专利名称：表面活性添加剂和包含该表面活性添加剂的光刻胶组合物的制作方法
表面活性添加剂和包含该表面活性添加剂的光刻胶组合物相关申请的交叉引用本申请是非临时性提出并要求2011年5月27日提出的U. S.临时专利申请序号61/490,825的优先权，它的内容在此全部引入作为参考。
背景技术：
在193纳米进行的浸没式光刻法已经显示出作为有用的技术用于光刻胶薄膜中改善光刻印刷的性能，其通过有效增加曝光工具的数值孔径(NA)，从而增加可以由光刻胶得到的分辨率。在浸没式光刻法中，水膜和光学器件以及涂敷在待曝光的光刻胶薄膜上的顶部涂层的表面接触。然而薄膜中使用的光刻胶配方遭受表面损失，即一部分顶部涂层可能产生不可预测程度的顶部剥离，这是由于在顶部涂层中的酸性组分和光刻胶薄膜中酸敏感性组分之间的相互作用造成的。 为了克服这些问题，光刻胶配方中已经包括有表面活性淬灭剂(即，碱类)。光刻胶薄膜表面层中的过量碱类淬灭剂将会减轻源于顶部涂层的酸的攻击并由此减小顶部损失程度和帮助保持良好的特征件(feature)轮廓。用于充满光刻胶薄膜表面层的表面活性淬灭剂材料包括氟化的淬灭剂碱类和具有长烷基链(C8或更长的链)的碱类。虽然该方式在减小顶部损失方面显示一些改进，但是也可能发生不利的影响，例如像减少光刻的性能和增加微桥缺陷。据信这是由于在碱性显影液水溶液或者水中基本上不溶的表面活性淬灭剂材料的疏水性质造成的。此外，在顶部涂层工艺中小分子的淬灭剂材料通常可溶于用于涂敷顶部涂层的溶剂，因此这些小分子的淬灭剂可以很容易地被洗出。因此，希望存在一种配制的光刻胶，以便存在一种分散在薄膜表面以及顶部表面附件区域的浓缩淬灭剂材料，其对光刻和显影性能没有不利影响。
发明内容
现有技术中的上述以及其他不足可以通过以下的聚合物克服，在一个实施方式中，该聚合物包含单体的聚合产物，所述单体包括含氮单体，该含氮单体具有式(Ia)、(Ib)，或者式(Ia)和(Ib)的组合；以及可酸去保护的单体，该单体具有式(11)11，
权利要求
1.一种聚合物，包含单体的聚合产物，所述单体包括 含有式(la)、式(Ib)或式(Ia)和式(Ib)组合的含氮单体，和具有式(II)的可酸去保护单体(Ib)
2.权利要求I所述的聚合物，其中含氮单体具有式(Ic)
3.权利要求I所述的聚合物，其中含氮单体是
4.权利要求I所述的聚合物，其中式(II)的可酸去保护单体是
5.权利要求I所述的聚合物，进一步包含式(IV)的碱可溶性单体
6.权利要求5所述的聚合物，其中碱可溶性单体是
7.权利要求I所述的聚合物，进一步包含式(V)的表面活性单体
8.权利要求7所述的聚合物，其中式(V)的表面活性单体是
9.光刻胶，包含 包含酸敏感性基团和含内酯的基团的酸敏感性聚合物， 光致生酸剂，和 如权利要求1-8中任一项所述的聚合淬灭剂。
10.涂覆的基材，其包含 (a)基材，其具有将要在其表面上图形化的一个层或多个层；和(b)在所述将要图形化的一个层或多个层上的权利要求9所述的光刻胶组合物的层。
全文摘要
本发明涉及表面活性添加剂和包含该表面活性添加剂的光刻胶组合物。一种聚合物，包含单体聚合的产物，所述单体包括含有式(Ia)、式(Ib)或式(Ia)和(Ib)组合的含氮单体，和具有式(II)的可酸去保护单体其中a是0或1；每个Ra独立的是H、F、C1-C10烷基或者C1-C10氟化烷基，L1是直链或支链C1-C20亚烷基、或者单环、多环、或者稠合多环C3-C20亚环烷基，每个Rb独立的是H、C1-C10烷基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、脂肪族C5-C20氧基羰基或者任选包括杂原子取代基的C1-C30酰基基团，其中每个Rb是独立的，或者至少一个Rb与相邻的Rb相连；LN是含氮的单环、多环、或者稠合多环C3-C20亚杂环烷基；X是H、C1-C10烷基、脂肪族C5-C20氧基羰基或任选包括杂原子取代基的C1-C30酰基基团；每个Rc独立的是C1-C10烷基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基，其中每个Rc是独立的或者至少一个Rc与相邻的Rc相连。
文档编号C08F220/38GK102796221SQ201210243288
公开日2012年11月28日 申请日期2012年5月28日 优先权日2011年5月27日
发明者D·王, C·吴, 刘骢, G·波勒斯, C-B·徐, G·G·巴克利 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司