固化性组合物及固化物的制作方法
【专利摘要】本发明提供能够得到加工成型性优异、耐热性高、具有高至可作为SiC功率半导体的模塑树脂使用的Tg的固化物的固化性组合物及其固化物。所述固化性组合物含有作为（A）成分的在分子中具有至少2个下述通式（1）所示的部分结构的化合物100质量份、作为（B）成分的热自由基产生剂0.5～3质量份以及作为（C）成分的其他自由基反应性化合物0～50质量份。（式中，环A表示苯环或环己基环，R1表示碳数1～6的亚烷基，R2表示碳数1～4的烷基，a表示0或1的数，b表示0～3的整数，c表示1或2的数。）
【专利说明】固化性组合物及固化物
【技术领域】
[0001]本发明涉及固化性组合物及其固化物，详细而言，涉及能够得到加工成型性优异、耐热性高的固化物的固化性组合物及其固化物。
【背景技术】
[0002]SiC (碳化硅)与硅相比电绝缘性和通电时的能量损失小，因此发热量少、耐热性也高。因此，SiC功率半导体可以处理比硅功率半导体大的电力，目前，作为替代广泛使用的硅功率半导体的下一代功率半导体，得到积极研究。硅功率半导体装置的耐热极限温度约为150°C，而SiC功率半导体装置为了处理更大的电力而研究在240~300°C下使用，对于SiC功率半导体装置的构件也要求超过240°C的耐热性。
[0003]迄今，用树脂进行模塑的半导体的模塑树脂主要使用环氧树脂。一般，树脂以Tg(玻璃化转变温度)为界，粘弹性、热膨胀系数等物性会大幅变化，因此模塑树脂的Tg要求比半导体的使用温度高。然而，现有的环氧树脂的Tg大致为200°C以下，在超过240°C的使用环境下存在材料的软化、产生裂纹等问题(例如参见专利文献I~2)。此外，具有240°C以上的Tg的环氧树脂由于固化前的树脂的熔点高，因此固化温度也高，且固化需要长时间，因而对其他构件的不 良影响、生产率的降低成为问题(例如参见专利文献3)。此外，也研究了使用聚酰亚胺等环氧树脂以外的树脂(例如参见专利文献4)，但对于所要求的性能而言是不充分的。
[0004]另一方面，也已知有含有多元酚化合物的乙烯基苄基醚化合物的固化性组合物(例如参见专利文献5~7)，但Tg均小于240°C，作为SiC功率半导体的模塑树脂是不充分的。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2005-036085号公报
[0008]专利文献2:日本特开2006-269730号公报
[0009]专利文献3:日本特开2011-184650号公报
[0010]专利文献4:日本特开2010-222392号公报
[0011]专利文献5:日本特开2000-258932号公报
[0012]专利文献6:日本特开2004-189901号公报
[0013]专利文献7:日本特开2010-202778号公报
【发明内容】
[0014]发明要解决的问题
[0015]因此，本发明的目的在于提供能够得到加工成型性优异、耐热性高、具有高至可作为SiC功率半导体的模塑树脂使用的Tg的固化物的固化性组合物及其固化物。
[0016]用于解决问题的方案[0017]本发明人等鉴于前述问题进行了深入研究，结果发现，含有特定结构的化合物的固化性组合物的加工成型性优异、固化后的耐热性高，从而完成了本发明。即，本发明是一种固化性组合物，其含有作为(A)成分的在分子中具有至少2个下述通式(I)所示的部分结构的化合物100质量份、作为(B)成分的热自由基产生剂0.5~3质量份以及作为(C)成分的其他自由基反应性化合物O~50质量份。
[0018]
【权利要求】
1.一种固化性组合物，其含有作为(A)成分的在分子中具有至少2个下述通式(I)所示的部分结构的化合物100质量份、作为(B)成分的热自由基产生剂0.5~3质量份以及作为(C)成分的其他自由基反应性化合物O~50质量份，
2.根据权利要求1所述的固化性组合物，其中，所述(A)成分为下述通式(2)或通式(3)所示的化合物，
3.根据权利要求1或2所述的固化性组合物，其还含有填料作为(D)成分。
4.一种传递成型用料片，其由权利要求1~3中任一项所述的固化性组合物形成。
5.一种固化物，其特征在于，其由权利要求1~3中任一项所述的固化性组合物固化而成。
6.一种半导体元件，其用权利要求1~3中任一项所述的固化性组合物的固化物进行模塑而得 到。
【文档编号】C08F212/34GK103764697SQ201280041566
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2012年8月24日 优先权日:2011年8月26日
【发明者】日渡谦一郎, 富田敦郎, 齐木智秋, 村田圣 申请人:株式会社Adeka