专利名称：噻吩衍生物及其制造方法、噻吩衍生物的聚合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及能够用作导电性材料的具有噻吩骨架的新化合物及其制造方法、由该具有噻吩骨架的新化合物而得的新聚合物。
背景技术：
将吡咯、噻吩、苯胺等具有含杂原子的五元环结构的化合物或具有芳环结构的化合物聚合而得的聚合物由于适合作为导电性材料，因此近年来研究正方兴未艾。这些聚合物通过改变作为离子性物质的掺杂剂的掺杂量可以自由地控制导电率，因此正在探讨将其用于各种电极、各种传感器、一次电池、二次电池、固体电解电容、防静电剂等用途。其中，已知聚(3，4_亚烷基二氧噻吩)衍生物具有高导电性，报道了各种聚(3， 4-亚烷基二氧噻吩)衍生物(非专利文献1)。但是，所得的聚(3，4-亚烷基二氧噻吩)衍生物的溶解性不太高，存在成膜等操作困难的问题，希望得到改善。现有技术文献非专利文献非专利文献1 :L. Groenendaal等·，聚(3，4_亚烷基二氧噻吩)衍生物的电化学(Electrochemistry of Poly (3，4_alkylenedioxythiophene) Derivatives)，先进材料 (Advanced Materials) 2003, Vol. 15，No. 11，p.855—879。发明的揭示发明要解决的课题本发明是为解决上述课题而完成的，目的是提供溶解性高、加工性优良且适合作为导电性材料的新聚合物及作为其原料的新化合物。用于解决课题的方法用于解决上述课题的权利要求1的发明为下式(I)所示的噻吩衍生物，
权利要求
1.下式(I)所示的噻吩衍生物， [化1]
2.如权利要求1所述的二环式杂环结构的噻吩衍生物，其特征在于，由上式(I)中的A 为S、B为R2的下式(II)表示，
3.如权利要求1所述的噻吩衍生物，其特征在于，由上式(I)中的A为R1-O^B 为-R2-SH的下式(III)表示，
4.如权利要求1所述的噻吩衍生物，其特征在于，由上式(I)中的A为R1-O^B 为-R2-O-SO2-R3的下式(IV)表示，[化4]
5.一种聚合物，其特征在于，具有下式(V)所示的二环式杂环骨架的结构单元，[化5]
6.一种组合物，其特征在于，由具有上式(V)所示的结构单元的聚合物和掺杂剂形成。
7.具有上式(II)所示的二环式杂环结构的噻吩衍生物的制造方法，其特征在于，使上式(III)所示的噻吩衍生物进行分子内环化反应。
8.上式(IV)所示的噻吩衍生物的制造方法，其特征在于，使下式(VI)所示的化合物与 Cl-SO2-R3 反应，[化6]
9.上式(III)所示的噻吩衍生物的制造方法，其特征在于，使上式(IV)所示的噻吩衍生物和硫脲反应后进行水解。
全文摘要
本发明提供溶解性高、加工性优良且适合用作导电性材料的新聚合物及作为其原材料的新化合物。作为该原材料的新化合物为下式(I)所示的噻吩衍生物，式(I)中A为S，B为R2(R2为可具有取代基的碳数2～3的亚烷基)，A和B分子内环化，与噻吩基一起形成二环式杂环结构。由该噻吩衍生物聚合而得的该新聚合物适合用作为导电性材料。
文档编号C07D495/04GK102471307SQ20108003377
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月23日 优先权日2009年7月24日
发明者渊上寿雄, 稲木信介, 鎌田泰辅 申请人:可乐丽股份有限公司, 国立大学法人东京工业大学