硬掩模的制作方法
【专利摘要】提供了适用于旋涂金属硬掩模的包含某些有机金属低聚物的组合物，其中该组合物可以被改变组成以提供具有一系列刻蚀选择性的金属氧化物硬掩模。还提供了使用本发明的组合物沉积金属氧化物硬掩模的方法。
【专利说明】硬掩模
[0001]本发明一般涉及半导体制造领域，和更特别地涉及在半导体制造中使用的硬掩模领域。
[0002]随着在193nm浸没式光刻中的临界尺寸和节距连续降低，归功于硬掩模材料的优异的刻蚀选择性，在集成电路制造的某些层中使用硬掩模已经变得越来越流行。某些金属硬掩模，例如TiN是通过化学气相沉积(CVD)施加到加工晶片上。通过CVD或旋涂技术施加的无定形碳硬掩模和硅硬掩模(或硅抗反射涂层或SiARC)是集成电路制造中的常规技术之中。目前，旋涂金属硬掩模在集成电路工业中获得了关注，部分是由于与常规方法相比潜在的成本降低以及制备方法的简化。
[0003]US专利N0.7364832公开了通过将一层包含下式金属-氧聚合物的组合物沉积在基板上获得的湿显影性的保护层。
【权利要求】
1.一种制造电子器件的方法，包括: (a)提供电子器件基板；(b)在电子器件基板上设置一层有机金属低聚物；和(C)固化所述有机金属低聚物以在电子器件基板上形成金属氧化物层；其中有机金属低聚物选自:(i)包括含金属侧基的低聚物；(ii)式(2)的低聚物
2.权利要求1的方法，其中M1选自钛、锆、铪、钨、钽、钥和铝。
3.权利要求1的方法，其中所述包括含金属侧基的低聚物包括一种或多种式(I)的单体作为聚合单元，
4.权利要求3的方法，其中M选自钛、锆、铪、钨、钽、钥和铝。
5.权利要求3的方法,其中每一个L选自(C1-C6)烷氧基。
6.权利要求1的方法，其中每一个L1选自3-二酮、0-羟基酮、0-二酮亚胺酯/根、脒酯/根、胍酯/根和β -羟亚胺。
7.权利要求6的方法，其中每一个L1选自丙酮基丙酮酸酯/根、六氟丙酮基丙酮酸酯/根、N，N’-二甲基-甲基脒酸酯/根合、N，N’- 二乙基-甲基脒酸酯/根合、Ν，Ν’_ 二乙基-乙基脒酸酯/根合、N，N’ - 二-异-丙基-甲基脒酸酯/根合、N，N’ -二-异-丙基-异-丙基脒酸酯/根合、N，N’ - 二甲基-苯基脒酸酯/根合、四甲基胍酯/根和四乙基胍酯/根。
8.权利要求1的方法，其中m=2。
9.权利要求1的方法，其中p=2-10。
10.权利要求1的方法，其中使用包括有机金属低聚物和有机溶剂的组合物进行步骤(b)。
11.权利要求10的方法，其中有机溶剂包含<1000Oppm的水。
12.权利要求10的方法，所述方法进一步包括在固化步骤之前移除有机溶剂的步骤。
13.权利要求1的方法，其中所述包括含金属侧基的低聚物是包括一种或多种单体作为聚合单元的共聚物，所述一种或多种单体选自以下单体:(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羟烷基酯、(甲基)丙烯酸烯基酯、(甲基)丙烯酸芳酯；和一种或多种式⑴单体，
14.一种包括一种或多种式(I)的单体作为聚合单元的聚合物，
15.权利要求12的聚合物，所述聚合物进一步包括一种或多种选自以下的单体作为聚合单元:(甲基)丙烯酸烷基酯单体、(甲基)丙烯酸芳基酯单体、(甲基)丙烯酸羟烷基酯单体、(甲基)丙烯酸烯基酯、(甲基)丙烯酸和乙烯基芳族单体。
【文档编号】C08F220/10GK103681253SQ201310571344
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月23日 优先权日:2012年9月23日
【发明者】D·王, 孙纪斌, 庄芃薇, P·特雷弗纳三世, 刘骢 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司