烯烃树脂组合物的制作方法与工艺

本申请涉及一种烯烃树脂组合物以及制造用于光电器件的封装物的方法。

背景技术：
光电器件例如光伏电池、发光二极管(LED)或有机发光二极管(有机LED)可以包括将器件的发光区或光敏区封装的封装物。例如，太阳能电池模块通常可以通过层压法来制造，所述层压法包括层压为光接收基板的透明前基板、封装物、光伏元件、封装物和背板，然后在层压物进行抽真空的同时热压如此层压的层压物。作为用于太阳能电池模块的封装物，考虑到可处理性、可加工性、成本等，乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)树脂是最常使用的。然而，EVA树脂对于与包括在光电器件中的封装物接触的元件例如前基板或背板具有低的粘合强度。因此，当模块长期暴露在室外时，存在容易发生层间剥离的问题。此外，在使用包含EVA树脂的封装物来制造太阳能电池模块期间，EVA树脂可能根据热压条件而经受热解，由此可能产生乙酸气体。乙酸气体使工作环境恶化，对包括在太阳能电池模块中的光伏元件或电极具有不利影响，并且还导致模块的劣化、发电效率降低等。因此，一直存在对具有改进的长期粘合性的用于光电器件的封装物的需要。

技术实现要素：
技术问题本申请的实施方案涉及提供一种烯烃树脂组合物以及制造用于光电器件的封装物的方法。技术解决方案本申请的实施方案提供了一种烯烃树脂组合物，其中，通过该烯烃树脂组合物可以制造对于基板具有优异的粘合强度的用于光电器件的封装物。在本说明书中，“改性烯烃树脂”和“改性乙烯/α-烯烃共聚物”是指以下共聚物：其包括其中在烯烃树脂的一些硅烷基中的与不饱和硅烷化合物接枝的烃基被转化成羟基的部分；还包括含有胺官能团的部分，并且“改性烯烃树脂”和“改性乙烯/α-烯烃共聚物”以相同的含义用作包括通过待在以下描述的化学式3所表示的支链的共聚物。为了与如上所述的改性烯烃树脂或改性乙烯/α-烯烃共聚物进行区分，将仅接枝有不饱和硅烷化合物而没有接枝有氨基硅烷化合物的乙烯/α-烯烃共聚物定义为“硅烷改性烯烃树脂”或“硅烷改性乙烯/α-烯烃共聚物”。根据本申请的实施方案的烯烃树脂组合物包括烯烃树脂、不饱和硅烷化合物、氨基硅烷化合物和自由基引发剂。烯烃树脂没有特别限制，只要其可以被归为烯烃即可，但其实例包括选自如下中的至少一种基于烯烃的单体的均聚物或共聚物：α-烯烃，例如乙烯、丙烯、异丁烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、4-苯基-1-丁烯、6-苯基-1-己烯、2-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、4-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、5-甲基-1-己烯、3，3-二甲基-1-戊烯、3，4-二甲基-1-戊烯、4，4-二甲基-1-戊烯或乙烯基环己烷；二烯烃，例如1，3-丁二烯、1，4-丁二烯和1，5-己二烯；卤素取代的α-烯烃，例如六氟丙烯、四氟乙烯、2-氟丙烯、氟乙烯、1，1-二氟乙烯、3-氟丙烯、三氟乙烯或3，4-二氯-1-丁烯；环烯烃，例如环戊烯、环己烯、降冰片烯、5-甲基降冰片烯、5-乙基降冰片烯、5-丙基降冰片烯、5，6-二甲基降冰片烯或5-苄基降冰片烯。此外，即使聚合物是由具有相同组成的一种或多种单体制备的，烯烃树脂包括所有具有不同类型的排列的聚合物。例如，在本申请的实施方案中，为了根据用途适当地调整树脂组合物的粘度或物理性质，包括在烯烃树脂中的共聚物的排列可以被调整成无规型、交联型、嵌段型、不同链段等，然后可以使用烯烃树脂。在本申请的实施方案中，烯烃树脂可以为乙烯/α-烯烃共聚物、乙烯聚合物、丙烯聚合物或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，在一个实施方案中，烯烃树脂可以为乙烯/α-烯烃共聚物。“乙烯/α-烯烃共聚物”是指包含聚合型的乙烯和α-烯烃作为主要组分的聚烯烃，具体地，不仅指乙烯的均聚物，而且还指含有至少50mol％或更多的作为聚合单元的乙烯和作为聚合单元的具有3个或更多个碳原子的烯烃单体或其他共聚单体的共聚物。乙烯/α-烯烃共聚物可以为例如选自以下中的一种或两种或更多种：低密度乙烯/α-烯烃共聚物、中密度乙烯/α-烯烃共聚物、高密度乙烯/α-烯烃共聚物、极低密度乙烯/α-烯烃共聚物、超低密度乙烯/α-烯烃共聚物以及线性低密度乙烯/α-烯烃共聚物。具有许多侧链的乙烯/α-烯烃共聚物通常具有低密度，并且具有很少侧链的乙烯/α-烯烃共聚物通常具有高密度。此外，随着侧链的数目增加，接枝效率变高。因此，在本申请的一个实施方案中，具有许多侧链的低密度乙烯/α-烯烃共聚物可以用作接枝有不饱和硅烷化合物和氨基硅烷的烯烃树脂，由此接枝效率变高。因此，封装物的粘合强度可以得到改进。因此，在本申请的一个实施方案中，具体地，可以使用密度为约0.85g/cm3至0.96g/cm3，例如约0.85g/cm3至0.92g/cm3、0.86g/cm3至0.91g/cm3、0.87g/cm3至0.90g/cm3、0.88g/cm3至0.91g/cm3或0.87g/cm3至0.905g/cm3的乙烯/α-烯烃共聚物，但本发明不限于此。此外，在190℃的温度和2.16kg的载荷下，乙烯/α-烯烃共聚物的熔体流动速率(MFR)可以为约1.0g/10分钟至约50.0g/10分钟、约1.0g/10分钟至30.0g/10分钟、约1.0g/10分钟至约10.0g/10分钟、约1.0g/10分钟至8.0g/10分钟或约3.0g/10分钟至7.0g/10分钟。在MFR在这样的范围内的情况下，例如，烯烃树脂具有的低的分子量，由此烯烃树脂组合物可以具有优异的可模制性。例如，就乙烯/α-烯烃共聚物而言，可以在190℃的温度和2.16kg的载荷下测量MFR(熔体流动速率)，但本发明不限于此。包含在烯烃树脂组合物中的不饱和硅烷化合物为由以下化学式1表示的不饱和硅烷化合物，并且可以以如下形式被包含：在自由基引发剂存在下通过接枝至包括烯烃树脂的基于烯烃的单体的聚合单元的主链中，被聚合至改性烯烃树脂或硅烷改性烯烃树脂中。换句话说，本申请的烯烃树脂组合物可以提供接枝聚合物，在该接枝聚合物中烯烃树脂接枝有由如下化学式1表示的不饱和硅烷化合物。[化学式1]DSiR1lR2(3-l)在化学式1中，D表示与硅原子键合的烯基。所述烯基是指具有至少一个或更多个不饱和基团(例如双键)的官能团，并且烯基的碳原子数可以为2至20个、2至12个或2至6个。对于烯基，上述D可以为例如乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、己烯基、环己烯基或γ-甲基丙烯酰氧基丙基，并且作为一个实例可以为乙烯基。R1可以表示均与硅原子键合的羟基、卤素、胺基或-R3R4，R3可以表示氧或硫原子，R4可以表示烷基、芳基或酰基，并且R2可以表示均与硅原子键合的氢、烷基、芳基或芳烷基。作为一个实例，R1可以为能够通过接触体系中存在的水而进行水解的反应性官能团，并且R1的实例可以包括烷氧基、硫代烷基、芳氧基、酰氧基、卤素基或胺基。在这种情况下，烷氧基的实例可以包括碳原子为1至20个、1至12个、1至8个或1至4个的烷氧基；酰氧基的实例可以包括碳原子为1至12个、1至8个或1至4个的酰氧基；以及硫代烷基的实例可以包括碳原子为1至12个、1至8个或1至4个的硫代烷基。此外，在一个实施方案中，化学式1中的R1可以为烷氧基，特别是碳原子为1至12个或1至8个的烷氧基。在其他实施方案中，化学式1中的R1可以是碳原子为1至4个的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基或丁氧基。