专利名称：异氰脲酸三烯丙酯的储藏方法
技术领域：
本发明涉及异氰脲酸三烯丙酯的储藏方法。以下，将异氰脲酸三烯丙酯(三烯丙基异氰脲酸酯)记作“TAIC”。
背景技术：
TAIC作为耐热性和耐药品性优异的交联剂是有用的，期待使用于电子材料、液晶、 半导体、太阳能电池等宽领域中。例如，提出在印刷配线基板，即，在表面固定集成电路、 电阻器、电容器等多个电子零件，以配线连接其零件之间而构成电子回路的板状或膜状的零件中，作为用于阻止液体和气体等物质进入零件内部的密封材料而使用TAIC(专利文献 1)。在该方案中，因为TAIC在常温下是粘性液体(熔点^rc)，所以作为液态密封材料被使用。另外，为了提高其润湿性而添加硅烷偶联剂。另外，TAIC也可以作为交联性高分子的交联剂使用(专利文献2)。但是，由于TAIC的熔点是^rc,所以，在冬季储藏中冻结固化，特别是在比较大型的容器(鼓形桶)中储藏时，存在加热熔融相当耗时的缺陷。此外，如果TAIC的处理温度变低，粘度就会迅速上升，操作性恶化。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利特开2007-115840号公报专利文献2 日本专利特开2006-036876号公报
发明内容
发明要解决的课题本发明就是鉴于上述实际情况而做出的发明，其目的在于提供一种用于防止在冬季储藏中冻结固化的TAIC储藏方法。用于解决课题的方法本发明的发明人为了达到上述目的而进行了深入研究，结果得到以下见解，S卩，在使用TAIC时，作为濡湿性提高剂而添加硅烷偶联剂，但如果在TAIC使用前，在TAIC的储藏时添加该硅烷偶联剂，则TAIC的熔点下降，能够防止TAIC在冬季储藏中冻结固化，从而完成本发明。本发明就是基于上述见解而完成的发明，其要点在于一种异氰脲酸三烯丙酯的储藏方法，其特征在于，混合异氰脲酸三烯丙酯和硅烷偶联剂，作为两者的组合物储藏。发明的效果根据本发明，能够防止TAIC在冬季储藏中的冻结固化，因此，在冬季，可以不用进行加热熔融的作业而处理TAIC，另外，由于所储藏的TAIC不呈现高粘度，所以处理时的操作性良好。
具体实施例方式以下，详细说明本发明。首先，说明作为本发明对象的TAIC。作为TAIC的工业性制造方法，已知如下的3 种方法。(1)使2，4，6_三氯-1，3，5-三嗪(氰脲酰氯)与烯丙醇反应而得到氰脲酸三烯丙酯(以下记作“TAC” )，并使其进行转移反应的制造方法(TAC转移法)。(2)使丙烯基氯于氰酸钠反应而得到异氰酸烯丙酯，并将其三聚化的制造方法 (氰酸钠法)。(3)在碱催化剂的存在下，使丙烯基氯与异氰脲酸反应(氰脲酸的互变异构体)反应的制造方法(异氰脲酸法)。作为本发明对象的TAIC可以是由上述任意方法得到的TAIC。但是，关于TAIC的杂质似乎还没有报告，但优选需要尽可能除去作为金属腐蚀原因的杂质。在本发明中，从上述观点出发，推荐如下的TAIC。由于TAIC中的杂质种类因TAIC的制造方法而不同，所以， 对作为本发明对象的优选TAIC按照制造方法逐一说明。[由TAC转移法得到的TAIC]由TAC转移法得到的TAIC，例如，可以按照下述反应途径，通过使2，4，6_三氯-1， 3，5-三嗪(氰脲酰氯)与烯丙醇反应而得到(JACS. 73卷.29864990 (1951))氰脲酸三烯丙酯(TAC)，并使其进行转移反应而得到(日本特公平4-6570号公报)。
权利要求
1.一种异氰脲酸三烯丙酯的储藏方法，其特征在于混合异氰脲酸三烯丙酯和硅烷偶联剂，作为两者的组合物储藏。
2.如权利要求1所述的储藏方法，其特征在于硅烷偶联剂的使用比例作为相对于异氰脲酸三烯丙酯的值为5 30重量％。
3.如权利要求1或2所述的储藏方法，其特征在于 硅烷偶联剂是Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。
4.如权利要求1 3中任一项所述的储藏方法，其特征在于异氰脲酸三烯丙酯是含有以下化学式(I )所示的有机氯化合物且其含量为IOOppm 以下的异氰脲酸三烯丙酯，
5.如权利要求1 3中任一项所述的储藏方法，其特征在于 异氰脲酸三烯丙酯是含有以下化学式(V )所示的有机氯化合物且其含量为500ppm 以下的异氰脲酸三烯丙酯，
全文摘要
本发明提供一种用于防止在冬季储藏中冻结固化的TAIC的储藏方法。混合异氰脲酸三烯丙酯和硅烷偶联剂，作为两者的组合物储藏。在本发明的优选方式中，硅烷偶联剂的使用比例作为相对于异氰脲酸三烯丙酯的值为5～30重量％，硅烷偶联剂是γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。
文档编号C08K5/3492GK102449001SQ20108002277
公开日2012年5月9日 申请日期2010年5月20日 优先权日2009年5月25日
发明者山浦真生子 申请人:日本化成株式会社