技术总结
本发明提供了一种芳杂环衍生物，具有式(Ⅰ)所示结构。与现有技术相比，本发明提供的芳杂环衍生物是在吡啶并[3,4‑g]芳杂环衍生物中引入Q1、Q2、Ar1、Ar2、Ar3与Ar4基团，可提高电子密集度及技能，同时，R1可以改善芳杂环衍生物的性能，从而使包含式(I)所示的芳杂环衍生物的有机电致发光器件具备较高的亮度、较好的耐热性、长寿命及高效率等特点。
技术研发人员：高春吉;崔敦洙;王永光;张成成;孙向南
受保护的技术使用者：吉林奥来德光电材料股份有限公司
文档号码：201610793032
技术研发日：2015.06.02
技术公布日：2017.02.15