例如，在一些实施方案中，可以使用甲氧基或乙氧基。此外，R2可以为非反应性官能团，并且R2的实例可以包括氢、烷基、芳基或芳烷基。在这种情况下，烷基的实例可以包括碳原子为1至12个、1至8个或1至4个的烷基。此外，芳基可以是碳原子为6至18个或6至12个的芳基，例如苯基。芳烷基可以是碳原子为7至19个或7至13个的芳烷基，例如苄基。此外，在化学式1中，l可以为1至3的整数，并且在一些实施方案中，l可以为3。上述化学式1中的不饱和硅烷化合物的具体实例可以包括乙烯基烷氧基硅烷。不饱和硅烷化合物的实例可以包括乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷、乙烯基三丁氧基硅烷、乙烯基三戊氧基硅烷、乙烯基三苯氧基硅烷或乙烯基三乙酰氧基硅烷，并且作为一个实例，可以使用上述实例中的乙烯基三甲氧基硅烷或乙烯基三乙氧基硅烷，但本发明不限于此。作为一个实例，相对于在全部烯烃树脂组合物中100重量份的固含量，烯烃树脂组合物可以以0.1重量份至10.0重量份、以0.5重量份至7.0重量份、1.0重量份至5.5重量份或0.5重量份至5.0重量份的量包括由上述化学式1表示的不饱和硅烷化合物。在这样的范围内，可以极好地保持该共聚物的粘合性，例如，对于玻璃基板、背板等的粘合性。除非另有规定，在本说明书中，单位重量份是指重量比。在一个实例中，烯烃树脂组合物包括氨基硅烷化合物。氨基硅烷化合物可以用作催化剂，所述催化剂在烯烃树脂(例如乙烯/α-烯烃共聚物)的接枝改性的过程中催化使反应性官能团(例如接枝至烯烃树脂中的不饱和硅烷化合物的烷氧基)转化成羟基的水解反应，由此可以使得进一步改进对于由氟化树脂组成的背板或顶玻璃基板和底玻璃基板的粘合强度。此外，同时，氨基硅烷化合物可以直接用作共聚反应中的反应物，因而，可以向待在下面描述的本申请的新的共聚物提供具有胺官能团的部分。氨基硅烷化合物可以为通过由如下化学式2表示的化合物。[化学式2]SiR5mR6(4-m)在化学式2中，R5表示与硅原子键合的-(CH2)nNR7R8，R7和R8各自独立地表示均与氮原子键合的氢或R9NH2，并且R9表示碳原子为1至6个的亚烷基。此外，R6表示与硅原子键合的卤素、胺基、-R10R11或-R11，R10表示氧或硫原子，并且R11表示氢、烷基、芳基、芳烷基或酰基。在这种情况下，上述m为1至4的整数，n为0以上的整数。在这种情况下，烷基、芳基、芳烷基、酰基和亚烷基与上述相同，因而，将不提供关于烷基、芳基、芳烷基、酰基和亚烷基的说明。优选地，在化学式2中，R6可以表示与硅原子键合的-R10R11，R10可以表示氧原子，R11可以表示氢、烷基、芳基、芳烷基或酰基，R5可以表示与硅原子键合的-(CH2)nNR7R8，R7和R8可以表示氢，或者R7可以表示氢并且R8可以表示R9NH2，并且在这种情况下，R9可以表示碳原子为1至3个的亚烷基。此外，在这种情况下，n可以为2至5的整数。可以在对烯烃树脂进行改性的过程(即制造改性烯烃树脂的过程)中添加氨基硅烷化合物。此外，氨基硅烷化合物不会对待在下面描述的包括在该组合物中的其他组分例如UV稳定剂等造成不利影响，并且可以使得该组合物的全部物理性质能够以上述性质期望的方式得到稳定地维持。可以用于本申请的实施方案的氨基硅烷化合物没有特别限制，只要其为具有胺基、伯胺和仲胺的硅烷化合物即可。例如，可以使用氨基三烷氧基硅烷、氨基二烷氧基硅烷等作为氨基硅烷化合物，并且氨基硅烷化合物的实例可以包括选自以下中的至少之一：3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APTMS)，3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)，双[(3-三乙氧基硅基)丙基]胺，双[(3-三甲氧基硅基)丙基]胺，3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷，3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷，N-[3-(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺(DAS)，氨基乙基氨基丙基三乙氧基硅烷，氨基乙基氨基丙基甲基二甲氧基硅烷，氨基乙基氨基丙基甲基二乙氧基硅烷，氨基乙基氨基甲基三乙氧基硅烷，氨基乙基氨基甲基甲基二乙氧基硅烷，二亚乙基三氨基丙基三甲氧基硅烷，二亚乙基三氨基丙基三乙氧基硅烷，二亚乙基三氨基丙基甲基二甲氧基硅烷，二亚乙基氨基甲基甲基二乙氧基硅烷，(N-苯基氨基)甲基三甲氧基硅烷，(N-苯基氨基)甲基三乙氧基硅烷，(N-苯基氨基)甲基甲基二甲氧基硅烷，(N-苯基氨基)甲基甲基二乙氧基硅烷，3-(N-苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷，3-(N-苯基氨基)丙基三乙氧基硅烷，3-(N-苯基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷，3-(N-苯基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷和N-(N-丁基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷。氨基硅烷化合物可以单独使用或组合使用。相对于在全部烯烃树脂组合物中100重量份的固含量，氨基硅烷化合物的含量可以为0.01重量份至2.0重量份，并且可以为0.01重量份至0.5重量份、0.1重量份至0.25重量份、0.2重量份至0.5重量份、0.5重量份至1.25重量份、0.1重量份至1.5重量份或0.2重量份至2.0重量份。以这样的重量比，可以有效地调整树脂组合物的物理性质，可以增加对于上述前基板和背板的粘合强度，并且可以极好地保持包含在树脂组合物中的其他添加剂的活性。当所添加的氨基硅烷化合物的含量过多时，树脂的变色可能较早发生并且在过程期间大量形成凝胶。为此，可能使待制造的片的外观受到负面影响。相对于在全部烯烃树脂组合物中100重量份的不饱和硅烷化合物，氨基硅烷化合物的含量可以为1重量份至35重量份，例如2重量份至6重量份，2重量份至5.5重量份，5重量份至5.5重量份，2重量份至15重量份，5重量份至15重量份，10重量份至35重量份，5重量份至35重量份，15重量份至33.3重量份或2重量份至33.3重量份，氨基硅烷化合物的含量还可以为1重量份至40重量份，例如2重量份至30重量份，2重量份至25重量份，1重量份至25重量份，2重量份至6重量份，1重量份至10重量份，4重量份至12重量份，5重量份至10重量份，2重量份至10重量份或2重量份至5重量份。当以这样含量范围内具有氨基硅烷化合物的烯烃树脂组合物经反应性挤出的情况下，用于如此制造的光电器件的封装物与前基板之间的粘合强度变得优异。另一方面，当氨基硅烷化合物包含过多的情况下，如此制造的封装物的黄变指数变高，由此封装物的其他物理性质可能受到影响。氨基硅烷化合物与不饱和硅烷化合物在包括硅烷基的方面是类似的，但在分别包括胺官能团和不饱和基团的方面彼此不同。烯烃树脂组合物包括两种材料，并且在这种情况下，与包括两种材料中的仅一种材料的情况相比，烯烃树脂组合物可以提供优异的粘合性能。在这种情况下，由于添加氨基硅烷化合物，无论不饱和硅烷化合物的含量如何，粘合性能都肯定会得到提高；但即使在使用具有相同含量条件的不饱和硅烷化合物的情况下，当添加氨基硅烷化合物时，粘合性能可以进一步得到改进。此外，与仅使用烷基硅烷和烷基胺来制造封装物的情况相比，根据本申请的实施方案可以提供具有优异的粘合性能的封装物。