r>[0058] 装置：NPS公司制造的电阻率测定器Σ -5+
[0059] 方法：直流四探针法
[0060] 需要说明的是，对于膜，测定表面电阻率，并由下式计算体积电阻率。
[0061 ] 体积电阻率（Ω cm)=表面电阻率（Ω /sq) X膜厚（cm)
[0062] (关于折射率、消光系数）
[0063] 装置：SHIMADZU公司制造的分光光度计UV-2450
[0064] 方法：由透射率、表面和背面反射率计算。
[0065] (关于成膜方法、条件）
[0066] 装置：ANELVA SPL-500
[0067] 基板：Φ 4英寸
[0068] 基板温度：室温
[0069] (关于结晶性评价）
[0070] 对于在玻璃基板上成膜500~lOOOnm的样品，通过X射线衍射法（装置：理学 公司制造的UltimaIV、Cu_Ka射线、管电压：40kV、电流 ：30ι?Α、2Θ-Θ反射法、扫描速度： 8. 0° /分钟、采样间隔：0.02° )进行分析。对于在2 Θ =10°~60°检测出的最大峰 强度IMAX，用与背景强度IB(；之比I mx/IB(；的值进行结晶性评价。需要说明的是，对于背景强 度，使用观察不到I MAX的低角度侧以及高角度侧的峰的区域的平均强度（作为范围，2 Θ = Γ~10° )。例如，以IBS= {(10°~20°的平均强度）+ (50°~60°的平均强度）}/2 来求出。作为非晶膜的判定，在IMAX/IB(；< 10的情况下判定为非晶膜。
[0071] (关于蚀刻性）
[0072] 对于成膜样品，将能够利用蚀刻液（各种酸）蚀刻的情况判定为〇，将不能蚀刻或 过度溶解的情况判定为X。
[0073] (关于耐高温高湿性）
[0074] 在温度80°C、湿度80%的条件下保存48小时后，实施光学常数和电阻测定，将特 性差小于10%的情况判定为〇，将特性差为10%以上的情况判定为X。
[0075] 实施例
[0076] 以下基于实施例和比较例进行说明。需要说明的是，本实施例只不过是一例，本发 明不受该例任何限制。即，本发明仅受权利要求书限制，包含本发明所包含的实施例以外的 各种变形。
[0077] (实施例1)
[0078] 准备Ιη203粉、TiO 2粉、ZnO粉、SnO 2粉，将这些粉末以表1中记载的配合比进行调 配，并将其混合。接着，将该混合粉末在大气中、温度1050°C下煅烧，然后通过湿式微粉碎 (使用Zr02微珠）粉碎至平均粒径2 μ m以下，干燥后用孔径150 μ m的筛进行筛分。然后， 将该微粉碎粉在氩气气氛下、温度ll〇〇°C、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该 烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。需要说明的是，对溅射靶的成分组成进行分析的 结果是，确认了与原料粉末的配合比相同。
[0079] 接着，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶进行溅射。溅射条件设定为：DC溅 射、溅射功率500W、含有2体积％氧气的氩气气压0. 5Pa，成膜为膜厚5000A。需要说明的 是，不进行溅射时的基板加热、溅射后的退火。
[0080] 将以上结果示于表1。如表1所示，溅射靶的相对密度达到97. 5%，体积电阻率 为6. 3m Ω cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2. 11 (波长 550nm)、消光系数为0. 03 (波长405nm)，体积电阻率为4. 9 X 10 1 Ω cm，得到了高折射率且高 透射率的导电性膜。另外，结晶化评价结果如图1所示，Imx/I B(；= 4,确认为非晶膜。
[0081]
[0082] (实施例2)
[0083] 准备Ιη203粉、TiO 2粉、ZnO粉、SnO 2粉，将这些粉末以表1中记载的配合比进行调 配，并将其混合。接着，将该混合粉末在大气中、温度1050°C下煅烧，然后通过湿式微粉碎 (使用Zr02微珠）粉碎至平均粒径2 μ m以下，干燥后用孔径150 μ m的筛进行筛分。然后， 将该微粉碎粉在氩气气氛下、温度1150°C、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该 烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接着，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在 与实施例1同样的条件下进行溅射。
[0084] 将以上结果示于表1。如表1所示，溅射靶的相对密度达到97. 7%，体积电阻率 为4. 4m Ω cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2. 11 (波长 550nm)、消光系数为0. 02 (波长405nm)，体积电阻率为9. 8 Ω cm，得到了高折射率且高透射 率的导电性膜。另外，结晶化评价结果如图1所示，ImaX/I B(；= 4,确认为非晶膜。
[0085] (实施例3)
[0086] 准备Ιη203粉、TiO 2粉、ZnO粉、SnO 2粉，将这些粉末以表1中记载的配合比进行调 配，并将其混合。接着，将该混合粉末在大气中、温度1050°C下煅烧，然后通过湿式微粉碎 (使用Zr0 2微珠）粉碎至平均粒径2 μ m以下，干燥后用孔径150 μ m的筛进行筛分。然后， 将该微粉碎粉在氩气气氛下、温度1150°C、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该 烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接着，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在 与实施例1同样的条件下进行溅射。
[0087] 将以上结果示于表1。如表1所示，溅射靶的相对密度达到99. 5%，体积电阻率 为3. 7m Ω cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2. 10 (波长 550nm)、消光系数为0. 02 (波长405nm)，体积电阻率为3. 8 X ΙΟ2 Ω cm，得到了高折射率且高 透射率的导电性膜。另外，结晶化评价的结果是，Imx/I B(；= 4,确认为非晶膜。
[0088] (实施例4)
[0089] 准备Ιη203粉、TiO 2粉、ZnO粉、SnO 2粉，将这些粉末以表1中记载的配合比进行调 配，并将其混合。接着，将该混合粉末在大气中、温度1050°C下煅烧，然后通过湿式微粉碎 (使用Zr0 2微珠）粉碎至平均粒径2 μ m以下，干燥后用孔径150 μ m的筛进行筛分。然后， 将该微粉碎粉在氩气气氛下、温度1150°C、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该 烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接着，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在 与实施例1同样的条件下进行溅射。
[0090] 将以上结果示于表1。如表1所示，溅射靶的相对密度达到100. 9%，体积电阻率 为1. 5m Ω cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2. 11 (波长 550nm)、消光系数为0. 02 (波长405nm)，体积电阻率为1. 6 X ΙΟ3 Ω cm，得到了高折射率且高 透射率的导电性膜。另外，结晶化评价的结果是，Imx/I B(；= 4,确认为非晶膜。
[0091] (实施例5)
[0092] 准备Ιη203粉、TiO 2粉、ZnO粉、SnO 2粉，将这些粉末以表1中记载的配合比进行调 配，并将其混合。接着，将该混合粉末在大气中、温度1050°C下煅烧，然后通过湿式微粉碎 (使用Zr0 2微珠）粉碎至平均粒径2 μ m以下，干燥后用孔径150 μ m的筛进行筛分。然后， 将该微粉碎粉在氩气气氛下、温度1150°C、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，