA，将泄压操作过程中的泄压范围改为30 %， 最后得到的SAP0-34分子筛产品收率为94%，结晶度为142%。所得样品的X射线衍射谱 图（XRD)见图1。
[0048] 实施例5
[0049] 将SAP0-5分子筛原粉经3小时球磨处理后，加入到0. 5%的磷酸溶液中，于90°C 下活化处理6小时后得到质量分数为50%的SAP0-5分子筛晶种液；分别以拟薄水铝石、正 磷酸、硅溶胶为原料，以三乙胺（TEA)为模板剂，按照原料摩尔配比组成以Al203、Si02、P205、 H20、R计为A1203:0. 4Si02:P205:50H20:1. 2TEA加料，在 200L高压反应釜中制备SAP0-34 分 子筛晶化前胶体溶液，然后加入上述质量分数为50%的SAP0-5分子筛晶种母液，在200°C 下先晶化处理10小时，在此时进行泄压操作，泄压范围为5%，然后关闭并密封高压釜，进 一步在200°C下晶化处理30小时，得到SAP0-5分子筛产品；待高压反应釜降温后，经分离、 洗涤、干燥后在550°C下焙烧5小时。最后得到的SAP0-5分子筛产品收率为84%，结晶度 为135%。所得样品的X射线衍射谱图（XRD)见图2。
[0050] 实施例6
[0051] 按照实施例5的各个步骤及条件，但是配料时原料摩尔配比以A1203、Si02、P205、 H20、R计改为A1203:0. 4Si02:P205:50H20:1. 5TEA，并将泄压操作过程中的泄压范围改为 10%，最后得到的SAP0-5分子筛产品收率为89%，结晶度为141%。所得样品的X射线衍 射谱图（XRD)见图2。
[0052] 实施例7
[0053] 按照实施例5的各个步骤及条件，但是配料时原料摩尔配比以A1203、Si02、P205、 H20、R计改为A1203:0. 4Si02:P205:50H20:1. 8TEA，并将泄压操作过程中的泄压范围改为 20%，最后得到的SAP0-5分子筛产品收率为92%，结晶度为145%。所得样品的X射线衍 射谱图（XRD)见图2。
[0054] 实施例8
[0055] 按照实施例5的各个步骤及条件，但是配料时原料摩尔配比以A1203、Si02、P205、 H20、R计改为A1203:0? 4Si02:P205:50H20:2. 1TEA，并将泄压操作过程中的泄压范围改为 30%，最后得到的SAP0-5分子筛产品收率为95%，结晶度为144%。所得样品的X射线衍 射谱图（XRD)见图2。
[0056] 实施例9
[0057] 将SAP0-11分子筛原粉经3小时球磨处理后，加入到0. 5%的磷酸溶液中，于90°C 下活化处理6小时后得到质量分数为50%的SAP0-11分子筛晶种液；分别以拟薄水铝石、 正磷酸、硅溶胶为原料，以二正丙胺（DPA)为模板剂，按照原料摩尔配比组成以Al203、Si02、P205、H20、R计为A1203:0. 4Si02:P205:50H20:l. 4DPA加料，在 200L高压反应釜中制备SAP0