例如，在仅使用烷基胺的情况下，因为与乙烯基硅烷化合物或氨基硅烷化合物不同，烷基胺不参与接枝聚合反应并且保持作为留在体系中的材料，所以烷基胺移入待形成的改性烯烃树脂的表面上，或者在将其制造为密封片的同时移至到片的表面。因此，由于留在体系中的材料，长期耐久性可能降低。此外，就一些烷基胺而言，由于烷基胺的熔点为约27℃至29℃，所以存在烷基胺与其他反应性材料例如在27℃至29℃或更低的温度范围内的液体硅烷化合物低混溶的问题。作为一个实例，烯烃树脂组合物包括自由基引发剂。自由基引发剂可以起到引发不饱和硅烷化合物与烯烃树脂的接枝反应的作用。对自由基引发剂没有特别限制，只要其可以引发乙烯基的自由基聚合即可。自由基引发剂的实例可以包括选自有机过氧化物、氢过氧化物或偶氮化合物中的一种或两种或更多种。具体地，自由基引发剂的实例可以包括选自如下中的至少之一：二烷基过氧化物，例如叔丁基枯基过氧化物、二叔丁基过氧化物、二枯基过氧化物、2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧化)己烷和2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧化)-3-己炔；氢过氧化物，例如氢过氧化异丙苯、氢过氧化二异丙苯、2，5-二甲基-2，5-二(氢过氧化)己烷和氢过氧化叔丁基；二酰基过氧化物，例如双-3，5，5-三甲基己酰过氧化物、过氧化辛酰、过氧化苯甲酰、过氧化邻甲基苯甲酰和过氧化2，4-二氯苯甲酰；过氧酯，例如过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化乙酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化特戊酸叔丁酯、过氧化辛酸叔丁酯、过氧化异丙基碳酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化邻苯二甲酸二叔丁酯、2，5-二甲基-2，5-二(苯甲酰过氧化)己烷和2，5-二甲基-2，5-二(苯甲酰过氧化)-3-己炔；酮过氧化物，例如过氧化甲基乙基酮和过氧化环己酮；和偶氮化合物，例如过氧化月桂酰、偶氮二异丁腈和偶氮二(2，4-甲基戊腈)，但本发明不限于此。相对于在全部烯烃树脂组合物中100重量份的固含量，上述自由基引发剂的含量可以为0.001重量份至5重量份。如果需要，根据本申请的实施方案的烯烃树脂组合物还可以包括选自光稳定剂、UV吸收剂和热稳定剂中的至少一种添加剂。根据应用组合物的用途，光稳定剂可以通过捕获引发烯烃树脂的光致降解的活性物质来起到防止光氧化的作用。能够使用的光稳定剂的类型可以为但不特别限于：例如已知的化合物例如基于受阻胺的化合物或基于受阻哌啶的化合物。根据组合物的用途，UV吸收剂可以通过吸收来自太阳光的UV并且然后转化成对分子无害的热能来起到激活防止在烯烃树脂中引发光致降解的活性物质的作用。能够使用的UV的具体类型可以为但不特别限于：例如基于二苯甲酮的、基于苯并三唑的、基于丙烯腈的、基于金属络合物盐的、基于受阻胺的和基于无机物的UV吸收剂，例如超细二氧化钛或超细氧化锌中的一种或两种或更多种的混合物。此外，热稳定剂的实例可以包括：基于磷的热稳定剂，例如三(2，4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯、亚磷酸双[2，4-双(1，1-一甲基乙基)-6-甲基苯基]乙基酯、四(2，4-二叔丁基苯基)[1，1-联苯基]-4，4′-二基二磷酸酯和双(2，4-二叔丁基苯基)季戊四醇二亚磷酸酯；以及基于内酯的热稳定剂，例如8-羟基-5，7-二叔丁基呋喃-2-酮与邻二甲苯的反应产物，并且可以使用在上述热稳定剂之中的一种或两种或更多种热稳定剂。在烯烃树脂组合物中，光稳定剂的含量、UV吸收剂的含量和/或热稳定剂的含量没有特别限制。换句话说，根据树脂组合物的用途、添加剂的形状、添加剂的密度等可以适当地选择添加剂的含量，并且相对于在树脂组合物中100重量份的全部固含量，可以适当地调整为0.01重量份至5重量份。此外，除了上述组分之外，根据应用树脂组分的用途，示例性烯烃树脂组合物还可以适当包括在相关技术中适当的各种已知添加剂。本申请的另一实施方案提供了一种使用上述烯烃树脂组合物制造用于光电器件的封装物的方法。作为一个实例，制造用于光电器件的封装物的方法包括制备改性烯烃树脂。制备改性烯烃树脂的方法可以通过如下步骤制备但不特别限于：例如，将包括烯烃树脂、不饱和硅烷化合物和氨基硅烷化合物的烯烃树脂组合物添加至反应器；将其在反应器中混合；然后在适当的自由基引发剂的存在下通过热熔来使上述烯烃树脂组合物经受接枝挤出反应。用于制备改性烯烃树脂的反应器的类型没有特别限制，只要该反应器可以通过使热熔或液态的反应物起反应来制得需要的树脂即可。例如，该反应器可以为挤出机或包括加料斗的挤出机。在使用这样的反应器的情况下，还可以通过如下方法制备改性烯烃树脂：例如，通过挤出机将液态的不饱和硅烷化合物、氨基硅烷化合物和自由基引发剂添加至热熔的热熔烯烃树脂；然后对其进行挤出处理，或者将烯烃树脂、自由基引发剂、氨基硅烷化合物和不饱和硅烷化合物在加料斗中混合；将该混合物添加到挤出机中；然后通过热熔使该混合物在挤出机中反应。可以将其他添加剂例如UV吸收剂、热稳定剂或UV稳定剂添加至如此制得的改性烯烃树脂中，并且可以在形成改性的烯烃树脂之前或在形成改性的烯烃树脂之后将上述其他添加剂添加至反应器中。作为一个实例，可以通过在一个反应器中同时制备改性烯烃树脂和混合添加剂来简化方法。在这种情况下，其他添加剂可以以其在反应器中的形式被添加，或者可以以母料的形式添加然后在反应器中混合。在这种情况下，母料是指通过将待添加的添加剂以高浓度浓缩然后使其分散而制成的粒状原料。母料通常可以用于使用例如挤出或注射模制的方法来将具有特定功能的添加剂添加至用于加工和模制塑性原料的成品中。在这种情况下，向形成改性烯烃树脂的反应器添加添加剂的方法可以为但不特别限于：例如通过安装在挤出机或料筒的适当位置处的侧进料器添加母料形式的添加剂的方法，或者在添加剂与烯烃树脂等在加料斗中混合后添加添加剂的方法。在上述方法中，反应器的具体类型和设计、条件例如热熔、混合或反应温度和反应时间以及制备母料的方法没有特别限制，根据所使用的原料等可以适当地调整。在本申请的实施方案中，根据本申请的烯烃树脂组合物可以模制为膜或片状，由此制备用于光电器件的封装物。在上述模制方法中，例如，可以通过用常规的方法例如T-模具法或挤出法来形成片或膜以制备封装物，但本发明不特别限于此。本申请的实施方案可以使用使成膜或成片过程与使用上述烯烃树脂组合物的改性烯烃树脂的制备过程之间接通的装置的原位方法中进行。根据本申请，可以根据上述使用烯烃树脂组合物的制备方法来提供共聚物，即待在下面描述的改性烯烃树脂。例如，所述共聚物可包括在用于光电器件的封装物中。该共聚物可以用作密封各种光电器件中的元件的封装物，但本发明不限于此，并且例如，该共聚物可以用作应用于升温层压过程中的工业材料。作为一个实例，共聚物包括包含基于烯烃的单体的聚合单元的主链；以及与所述主链键合的由如下化学式3所表示的支链。[化学式3]-SiR12oR13(2-o)R14在化学式3中，R12和R13各自独立地表示与硅原子键合的卤素、胺基、-R15R16或-R16，R15表示氧或硫原子，R16表示氢、烷基、芳基、芳烷基或酰基，并且0是为1或2的整数。R14表示与硅原子键合的-OSiR17pR18(2-p)R19，R17和R18各自独立地表示与硅原子键合的卤素、胺基、-R20R21或-R21，R20表示氧或硫原子，并且R21表示氢、烷基、芳基、芳烷基或酰基，R19表示与硅原子键合的-(CH2)qNR22R23，R22和R23各自独立地表示与氮原子键合的氢或R24NH2，并且R24表示亚烷基，p为1或2的整数，且q为0以上的整数。