用于光电子器件的2,5-连接的聚芴的制作方法

文档序号:3555235阅读:150来源:国知局
专利名称:用于光电子器件的2,5-连接的聚芴的制作方法
用于光电子器件的2,5-连接的聚芴关于联邦资助的研究和开发的声明本发明根据美国能源部授予的合同号DE-FC26-05NT42343在政府支持下完成。政府可拥有本发明的某些权利。背景本发明主要涉及2,5_ 二取代的芴单体、由其衍生的低聚物和聚合物以及含所述低聚物和聚合物的光电子器件。聚芴均聚物和共聚物作为用于聚合物有机发光器件中的活性层的优选的物质出现。术语“聚芴” 一般指通过在分子的2位和7位连接芴单体单元生成的聚合物。此连接方式通过芳基提供线性共轭,产生具有可得到带隙、优良电荷输送性质和极佳成膜性质的聚合物。另外,由于这些位置朝向亲电子试剂最具反应性,在2和7位芴的官能化很容易完成。2,7-二官能芴与适合二官能亚芳基单体共聚提供具有可调谐带隙的共聚物,所述带隙取决于所用的共聚单体结构。从芳基偶联反应衍生的2,7-连接芴链段的连续积累产生具有单线态(Si)能量和三线态(Tl)能量的共轭亚芳基链,所述能量随低聚物长度最高达约7个芴单元改变(表 1)。2,5-和2,7-笏物质的三线态能量数据部分根据“Comparison of the chain length dependence of the singlet-and triplet-excited states of oligofluorenes,,(低聚芴的单线激发态和三线激发态的链长依赖性比较),Chemical Physics Letters, Vol. 411, pg. 273,2005年7月1号。可以看到,对于芴基物质,单线态和三线态的相对能量相关,因此,显示较高单线态能量的物质也显示较高三线态能量。表1. 2,7-连接芴作为芴链段数函数的单线态(Si)能量和三线态(Tl)能量
权利要求
1.种式I的化合物
其中R1和R2在每次出现时独立为H、C1^20烃基、含一个或多个S、N、0、P或Si原子的 C1^20烃基、C4_16烃基羰基氧基、C4_16芳基(三烷基甲硅烷氧基),或者R1和R2与其间的碳原子结合在一起形成c5_2(l烃基环或含至少一个S、N或0杂原子的C4_2(l烃基环;R3和R4在每次出现时独立为C1,烃基、CV2tl烃基氧基、CV2tl硫醚、C1J烃基羰基氧基或氰基;X在每次出现时独立为卤素、三氟甲磺酸酯基、-B(OH)2, -B(OR)2, -BO2R或其组合; R为烷基或亚烷基;并且 a和b独立为0或1。
2.权利要求1的化合物,其中X为卤素。
3.权利要求1的化合物,其中X为溴。
4.权利要求1的化合物,其中X为-B(OH)2, -B (OR) 2或_B02R。
5.权利要求1的化合物,其中R3和R4为H。
6.权利要求1的化合物,其中R1和R2为烷基、经取代烷基、芳基、经取代芳基、杂芳基或经取代杂芳基。
7.权利要求1的化合物,其中R1和R2为烷氧基苯基。
8.权利要求1的化合物,其中R1和R2为烷基。
9.权利要求1的化合物,所述化合物具有下式
10.权利要求1的化合物,所述化合物具有下式
11.权利要求1的化合物,所述化合物具有下式
12.权利要求1的化合物,所述化合物具有下式
13.权利要求1的化合物,所述化合物具有下式
14. 一种式II的化合物
其中R1和R2在每次出现时独立为H、C1^20烃基、含一个或多个S、N、0、P或Si原子的 C1^20烃基、C4_16烃基羰基氧基、C4_16芳基(三烷基甲硅烷氧基),或者R1和R2与其间的碳原子结合在一起形成c5_2(l烃基环或含至少一个S、N或0杂原子的C4_2(l烃基环;R3和R4在每次出现时独立为Η、(^2(1烃基、CV2tl烃基氧基、CV2tl硫醚、C1J烃基羰基氧基或氰基;X和Y之一为卤素或三氟甲磺酸酯基,X和Y的另一个为-B (OH) 2、-B(OR)2或-B&R ; R为烷基或亚烷基;并且 a和b独立为0或1。
15.权利要求14的化合物,其中X为卤素,Y为-B(OH)2, -B (OR) 2或_B02R。
16.权利要求14的化合物,其中X为-B(OH)2, -B (OR) 2或-B&R,Y为卤素。
17.权利要求14的化合物,其中X和Y之一为溴,X和Y的另一个为-B02R。
18.权利要求14的化合物,其中R3和R4为H。
19.权利要求14的化合物,其中R1和R2为烷基、经取代烷基、芳基、经取代芳基、杂芳基或经取代杂芳基。
20.权利要求14的化合物,其中R1和R2为烷氧基苯基。
21.权利要求14的化合物,其中R1和R2为烷基。
22.权利要求14的化合物,所述化合物具有下式
23.权利要求14的化合物,所述化合物具有下式
全文摘要
具有相当量(10-100%)的芴的聚芴聚合物和共聚物在其中需要三线态能量>2.10eV的OLED器件中可用作活性层,所述相当量(10-100%)的芴连接在芴的2位和5位。
文档编号C07F5/02GK102186800SQ200980141362
公开日2011年9月14日 申请日期2009年7月23日 优先权日2008年10月14日
发明者J·A·塞拉, J·J·香, E·W·尚克林, P·M·小斯米格尔斯基 申请人:通用电气公司
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