例如，共聚物包括由上述化学式3所表示的支链，其中该支链被接枝到包括基于烯烃的单体的聚合单元的主链。支链可以具有如下结构，该结构包括其中一些硅烷基的烃基被转化成羟基的部分并还包括具有胺官能团的部分。该共聚物包括具有转化的羟基并且还具有胺官能团的部分，因而，例如，胺官能团与在光电器件中的封装物的底部的玻璃基板的表面的羟基之间形成氢键，由此提供优异的粘合强度。此外，可以与封装物的顶部的由氟树脂组成的背板形成大量氢键，由此提供优异的粘合强度。作为一个实例，在上述化学式3中的烷基的碳原子数可以为1个至20个、1个至12个、1个至8个或1个至4个，例如，甲基、乙基、丙基或丁基，但本发明不限于此。此外，芳基的碳原子数可以为6个至20个、6个至18个或6个至12个，例如，苯基或萘基，但本发明不限于此。芳烷基是指其中烷基的烃基的氢原子中的至少一个被芳基取代的烷基，并且芳烷基的碳原子数可以为7个至40个、7个至19个或7个至13个。芳烷基的碳原子数是指包含在烷基和芳基中的碳原子的总数。亚烷基可以为碳原子为1至16个、1至12个、1至6个或1至4个的直链或支化亚烷基，并且其实例可以包括亚乙基或亚丙基，但本发明不限于此。此外，酰基为表示为RC＝O的官能团，并且R表示烷基或芳基，并且其实例可以包括甲酰基、乙酰基、丙酰基或苯甲酰基，但本发明并不限于此。包括在酰基中的烷基和芳基的碳原子数与如上所述的碳原子数相同。作为一个实例，R12和R13中的至少之一可以为能够通过接触体系中存在的水而进行水解的反应性官能团，并且关于R12和R13的说明与上述反应性官能团相同，因而将不提供其说明。此外，R12或R13可以为非反应性官能团，并且关于R12和R13的说明与上述非反应性官能团相同，因而将不提供其说明。在这种情况下，R14为包括被转化成上述羟基的部分并且还包括具有胺官能团的部分的官能团，为此，如上所述本申请的共聚物在胺官能团与光电器件中的封装物的底部的玻璃基板的表面的羟基之间具有氢键，由此提供优异的粘合强度，并且还与在封装物的顶部的由氟树脂组成的背板具有大量氢键，由此提供优异的粘合强度。此外，在上述化学式3中，0为1或2的整数，并且在一些实施方案中，0可以为2。作为一个实例，优选地，在上述化学式3中，R12和R13可以各自独立地表示与硅原子键合的羟基或-R15R16，R15可以表示氧，R16可以表示烷基，R14可以表示与硅原子键合的-OSiR17pR18(2-p)R19，R17和R18可以各自独立地表示与硅原子键合的羟基或-R20R21，R20可以表示氧，R21可以表示烷基，R19可以表示与硅原子键合的-(CH2)qNR22R23，R22和R23可以各自独立地表示与氮原子键合的氢或R24NH2，并且R24可以表示亚烷基。此外，更优选地，在上述化学式3中，R12和R13可以表示羟基，R14可以表示与硅原子键合的-OSiR17pR18(2-p)R19，R17和R18可以表示羟基，R19可以表示与硅原子键合的-(CH2)qNR22R23，R22可以表示氢，R23可以表示R24NH2，并且R24可以表示亚烷基。在这种情况下，烷基和亚烷基与如上所述的烷基和亚烷基相同。此外，在一个实例中，共聚物还可以包括由如下化学式4表示与主链键合的支链。[化学式4]-SiR25rR26(3-r)在化学式4中，R25和R26各自独立地表示与硅原子键合的卤素、胺基、-R27R28或-R28，R27表示氧或硫原子，R28表示氢、烷基、芳基、芳烷基或酰基，并且r为1至3的整数。优选地，在上述化学式4中，R25和R26可以各自独立地表示与硅原子键合的羟基或-R27R28，R27可以表示氧，并且R28可以表示烷基。如上所述，本申请的共聚物包括具有转化成羟基并且还具有胺官能团的部分，因而，与仅具有由上述化学式4表示的支链的共聚物(例如，其中只有具有乙烯基的不饱和硅烷化合物被共聚成烯烃类树脂的共聚物)相比，硅烷基的一些烃基被转化成羟基的速率可以大大增加。为此，当该共聚物包含于用于光电器件的封装物中时，与仅包括由化学式4表示的支链的共聚物相比，在胺官能团与封装物的底部的玻璃基板的表面上的羟基之间形成更多氢键，因而可以提供优异的粘合强度。此外，与封装物的顶部的由氟树脂组成的背板形成更多氢键，因而可以提供优异的粘合强度。此外，根据上述使用本申请的烯烃树脂组合物制造用于光电器件的封装物的方法，可以提供包括共聚物的用于光电器件的封装物。在一个实例中，用于光电器件的封装物包括通过使根据本申请的烯烃树脂组合物进行接枝挤出反应而制备的改性烯烃类树脂，即上述共聚物。如上所述，通过将由上述化学式4表示的氨基硅烷化合物和由上述化学式1表示的不饱和硅烷化合物接枝到包括基于烯烃的单体的聚合单元的主链来形成所述共聚物。通过包括由上述化学式3表示的支链，该共聚物包括部分(A)和部分(B)两者，在部分(A)中一些硅烷基的烃基转化成羟基；在部分(B)中引入了末端胺官能团。硅烷改性的部分(A)与引入胺基的硅烷改性的部分(B)的比可以为99∶1至40∶60。在一个实例中，可以通过FT-IR分析来测量：甲氧基硅烷(Si-O-CH3)转化成硅烷醇基(Si-OH)的程度，该转化是通过在封装物的层压过程期间由氨基硅烷化合物促进水解来进行；部分(A)，在部分(A)中包括在聚合型共聚物中的一些硅烷基的烃基转化成羟基；以及引入有末端胺官能团的部分(B)。例如，对于共聚物，如使用ATR法通过FT-IR测量的，在波数为3100cm-1至3600cm-1的区域中的硅烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面积(Sa)与波数为705cm-1至735cm-1的区域中的亚甲基(CH2)的峰面积(Sm)的比Sa/Sm可以为1.5或更高，例如2.0或更高、2.5或更高、2.85或更高、3.5或更高、5.0或更高、5.25或更高、6.0或更高、6.5或更高或7.0或更高。共聚物的峰面积比Sa/Sm的上限没有特别限制，但是面积比Sa/Sm例如可以为10.0或更低、9.0或更低或8.0或更低。如通过FT-IR测量的该共聚物的硅烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面积(Sa)可以随着氨基硅烷化合物的含量的增加而增加。此外，对于封装物，如使用ATR法通过FT-IR测量的，在波数为3100cm-1至3600cm-1的区域中硅烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面积(Sa)与波数为705cm-1至735cm-1的区域中的亚甲基(CH2)的峰面积(Sm)的比Sa/Sm可以为0.6或更高，例如0.7或更高、0.8或更高、0.9或更高、1.0或更高，1.1或更高、1.2或更高、1.25或更高、1.5或更高或2.0或更高。封装膜的峰面积比Sa/Sm的上限没有特别限制，但是面积比Sa/Sm例如可以为10.0或更低、9.0或更低、8.0或更低、6.0或更低、5.0或更低或4.0或更低。与共聚物相似，如通过FT-IR测量的该共聚物的硅烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面积(Sa)可以随着氨基硅烷化合物的含量增加而增加。上述ATR法(衰减全反射吸收光谱)是指利用如下的分光光度测定：通过在样品(固体或液体)与具有高折射率的透明材料(例如石英)之间进行接触，在当入射光照射在透明材料的一侧发生全反射时接触表面附近仅样品的一部分反射光的吸收现象。在本申请的FT-IR测量方法中，透明材料可以为金刚石/ZnSe，光的入射角可以为45°，并且峰值可以为反射32次而测量的值。作为一个实例，硅烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面积和亚甲基的峰面积可以通过以下计算：利用FT-IR装置测量在波数为600cm-1至400cm-1的区域中红外线的吸收率，然后使用其来测量每个峰面积。例如，硅烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面积可以通过使用波数从2400cm-1至3800cm-1作为基线来对波数从3100cm-1至波数为3600cm-1的峰面积进行积分来计算，并且亚甲基(CH2)的峰面积可以通过使用波数从690cm-1至760cm-1作为基线来对波数从705cm-1至波数为735cm-1的峰面积进行积分来计算。在这种情况下，波数是指所照射的红外线的波长的倒数(1/λ)。作为一个实例，即使封装物在低层压温度下层压的情况下，通过包括上述共聚物，根据本申请的封装物对前基板(例如，玻璃基板)也具有优异的粘合强度。用于光电器件的封装物对于玻璃基板的剥离强度(在110℃或更高，例如110℃，130℃，140℃，150℃或160℃的温度下层压之后在90°的剥离角和50mm/分钟的剥离速度下进行测量)可以为：50N/15mm或更高，60N/15mm或更高，70N/15mm或更高，80N/15mm或更高，90N/15mm或更高，100N/15mm或更高，110N/15mm或更高，60N/15mm或更高，120N/15mm或更高，130N/15mm或更高，140N/15mm或更高，150N/15mm或更高，160N/15mm或更高，165N/15mm或更高，170N/15mm或更高，180N/15mm或更高，或200N/15mm或更高。随着层压温度的升高，封装物与玻璃基板之间的粘合强度增加。例如，封装物的剥离强度与玻璃基板和封装物的层压温度之间的关系满足如以下等式1所示的关系式。换句话说，本申请的封装物例如可以满足以下等式1。[式1]P＝α1(TL-100)+β1在上述等式1中，P表示封装物对玻璃基板的剥离强度，所述剥离强度是在90°的剥离角和50mm份钟的剥离速度下进行测量的，TL表示封装物和玻璃基板的层压温度，α1为1或更高，并且β1为40或更高。优选地，在上述等式1中，α1为1.5至4并且β1为50至150，并且更优选地，α1为2.5至3.3并且β1为70至130。在上述等式1中，封装物和玻璃基板的层压温度可以为100℃或更高，例如110℃，120℃，130℃，140℃，150℃，160℃或170℃的温度并且还可以进行15分钟30秒的层压，例如，真空下5分钟，压力条件下30秒，保压条件下10分钟。本申请的封装物满足上述等式1，因而，即使在100℃或更高的温度下，具体地在低温即约110℃下的层压的情况下，所述封装物对玻璃基板具有优异的粘合强度。另外，随着层压温度的升高，粘合强度的增加量变高，因而，具有以下优点：可以极好地应用于各种条件下的层压过程，生产率可以提高，因而，生产成本可以降低。此外，本申请的封装物的黄变指数(以下称为YI)的值可以为0.5至2.5，例如0.5至1.0，0.5至1.5，1.0至1.5，1.25至1.5，或1.25至2.5。当YI值低时，光电器件可以具有优异的发电效率。上述黄变指数是当封装物暴露于紫外线时通过量化封装物的黄变现象所获得的值，并且其可以通过使用基于ASTMD1925的UV/Vis光谱仪进行测量。例如，使用UV/Vis光谱仪，对封装物在400nm至700nm的波长范围内的反射率进行测量，然后使用该反射率，可以基于以下等式2来计算黄变指数值。[等式2]YI＝[100(1.28XCIE-1.06ZCIE)]/YCIE在等式2中，YI是通过使用UV/VIS/NIR光谱仪的色度分析程序计算出的值，并且XCIE、YCIE和ZCIE分别是由红色、绿色和蓝色坐标表示的相对值。此外，本申请的封装物具有优异的透光率。例如，封装物的总透光率值为90.0％或更高，例如91.0％或更高，91.2％或更高，91.3％或更高，91.5％或更高，91.7％或更高，91.9％或更高，或者92.1％或更高，并且可以鉴于光电器件的光电效率而将总透光率调整为在上述范围内。此外，封装物具有低的雾度值，因而表现出优异的透明性。例如，封装物的雾度值为4.0％或更低，例如3.5％或更低，3.0％或更低，2.5％或更低，2.0％或更低，或1.5％或更低，并且可以鉴于光电器件的光电效率而将光雾度值调整为在上述范围内。总透光率和雾度可以为相对于波长为200nm或更高(例如：300nm，350nm，400nm，450nm，500nm，550nm，或600nm)的光用雾度计测量的值，并且优选地，可以为相对于波长为550nm的光用雾度计测量的值。此外，总透光率和雾度例如可以为在110℃、130℃或150℃的温度下被层压在玻璃基板上之后测得的值，但本发明不限于此。此外，可以通过使用UV/Vis光谱测量总透光率。在这种情况下，总透光率可以为相对于波长为200nm或更高(例如，200nm至1300nm，250nm至1300nm，或300nm至1100nm)的光通过使用UV/Vis光谱测量的值。除了改性烯烃树脂之外，用于光电器件的封装物可以包括未改性烯烃树脂。可以使用的未改性烯烃类树脂的具体类型没有特别限制。例如，作为未改性烯烃类树脂，可以使用聚乙烯，具体地可以使用乙烯/α-烯烃共聚物，其与在制备上述改性烯烃树脂时所使用的乙烯/α-烯烃共聚物属于相同类别。未改性烯烃树脂和改性烯烃树脂的含量比可以为1∶1至20∶1，例如1∶1至10∶1，1∶1至5∶1，或2∶1至5∶1。当未改性烯烃树脂过多时，容易降低通过改性烯烃树脂所呈现的粘合性能。另一方面，当未改性烯烃树脂过少时，改性烯烃树脂中所呈现的粘合性能较早呈现，因而加工性降低，并且产生凝胶等，由此可能得不到期望的片模制性。可以根据所期望的物理性质来选择未改性烯烃树脂的含量，但本发明不特别限于此。例如，相对于100重量份的改性烯烃树脂，未改性烯烃树脂的含量可以0.01重量份至3000重量份、100重量份至2000重量份或90重量份至1000重量份。封装物可以以在如原样一样均匀地混合各组分的状态来被包含，或者可以以通过各种模制方法(例如热熔挤出和T-模具成型)而被模制的状态来被包含。封装物的形状可以为，但不具体限于，例如片状或膜状。在这种情况下，考虑到元件的支承效果和破损可能性、器件的减重和可加工性等，封装物的厚度可以调整为约10μm至2000μm，或约100μm至1250μm。然而，封装物的厚度可以根据待应用的具体用途而改变。根据本申请，可以提供包括由上述烯烃树脂组合物制备的封装物来密封的光伏元件的光电器件。密封的光伏元件可以为，例如发光区或光敏区，例如光伏电池、发光二极管或有机发光二极管。光电器件的具体结构或者使用根据本申请的实施方案的烯烃树脂组合物密封光伏元件的方法没有特别限制，并且可以被应用以实现根据相应器件的目的。例如，当光电器件为光伏电池时，如图1或图2所示，光电器件可以为包括前基板11和21、背板12和22以及光伏元件13和23的太阳能电池模块，光伏元件13和23由在前基板11和21与背板12和22之间的封装物14a、14b和24所封装。在这种情况下，该封装物可以由根据本申请的实施方案的烯烃树脂组合物来制备。如上所述的太阳能电池模块可以通过常规的模制方法来制造，例如层压法，所述层压法包括：根据期望的结构层压前基板、封装物、光伏元件和背板；然后在层压物进行抽真空的同时热压如此层压的层压物。在这种情况下，层压法的工艺条件没有特别限制，并且所述层压法通常可以在90℃至230℃或110℃至200℃的温度下进行1分钟至30分钟或1分钟至10分钟。在根据本申请的实施方案的烯烃树脂组合物的情况下，通过在例如上述层压的模块化过程中的氨基硅烷化合物来加速通过挤出工艺而变得化学不稳定的改性烯烃树脂的硅烷改性部分的反应性硅烷基(例如，甲氧基硅基(Si-O-CH3))的水解，因而所述反应性硅烷基被转化成硅烷醇基(Si-OH)。此外，该硅烷醇基通过脱水缩合来化学地共价键合至残基(例如在光电器件的前基板的表面上的羟基)，从而呈现出高粘合强度。另外，甚至在与最近广泛使用的具有包含氟聚合物的表面层的背板的界面上，在氟与硅烷醇基之间形成氢键，因而，与常规封装物不同，该封装物可以表现出高的界面粘合强度。此外，通过具有由少量的氨基硅烷化合物引入的胺官能团的部分与氟非共价键合的位点增加，因而，可以提供高粘合强度。在这种情况下，可以使用的前基板、背板和光伏元件的具体类型没有特别限制。例如，前基板可以为常规的平板玻璃；或通过层压玻璃、基于氟的树脂片、耐候膜和阻挡膜而制造的透明复合片，并且背板可以为通过层压金属(例如铝)、基于氟的树脂、耐候膜和阻挡膜而制造的复合片，并且具有包括含氟聚合物的表面层。例如，它可以为形成在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的两侧的具有含氟聚合物层的多层膜。此外，光伏元件可以为，例如，基于硅晶片的活性层或通过化学气相沉积(CVD)形成的薄膜活性层等。有益效果本申请的实施方案可以提供具有与包括在各种光电器件中的前基板和背板的优异的粘合强度的封装物，特别是具有改进的长期粘合性和耐热性的封装物。此外，封装物不会对部件(例如在光电器件中封装的光伏元件或线电极)和工作环境产生不利影响，并且可以极好地保持器件制造的加工性和经济可行性。附图说明图1和图2为示出根据本申请的一个实施例的为光电器件的太阳能电池模块的横截面图。图3为示出根据本申请的实施例和比较例的封装物对于玻璃基板的粘合强度随层压温度变化的图。图4为示出根据本申请的实施例和比较例的封装物的FT-IR测量结果的图。图5为示出根据本申请的制备实施例和制备比较例的改性烯烃树脂的FT-IR测量结果的图。图6为示出由本申请的实施例3制备的样品的UV/Vis光谱的图。图7为示出由本申请的比较例1制备的样品的UV/Vis光谱的图。具体实施方式下文中，将参照本申请的实施例和比较例来对本申请进行更详细地描述，但本申请的范围不限于将在下面描述的实施例。<改性乙烯/α-烯烃共聚物的制备>制备实施例1使用双螺杆挤出机在220℃的温度和180rpm下使如下物质经受接枝反应挤出(热熔搅拌)以制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料：具有0.870g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg载荷下5g/10分钟的MFR的95.01重量份的乙烯/α-烯烃共聚物；4.79重量份的乙烯基三甲氧基硅烷(VTMS)；0.1重量份的3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APTMS)；以及0.1重量份的2，5-双(叔丁基过氧化)-2，5-二甲基己烷(101)(各重量份表示相对于总共100重量份的wt％)。制备实施例2、3和10以与制备实施例1相同的方法制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，除了将在制备实施例1中使用的乙烯基三甲氧基硅烷的含量和3-氨基丙基三甲氧基硅烷的含量改变为下表1中列出的含量之外。制备实施例4和5以与制备实施例3相同的方法制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，除了使用3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)和N-[3-(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺(DAS)分别替代在制备实施例3中使用的3-氨基丙基三甲氧基硅烷之外。制备实施例6和7以分别与制备实施例1和制备实施例3相同的方法制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，除了使用具有0.882g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg载荷下3g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物分别替代在制备实施例1和制备实施例3中使用的乙烯/α-烯烃共聚物之外。制备实施例8和9以分别与制备实施例1和制备实施例3相同的方法制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，除了使用具有0.902g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg载荷下3g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物分别替代在制备实施例1和制备实施例3中使用的乙烯/α-烯烃共聚物之外。制备比较例1以与制备实施例1相同的方法制备硅烷改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，除了不使用在制备实施例1中使用的3-氨基丙基三甲氧基硅烷而使用4.89重量份的乙烯基三甲氧基硅烷之外。制备比较例2和3以与制备实施例3相同的方法制备硅烷改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，除了使用十二烷基胺(DA)和三甲氧基丙基硅烷(TMS)分别替代在制备例3中使用的3-氨基丙基三甲氧基硅烷之外。制备比较例4以与制备比较例1相同的方法制备硅烷改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，除了使用具有0.882g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg载荷下3g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物分别替代在制备比较例1中所使用的乙烯/α-烯烃共聚物之外。制备比较例5以与制备比较例1相同的方法制备硅烷改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，除了使用具有0.902g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg载荷下3g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物分别替代在制备比较例1中所使用的乙烯/α-烯烃共聚物之外。制备比较例6和7以与制备实施例1相同的方法制备乙烯/α-烯烃共聚物的母料，除了分别使用4.89重量份和0.49重量份的3-氨基丙基三甲氧基硅烷替代在制备实施例1中使用的乙烯基三甲氧基硅烷之外。制备比较例8以与制备实施例1相同的方法制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，除了分别使用2.44重量份的乙烯基三甲氧基硅烷和2.45重量份的3-氨基丙基三甲氧基硅烷替代在制备实施例1中使用的4.79重量份的乙烯基三甲氧基硅烷和0.1重量份的3-氨基丙基三甲氧基硅烷之外。[表1]<封装物和太阳能电池模块的制造>实施例1至实施例5制备由制备实施例1至制备实施例5制备的200克各改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料以及400g具有0.870g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg的载荷下5g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物；然后将其以1∶2的比例混合以制备树脂。将如此获得的树脂与18g添加剂母料混合，制备该添加剂母料以在最终片中包括1000ppm的光稳定剂(Uvinul5050H)、1000ppm的UV吸收剂(TINUVINUV531)、500ppm的抗氧化剂1(Irganox1010)和500ppm的抗氧剂2(Irgafos168)；然后，将由此获得的混合物添加到双螺杆挤出机(为19mm)以及具有T形模具的膜模制机的料斗(宽度为200mm)，并且在180℃的挤出温度和3m/分钟的吹塑速率下处理以制备厚度为约500μm的片状的封装物。分别依次层压：平板玻璃(厚度约3mm)；如上所述制备的厚度为500μm的封装物；晶体硅片光伏元件；如上所述制备的厚度为500μm的封装物；背板(层压有厚度为20μm的聚氟乙烯树脂片、厚度为250μm的聚对苯二甲酸乙醇酯和厚度为20μm的聚氟乙烯树脂片的层压片(PVDF/PET/PVDF))，然后在150℃下在真空层压机中层压15分钟30秒来制备太阳能电池模块。实施例6和实施例7以与实施例1相同的方法制备片状的封装物和太阳能电池模块，除了使用通过以下步骤制备的树脂替代在实施例1中使用的乙烯/α-烯烃共聚物与改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料的混合树脂之外，所述步骤为：制备200g分别由制备实施例6和制备实施例7制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和400g具有0.882g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg的载荷下3g/10分钟的MFR的各乙烯/α-烯烃共聚物；然后以1∶2的比例使其混合。实施例8和实施例9以与实施例1相同的方法制备片状的封装物和太阳能电池模块，除了使用通过以下步骤制备的树脂替代在实施例1中使用的乙烯/α-烯烃共聚物与改性的乙烯/α-烯烃共聚物的母料的混合树脂之外，所述步骤为：制备200g分别由制备实施例8和制备实施例9制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和400g具有0.902g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg的载荷下3g/10分钟的MFR的各乙烯/α-烯烃共聚物；然后以1∶2的比例使其混合。实施例10以与实施例1相同的方法制备片状的封装物和太阳能电池模块，除了使用通过以下步骤制备的树脂而非在实施例1中使用的乙烯/α-烯烃共聚物与改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料的混合树脂之外，所述步骤为：制备100g由制备实施例3制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和500g具有0.870g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg的载荷下5g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物；然后以1∶5的比例使其混合。实施例11以与实施例1相同的方法制备片状的封装物和太阳能电池模块，除了使用通过以下步骤制备的树脂替代在实施例1中使用的乙烯/α-烯烃共聚物与改性的乙烯/α-烯烃共聚物的母料的混合树脂之外，所述步骤为：制备54.5g由制备实施例3制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和545.5g具有0.870g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg的载荷下5g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物，然后以1∶10的比例使其混合。实施例12以与实施例1相同的方法制备片状的封装物和太阳能电池模块，除了使用通过以下步骤制备的树脂替代在实施例1中使用的乙烯/α-烯烃共聚物与改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料的混合树脂之外，所述步骤为：制备200g由制备实施例10制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和400g具有0.870g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg的载荷下3g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物；然后以1∶2的比例使其混合。比较例1至比较例3以与实施例1相同的方法制备片状的封装物和太阳能电池模块，除了分别使用由制备比较例1至制备比较例3制备的硅烷改性的乙烯/α-烯烃共聚物的母料替代在实施例1中使用的改性的乙烯/α-烯烃共聚物的母料之外。比较例4以与实施例1相同的方法制备片状的封装物和太阳能电池模块，除了使用通过以下步骤制备的树脂替代在实施例1中使用的乙烯/α-烯烃共聚物与改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料的混合树脂之外，所述步骤为：制备200g由制备比较例4制备的硅烷改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和400g具有0.882g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg的载荷下3g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物；然后以1∶2的比例使其混合。比较例5以与实施例1相同的方法制备片状的封装物和太阳能电池模块，除了使用通过以下步骤制备的树脂替代在实施例1中使用的改性的乙烯/α-烯烃共聚物的母料之外，所述步骤为：制备200g由制备实施例5制备的硅烷改性的乙烯/α-烯烃共聚物的母料和400g具有0.902g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg的载荷下3g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物；然后以1∶2的比例使其混合。比较例6和比较例7以与实施例1相同的方法制备片状的封装物和太阳能电池模块，除了使用由制备比较例6和制备比较例7制备的乙烯/α-烯烃共聚物的母料替代在实施例1中使用的改性的乙烯/α-烯烃共聚物的母料之外。比较例8以与实施例1相同的方法制备片状的封装物和太阳能电池模块，除了使用通过以下步骤制备的树脂替代在实施例1中使用的乙烯/α-烯烃共聚物与改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料的混合树脂之外，所述步骤为：制备200g由制备比较例8制备的硅烷改性的乙烯/α-烯烃共聚物的母料和400g具有0.870g/cm3的密度和在190℃的温度和2.16kg的载荷下3g/10分钟的MFR的乙烯/α-烯烃共聚物；然后以1∶2的比例使其混合。[表2]实验实施例1.90°剥离强度的测量为了测量从实施例1至实施例12和比较例1至比较例8制备的封装物的剥离强度，分别制造类似于所制造的太阳能电池模块的试样。通过下列步骤来制造试样：依次层压平板玻璃(厚度约3mm)，如上所述制备的厚度为500μm的封装物，背板(层压有厚度为20μm的聚氟乙烯树脂片、厚度为250μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯和厚度为20μm的聚氟乙烯树脂片的层压片(PVDF/PET/PVDF))；然后用真空层压机在150℃下进行层压15分钟30秒。在固定由此制造的试样的底玻璃板之后，基于ASTMD1897，以15mm的矩形宽度、50mm/分钟的拉伸速度和同时与背板成90°的剥离角对仅附接至背板的封装物进行剥离来测量剥离强度。结果是，如此测得的剥离强度列于下面的表3中。[表3]根据APS的含量范围的平均粘合强度列于下表4中。[表4]如上述表3中所列出的，可以证实，与由比较例1和3至7制备的封装物片相比，通过使用由使用乙烯基三甲氧基硅烷和氨基硅烷制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料制备的片状封装物的粘合强度优异，所述比较例1和3至7通过使用乙烯基三甲氧基硅烷、烷基硅烷和氨基硅烷中的仅之一来制备。此外，可以证实，在改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和未改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料的含量比例为1∶2的情况下，粘合强度最优异。在单独地使用烷基胺的比较例2的情况下，初始剥离强度可以达到一定水平以上，但由于烷基胺保留在体系中，长期耐久性下降，并且由此在保留在苛刻的条件之后测得的剥离强度更有可能显著降低。此外，如表4中所列出的，可以证实，在烯烃树脂组合物中的氨基硅烷化合物含量在2wt％至25wt％的范围内的情况下，平均粘合强度为约200N/15mm或更高，从而粘合强度非常优异。换句话说，由实施例1至实施例12、比较例1至比较例8，以及涉及这些的实施例和比较例的实验实施例可以证实，当使用特定含量范围的通过使用所有的乙烯基硅烷和氨基硅烷进行改性的乙烯/α-烯烃共聚物和未改性乙烯/α-烯烃共聚物母料时，与单独使用乙烯基硅烷、烷基胺、氨基硅烷或烷基硅烷的情况相比，封装物的底部玻璃基板的粘合强度和封装物的顶部背板的粘合强度优异。2.在改变层压条件时90°剥离强度的测量。以与实验实施例1相同的方法测量90°剥离强度，除了在下面的表5所列出的层压条件下在实验实施例1中制造与实施例1和实施例3中使用封装物制造的太阳能电池模块相类似的试样之外，也就是说，分别在110℃、130℃、140℃、150℃、160℃下层压6分30秒、10分30秒和15分30秒。由此测得的结果列于下表5中，并且表现出随层压温度的粘合强度的图示于图3中。此外，以与实验实施例1相同的方法测量90°的剥离强度，除了在下面的表5所列出的层压条件下在实验实施例1中制造与比较例1中使用封装物制造的太阳能电池模块相类似的样本之外，也就是说，分别在110℃、130℃、140℃、150℃、160℃下层压6分30秒、10分30秒和15分30秒。由此测得的结果列于下面的表5中，并且表现出随层压温度的粘合强度的图示于图3中。[表5]如上表5所列出的，可以证实，与仅使用乙烯基三甲氧基硅烷的比较例1相比，在同时使用氨基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷的实施例1和实施例3的情况下，在各种层压温度和时间下表现出优异的粘合强度，以及在低层压温度即110℃下层压的情况下，还表现出50N/15mm或更高的优异的粘合强度。3.黄变指数的测量对于在实施例和比较例中制造的用于光电器件的封装膜，基于ASTM1925使用Colorflex(Hunter实验室)在400nm至700nm的区域中测量反射率，然后，利用反射率，获得YI(黄变指数)值(参见以下等式2)。[式2]YI＝[100(1.28XCIE-1.06ZCIE)]/YCIEYI是通过使用UV/VIS/NIR光谱仪(ASTM，D1925)的色度分析程序所计算的值，并且XCIE、YCIE和ZCIE分别是由红色、绿色、蓝色坐标表示的相对值。YI是通过使用UV/VIS/NIR光谱仪(ASTM，D1925)的色度分析程序所计算的值，并且XCIE、YCIE和ZCIE分别是由红色、绿色、蓝色坐标表示的相对值。根据APS的含量范围的YI值列于下面的表6中。[表6]在上表6中可以看出，当在全部硅烷母料的硅烷化合物中氨基硅烷化合物的含量过多时，YI值增加。4.IR分析为了检测包括其中一些硅烷基的烃基转化成羟基的部分并且还包括在改性的母料中具有胺基官能团的部分的支链，以及为了测量通过在封装膜的层压过程期间由氨基硅烷化合物促进水解来使甲氧基硅基(Si-O-CH3)转化成硅烷醇基(Si-OH)的程度，对于制备实施例1至制备实施例3以及制备比较例1的改性母料和在实施例1至实施例3以及比较例1中制造的封装膜，测量在改性母料和封装物中的亚甲基(CH2)、硅烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的各个峰面积。通过使用下面的方法和条件测量各个峰面积。使用Varian660-IR的衰减全反射(ATR)模式，金刚石/ZnSe与改性的母料和封装物试样彼此附接，在金刚石/ZnSe的一侧的45°的入射光进行照射时，对波数为600cm-1至4000cm-1区域中的红外线吸收率进行测量，然后，使用其测量每个峰的面积。此时，通过使用32次反射的平均值来计算峰值。通过使用波数为2400cm-1至3800cm-1作为基线对波数为3100cm-1至3600cm-1的峰面积进行积分来获得硅烷醇基(Si-OH)和氨基(NH2)的峰面积。通过使用波数为690cm-1至760cm-1作为基线对波数为705cm-1至735cm-1的峰面积进行积分来获得亚甲基(CH2)的峰面积。<测量条件>照射次数：32分辨能力：4封装膜的测量结果示于下面的表7和图4中，并且改性母料的测量结果示于表8和图5中。[表7][表8]5.透光率的测量为了测量由实施例3和比较例1中所制造的封装物的透光率，分别制造具体试样。通过在用于光学显微镜的两片玻璃(厚度约1mm)之间插入如上所述制造的厚度为500μm的两片重叠的封装物，然后在真空层压机中在如下表9中所列出的各种层压温度条件下层压其来制造试样以使用引导装置使两重叠封装物的总厚度为约500±50μm。使用雾度计对550nm波长的光的试样的总透光率和雾度值进行测量，然后将如此获得的结果列于下面的表9中。在这种情况下，将试样添加到试样保持器中然后对透光率和雾度值测量3次，然后，从由此获得的三个值来计算平均值。在JISK7105的标准条件下对透光率和雾度值进行测量。层压过程时间固定为抽真空5分钟/加压30秒/保压10分钟。<UV/Vis光谱设备的测量条件>狭缝宽度：32nm检测单元：外部(2D探测器)时间常数：0.2秒[表9]在上表9、图6和图7中可以看出，无论是否添加氨基硅烷，在低温(即110℃)下层压的样品表现出低雾度值和高的总透光率。在单独地使用乙烯基三甲氧基硅烷的比较例1的情况下，由于在110℃的层压工艺温度下的低粘合强度，难以将其用作太阳能电池封装物，但在将氨基硅烷添加到乙烯基三甲氧基硅烷的实施例3的情况下，可以证实，即使在低层压温度下也表现出高粘合强度以及高透光率。